- •В.О. Яцук автоматизовані засоби метрологічного забезпечення
- •16. Кодокеровані міри ємності 174
- •17. Модуль інтелектуального інтерфейсу перетворювачів 212
- •Перелік скорочень, символів та термінів
- •1. Єдність вимірювань та способи її досягнення
- •1.1. Єдність та метрологічне забезпечення вимірювань
- •1.2. Метрологія – фундамент сучасної науки і техніки
- •1.3. Метрологічне забезпечення, основні поняття
- •1.4. Методи метрологічної перевірки
- •1.5. Особливості проведення метрологічної перевірки
- •2. Багатозначні міри електричних величин
- •2.1. Забезпечення безперервного контролю процесів вимірювань
- •2.2. Аналіз можливих шляхів підвищення метрологічної надійності засобів електричних вимірювань
- •2.3. Корекція похибок звт з допомогою кодокерованих мір
- •2.4. Структурні схеми калібраторів активних та пасивних електричних величин
- •3. Міри е.Р.С., напруги та струму
- •3.1. Міри електрорушійної сили та напруги
- •3.2. Міри напруги на основі стабілітронів
- •3.3. Джерела опорної напруги на основі ширини забороненої зони напівпровідника
- •3.4. Перспективні напрямки розвитку джерел опорної напруги
- •4. ПрецИзійні масштабні вимірювальні перетворювачі
- •4.1. Вимоги до масштабних перетворювачів
- •4.2. Способи коригування випадкових похибок масштабних перетворювачів
- •4.3. Підсилювачі з мдм–перетворенням
- •4.4. Корекція випадкових похибок в підсилювачах з періодичною корекцією дрейфу
- •4.5. Широкосмугові двоканальні підсилювачі
- •4.6. Пристрої гальванічного розділення
- •5. Прецизійні генератори синусоїдної напруги
- •5.1. Методи побудови генераторів та їх основні характеристики
- •5.2. Низькочастотні rс-генератори
- •5.3. Способи стабілізації амплітуди коливань
- •5.4. Високочастотні lc-генератори
- •5.5 Стабілізація частоти генераторів
- •6. Функціональні генератори
- •6.1. Методи побудови, основні технічні характеристики
- •6.2. Помножувачі ємності
- •6.3. Перетворювачі трикутник–синус
- •6.1. Методи побудови, основні технічні характеристики
- •6.2. Помножувачі ємності
- •6.3. Перетворювачі трикутник–синус
- •7. Комутаційні елементи
- •7.1. Заступна схема комутаційних елементів
- •7.2. Електромеханічні комутаційні елементи
- •7.3. Комутаційні елементи на біполярних транзисторах
- •7.4. Комутаційні елементи на польових транзисторах
- •7.5. Оптоелектронні ключі
- •8. Кодокеровані подільники напруги та струму
- •8.1. Резистивні ккп
- •8.2. Ккп з широтно–імпульсною модуляцією (шім)
- •8.3. Ккп на базі магнітних компараторів постійного струму
- •8.4. Індуктивні ккп
- •9. Методи побудови калібраторів постійного струму і напруги постійного струму
- •9.1. Принципи побудови калібраторів
- •9.2. Калібратори на базі магнітних компараторів постійного струму
- •9.3. Калібратори на базі індуктивних подільників напруги
- •9.4. Калібратори на основі подільників з шім-перетворенням
- •9.5. Розширення границь відтворення напруг постійного струму
- •9.6. Розширення границь відтворення постійного струму
- •9.7. Структури серійних калібраторів напруги постійного струму та постійного струму
- •9.8. Характеристики серійних калібраторів постійної напруги і струму
- •10. Калібратори змінних напруги та струму
- •10.1. Функціональна схема калібраторів змінних напруг і струму
- •10.2. Система автоматичного регулювання амплітуди гоч
- •10.3. Стабілізація частоти методом синтезу частот
- •10.4. Вдосконалення підсилювачів високої напруги
- •11. Багатозначні кодокеровані міри опору
- •11.1. Особливості вимірювання та відтворення електричного опору
- •Значення вимірювальних струмів та напруг для різних значень відтворювальних опорів
- •11.2. Традиційні міри електричного опору
- •11.3. Кодокеровані магазини опору
- •11.4. Кодокеровані магазини провідності
- •12. Імітатори електричного опору
- •12.1. Методи імітації електричного опору
- •12.2. Низькоомні імітатори опору
- •12.3. Середньоомні імітатори опору. Автоматизований вибір піддіапазонів відтворення
- •12.4. Кодокеровані високоомні міри
- •13. Дистанційне передавання значень електричного опору
- •13.1. Підвищення метрологічної надійності резистивних вимірювальних каналів
- •13.2. Чотирипровідні кодокеровані імітатори опору
- •13.3. Кодокеровані імітатори активного електричного опору
- •13.4. Аналіз частотних властивостей імітаторів активного опору
- •13.5. Коригування похибок кодокерованих мір для дистанційного передавання значень опору
- •14. Методи побудови кодокерованих мір імпедансу
- •14.1. Трансформаторні міри імпедансу
- •14.2. Коригування похибок трансформаторних мір імпедансу
- •14.3. Активні імітатори імпедансу
- •14.4. Міри реактивності на потенційно-стійких елементах
- •14.5. Міри кодокерованих реактивностей із втратами
- •15. Кодокеровані Міри індуктивності
- •15.1. Міри індуктивності і взаємоіндуктивності (однозначні та з ручним управлінням)
- •15.2. Вимоги до кодокерованих мір індуктивності
- •Параметри кодокерованої міри індуктивності
- •15.3. Аналіз традиційних шляхів реалізації кодокерованих мір індуктивності
- •15.4. Обґрунтування методу побудови кодокерованих мір індуктивності
- •15.5. Особливості побудови широкодіапазонних кодокерованих мір індуктивності
- •15.6. Аналіз похибок кодокерованих мір індуктивності
- •16. Кодокеровані міри ємності
- •16.1. Однозначні та багатозначні з ручним керуванням міри ємності
- •16.2. Кодокеровані міри ємності
- •16.3. Помножувачі ємності
- •Для вхідного вузла схеми запишемо два рівняння Кірхгофа
- •16.4. Розширення діапазонів відтворення кодокерованих мір ємності
- •17. Модуль інтелектуального інтерфейсу перетворювачів
- •17.1. Основна мета впровадження стандарту ieee–p1451
- •17.2. Коротка історія виникнення інтелектуального інтерфейсу
- •17.3. Ключові технічні особливості
- •17.4. Модуль інтелектуального інтерфейсу
- •17.5. Сторінки електронних даних перетворювачів
- •17.6. Цифровий Інтерфейс
- •17.7. Функції дій “Plug and Play”
- •17.8. Шифрування фізичних одиниць в інтерфейсі іеее-1451.2
- •Шифрування фізичних одиниць в інтерфейсі іеее-1451.2
- •Канал седп
- •Перелік посилань
- •Навчальне видання
- •Автоматизовані засоби метрологічного забезпечення
3. Міри е.Р.С., напруги та струму
3.1. Міри електрорушійної сили
3.2. Міри напруги на основі стабілітронів
3.3. Джерела опорної напруги на основі ширини забороненої зони напівпровідника
3.4. Перспективні напрямки розвитку джерел опорної напруги
3.1. Міри електрорушійної сили та напруги
Мірою електрорушійної сили є нормальний елемент (НЕ) - гальванічний елемент з точно відомою та стабільною в часі ЕРС [2, 26]. Електролітом елементу служить водяний розчин сульфату кадмію 3, додатнім електродом - ртуть 5 і сульфат закису ртуті 4, а від'ємним - амальгама кадмію (розчин кадмію ртуті) 1 у двофазовому (твердому та рідкому) стані (рис.3.1). Нормальні елементи виготовляють як Н-подібної (рис 3.1,а і б) так і циліндричної форми (рис 3.1,в).
Р
ис.
3.1. Структура нормальних елементів
В залежності від стану електроліту нормальні елементи бувають насиченими та ненасиченими. У всьому робочому діапазоні температур в електроліті насичених елементів (рис.3.1.а) кристали 2 сульфату кадмію знаходяться в залишковому стані, а в ненасичених елементах (рис.3.1.б і в) - електроліт ненасичений, а між амальгамою кадмію, як між сульфатом закису ртуті встановлені захисні коркові або пластмасові кільця, обтягнені шовковою тканиною. Балон НЕ розташований у тепловирівнювальному пластмасовому або металевому корпусі, який одночасно захищає від механічних пошкоджень. Нормальні елементи не допускають трясок, вібрацій, ударних навантажень, після яких в них виникають незворотні зміни ЕРС.
Основні технічні та метрологічні характеристики НЕ нормуються міждержавним стандартом ГОСТ 1954-89 “Меры электродвижущей силы. Общие технические условия» (табл. 3.1.).
ЕРС насичених НЕ при температурі відмінній від 20 0С визначається за формулою
де Et, Е20 - ЕРС відповідно при температурі t та +20°C.
Слід зауважити, що Е20 для окремих елементів можуть бути дещо різними
Таблиця 3.1
Основні технічні та метрологічні характеристики НЕ
Тип НЕ |
Клас точності |
Значення ЕРС при 20°С, В |
Відхилення ЕРС за 1 рік, мкВ, не більше |
Насичений |
0,0002 0,0005 0,001 0,002 0,005 |
від 1,018590 до 1,0180700
|
±2 ±5 ±10 ±20 ±50 |
Ненасичений |
0,002 0,005 0,01 0,02 |
від 1,0190000 до 1,0190600 |
±20 ±50 ±100 ±200 |
(технологічний розкид). Їх значення визначають при випуску НЕ і вказують в паспорті. Температурна нестабільність нормальних елементів з насиченим розчином сульфату кадмію складає приблизно 40 мкВ/К, а ненасичених елементів дещо менша і не перевищує 5 мкВ/К в діапазоні температур від +10 до 40 °С та 10 мкВ/К - в діапазоні від +5 до +10 °С і від +40 до 50 °С.
Для НЕ, розміщених в активному термостаті відпадає необхідність у визначенні значення його ЕРС при зміні робочих температур.
Відтворюваність ЕРС ненасичених елементів дещо гірша порівняно із насиченими, але через менше значення температурного коефіцієнту ЕРС виключається необхідність розрахунку її значення відповідно до температури довкілля.
Основною метрологічною характеристикою НЕ є показник класу точності, що встановлює межі допустимих відхилень ЕРС нормального елемента за 1 рік. Для забезпечення нормальної роботи НЕ, крім уникнення трясок, вібрацій, ударів, нормальні елементи не повинні перевантажуватись струмами понад 0,1...1 мкА для насичених та 1...5 мкА для ненасичених елементів.
На ВАТ “Мікроприлад” (м. Львів) виготовляють одні з найкращих у Європі нормальні елементи. Так, ненасичені елементи типів Х485 та Х4810 мають клас точності 0,01 та 0,005; їх ЕРС - в межах 1,01880...1,01896 В; температурний коефіцієнт ЕРС не перевищує ±4 мкВ/К; внутрішній опір не більший за 1500 Ом; річна нестабільність ЕРС не перевищує 250 та 100 мкВ. Термостатовані насичені елементи типів Х488/1 та Х489 мають клас точності 0,001 та 0,0005; ЕРС в межах - 1,01813...1,01873 В; внутрішній опір не більший за 1000 Ом; річна нестабільність - 10 та 5 мкВ.
Основними недоліками НЕ є гістерезис, потрібно забезпечувати при експлуатації відсутність трясок, вібрацій, ударів, їх потрібно витримувати тільки у вертикальному положенні, не можна транспортувати при температурах нижчих +10 °С або вищих +35 °С (або тільки в активних термостатах). При різких змінах температури та тиску виникає гістерезис. Тому сучасні прецизійні НЕ виготовляються разом із термостатами.
Перспективними мірами напруги, позбавленими експлуатаційних недоліків нормальних елементів при задовільній стабільності напруги, є напівпровідникові стабілітрони та транзисторні міри напруги.
