ЛЕКЦИЯ 11,12
Тема: Оперативная и постоянная память.
Знать:
Элементную базу и организацию ОЗУ и ПЗУ;
Виды ОЗУ и ПЗУ.
Уметь:
Выбирать ИМС ОЗУ и ПЗУ с нужными характеристиками.
Оперативное ЗУ.
Элементная база ОЗУ
полупроводниковые Ферритовые сердечники
элементы
.
Полупроводниковая память является энергозависимой.
Элемент памяти на ферритовом сердечнике.
В
+BR
Hc
Н
-BR
Используется свойство магнитного материала сохранять остаточную
намагниченность
+ Br - лог 1
–Br - лог 0.
В элементе памяти имеются три обмотки: обмотка записи, обмотка считывание,обмотка адреса.
Чтобы записатьединицу суммарное токовое воздействие должно иметь положительную полярность и быть примерно равно Hс .
При записи логического «0» полярность тока должна измениться. Полупроводниковые ОЗУ.
Полупроводниковые озу строятся на базе разных элементов памяти:
статических;
динамических.
Элемент статической памяти.
+Е
R1 R2
VT1 VT2
э1
э1
Р
азрядная
ш
ина
Зп/Сч э3
э3
хi Адресные
уi шины
УзnО УСч0 Узn1 УСч1
Разрядные шины Зп/СчO и Зп/Cч1 служат для записи и считывания кода «0»и «1» соответствено
К каждой разрядной шине подключены усилители записи (УзпО иУЗп1) и усилители очитывание (УсчО и Усч1).
Адресные шины Хi и Уi служат для выборки информации из запоминающего элемента ОЗУ .
В режиме хранения информации на адресные шины Хi и Уi подается уровень логического «0» (U>=2,4B).
Состояние логического «0»: VT 1открыт, VT2 закрыт.
Состояние логической «1»: VT1 закрыта, VT2 открыта.
Режим хранения статического триггера.
На адресные шины – низкий уровень .
Если хранится лог .0,то VT1- открыт ,VT2-закрыт ,по цепи К-Э2, Э3 VT1 проходит ток, а в транзисторе VT2 т. к .он закрыт, тока нет.
На Э1 VT1,VT2 должно быть состояние высокого импеданса (выходы УЗп и входы Усч). При этом на коллекторе VT1 низкий уровень, т. к. по цепи К-Э проходит ток, на базе VT2 тоже низкий уровень, т. е . сохраняется состояние логического 0.
Внимание! В режиме хранения элемент памяти потребляет ток , равный коллекторному току Ik открытого транзистора!
Режим записи.
На адресных шинах –высокие уровни , на входах Усч - высокий импеданс.
Запись «0».
А) Элемент памяти хранил лог. «0», т. е. VT1-открыт, VT2-закрыт.
На выходе УзпО - формируется низкий уровень
на выходе УЗп1- высокий уровень.
Транзистор VT1 также остается в открытом состоянии , а VT2- в закрытом.
Б) Элемент памяти хранил лог. 1.VT2-открыт,VT1-закрыт
На выходе УзпО должен быть сформирован низкий уровень, на выходе УЗ1 - высокий уровень.
Ток в цепи К-Э1 VT2 прекращается (т. к .на Э1-высокий уровень), потенциал коллектора VT2 повышается, VT1 открывается (по цепи К-Э1 проходит ток).
Режим считывания
На адресные шины подается высокий уровень,
на выходах УЗп- высокий импеданс,
на входных схемах Усч- низкие уровни.
Ток проходит по цепи К-Э открытого в данный момент времени транзистора.
Наличие тока на входе Усч0 или Усч1 фиксируется как считывание лог. 0 или лог.1
Далее из этого тока можно создать падение напряжения , т.е. уровень логического 0 или 1 ,которые передаются на последующие схемы.