4. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.

4.1 Для снятия статических характеристик этого транзистора установите перемычку J1 в положение 2.

4.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «+».

4.3 Установите тумблер К2 в положение «U_R».

4.4 Потенциометром R2 установите требуемый базовый ток I_Б согласно табл. 2.3 (например, 50 мкА). Этот базовый ток в [мА] будет отображаться на вольтметре V2 и будет равняться напряжению в [В], поскольку сопротивление измерительного резистора базового тока равно 1 кОм.

4.5 Установите тумблер К1 в положение «U».

4.6 Потенциометром R1 установите требуемое коллекторное напряжение U_КЭ согласно табл. 2.3 (например, 0,5 В).

4.7 Установите тумблер К1 в положение «U_R». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует коллекторному току в [мА], протекающему через коллектор транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению коллекторного тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 2.3 (в примере на пересечении колонки 50 мкА и строки 0,5 В).

4.8 Повторите действия согласно п.4.4…4.7 для последующих значений коллекторного напряжения U_КЭ и базового тока I_Б согласно табл.2.3.

4.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях тока базы I_Б. Графически из этих характеристик найти выходную проводимость при I_Б =50 и 100 мкА.

4.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения U_КЭ равных 0,5 В, 2 В, 8 В. Графически из этих характеристик найти значение коэффициента передачи тока базы при U_КЭ=0,5 и 8 В.

Таблица 2.3 Статические характеристики кремниевого биполярного транзистора

п-р-п типа КТ315Е

Ток I_K = 10*U_R, мА

UКЭ, В	IБ = UR , мкА
	0	50	100	150	200
0	0	0	0	0	0
0,5	0
1	0
2	0
4	0
6	0
8	0
10	0