5. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора Дарлингтона п-р-п типа кт3102е.

5.1 Для снятия статических характеристик этого транзистора установите перемычку J1 в положение 1.

5.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «+».

5.3 Установите тумблер К2 в положение «U_R».

5.4 Потенциометром R2 установите требуемый базовый ток I_Б согласно табл. 2.4 (например, 10 мкА). Этот базовый ток в [мА] будет отображаться на вольтметре V2 и будет равняться напряжению в [В], поскольку сопротивление измерительного резистора базового тока равно 1 кОм.

5.5 Установите тумблер К1 в положение «U».

5.6 Потенциометром R1 установите требуемое коллекторное напряжение U_КЭ согласно табл. 2.4 (например, 0,5 В).

5.7 Установите тумблер К1 в положение «U_R». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует коллекторному току в [мА], протекающему через коллектор транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению коллекторного тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 2.4 (в примере на пересечении колонки 10 мкА и строки 0,5 В).

5.8 Повторите действия согласно п.5.4…5.7 для последующих значений коллекторного напряжения U_КЭ и базового тока I_Б согласно табл.2.4.

5.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях тока базы I_Б. Графически из этих характеристик найти выходную проводимость при I_Б =10 и 50 мкА.

5.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения U_КЭ равных 0,5 В, 2 В, 8 В. Графически из этих характеристик найти значение коэффициента передачи тока базы при U_КЭ=0,5 и 8 В.

Таблица 2.4 Статические характеристики кремниевого биполярного транзистора

Дарлингтона п-р-п типа КТ3102Е

Ток I_K = 10*U_R, мА

UКЭ, В	IБ = UR , мкА
	0	10	20	30	50
0	0	0	0	0	0
0,5	0
1	0
2	0
4	0
6	0
8	0
10	0

6. Сделать выводы по работе, в которых отразите полученные результаты.

При определении малосигнальных параметров транзисторов воспользуйтесь пояснениями к рис.2.7.

В табл.2.5 приведены основные параметры исследуемых биполярных транзисторов.

Таблица 2.5 Основные параметры исследуемых биполярных транзисторов

Транзистор	Тип	h21E	h22E, мСим	UКЭнас, В	UКЭмах, В	IКмах, мА	Рмах, мВт
МП41А	Ge, p-n-p	50-100	0,1…1,0	0,4	35	100	150
КТ315Е	Si, n-p-n	50-350	0,2…5	0,4	35	100	150
BC547	Si, n-p-n	110-800	0,2…8	0,2-0,6	45	150	500