- •Правила внутреннего распорядка в лаборатории полупроводниковых приборов
- •Указания по технике безопасности
- •Первая помощь при поражении током
- •Описание лабораторного стенда
- •Методика проведения лабораторных работ
- •Содержание отчета по лабораторной работе
- •Исследование работы полупроводникового диода Цель работы
- •Краткие теоретические сведения
- •I. Методические указания
- •II. Программа работы
- •III. Содержание отчета
- •IV. Контрольные вопросы и задания
- •I. Полупроводниковый диод
- •I. Методические указания
- •II. Программа работы
- •III. Содержание отчета
- •VI. Контрольные вопросы и задания
- •II. Стабилитрон
- •Снятие вольт-амперной характеристики туннельного диода Цель работы
- •Краткие теоретические сведения
- •I. Методические указания
- •II. Программа работы
- •По данным измерений строятся графики вольт-амперных характеристик.
- •III. Содержание отчета
- •IV. Контрольные вопросы и задания
- •III. Туннельный диод
- •Снятие статических характеристик транзистора, включенного по схеме «общая база» Цель работы
- •Краткие теоретические сведения
- •I. Методические указания
- •II. Программа работы
- •III. Содержание отчета
- •IV. Контрольные вопросы и задания
- •IV. Транзистор с общей базой (об)
- •Снятие статических характеристик транзистора, включенного по схеме «общий эмиттер» Цель работы
- •Краткие теоретические сведения
- •I. Методические указания
- •II. Программа работы
- •III. Содержание отчета
- •IV. Контрольные вопросы и задания
- •V. Транзистор с общим эмиттером (оэ)
- •Исследование работы полевого (канального) транзистора Цель работы
- •Краткие теоретические сведения
- •I. Методические указания
- •II. Программа работы
- •IV. Оформление отчета
- •V. Контрольные вопросы и задания
- •VI. Полевые транзисторы
- •Исследование маломощных тиристоров Цель работы
- •Краткие теоретические сведения.
- •I. Методические указания
- •II. Программа работы.
- •III. Содержание отчета
- •IV. Контрольные вопросы и задания
- •VII. Тиристор
- •Лабораторная работа №8 Измерение параметров мощных транзисторов
- •Технические данные
- •Устройство и работа прибора
- •Измерение обратных токов и начального тока
- •2. Измерение статического коэффициента передачи тока
- •3. Измерение напряжений насыщенного транзистора
- •4. Структурная схема прибора
- •Конструкция
- •Приложения
- •Система обозначений полупроводниковых приборов
- •2. Система обозначений электровакуумных приборов (гост 13393-76)
- •3. Стандартные графические обозначения электронных приборов
- •4. Соотношения между дифференциальными параметрами электронных приборов
- •5. Соотношения между y-параметрами в трех схемах включения
- •6. Соотношения между h – параметрами в трёх схемах включения
- •Четвертый элемент обозначения электронных приборов, характеризующий конструктивное оформление
- •Пятый элемент обозначения, характеризующий эксплуатационные параметры
- •Условные обозначения полупроводниковых приборов
- •Рекомендательный библиографический список
- •Оглавление
Рекомендательный библиографический список
Электронные приборы/ В.Н. Дулин, Н.А. Аваев, В.П. Демин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: Энергоатомиздат, 1989. – 495 с.
Батушев В.А. Электронные приборы. – М.: Высш. шк., 1980. – 383 с.
Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1991. – 288 с.
Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы. – СПб: М.: Краснодар: Лань, 2003. – 479 с.
Оглавление
Правила внутреннего распорядка в лаборатории полупроводниковых приборов………………………………………………………………….……..…2
Указания по технике безопасности ……………………………………...….2
Первая помощь при поражении током ………………..………………..…..3
Описание лабораторного стенда …………………………………….…...…4
Методика проведения лабораторных работ ………………………….…….5
Лабораторная работа 1. Исследование работы полупроводникового
диода …………………………………………………………………….……7
Лабораторная работа 2. Исследование работы кремниевого
стабилитрона ..................................................................................................14
Лабораторная работа 3. Снятие вольт-амперной характеристики
туннельного диода ……………………………………………………….…19
Лабораторная работа 4. Снятие статических характеристик транзистора, включенного по схеме «общая база»……………………..…….…….26
Лабораторная работа 5. Снятие статических характеристик транзистора, включенного по схеме «общий эмиттер» ……………………..….….34
Лабораторная работа 6. Исследование работы полевого (канального) транзистора …………………………..………………………..…………….42
Лабораторная работа 7. Исследование маломощных тиристоров ……..50
Лабораторная работа 8. Измерение параметров мощных транзисторов…………………………………………………………………………......57
Приложения …………………………………………………………………..68
Рекомендательный библиографический список ……………………...……78
