6.Пробой p-n-перехода.Виды пробоев

При значит ↑ U_обр возн-ет быстр рост I_обр(А). Это явл-е наз-ся пробоем ЭДП. Различают тепловой и эл пробой, а эл пробой разд на лавинный и туннельный.

Тепл пробой возн-ет за счет интенсивн термогенер-ации носителей в p-n - перех при недопуст ↑ t. Про- цесс развивается лавинообразно, т.к. ↑ числа носителей заряда за счет ↑ t вызывает рост I_обр и еще >разогрев участка ЭДП. Процесс заканчивается расплавлением этого участка и выходом прибора из строя(участок В-Г)

Лавинный проб обусловл лавинным размнож носи-телей в p-n - перех, в рез-те ударн ионизации атомов быстрыми носителями заряда под действием больш U_обр. Лав проб (участок АБ) возн в толстых p-n - перех где э-ны успевают разогнаться и в тоже время встретится с большим количеством атомов.

Туннельный проб хар-ся отрывом валентных э-ов от атомов п/п под действ сильного эл поля. Тун проб разв в тонких p-n - перех, где при небольш U_обр имеет место высокая направленность поля(участок АВ).

Л и Т пробои явл-ся обратными процессами.

7.Емкость p-n-перех.

Емкость p-n - перех обр так назыв барьерной и дифф емкостями.

Барьерная емк С_б хар-ся сосредоточением по обе стороны границы раздела р и n слоев объемных зар-ядов, создаваемых ионами примес. Наличие бар емк

обуславл протекание тока ч/з ЭДП при изм U на нем Величина С_б опр-ся соотношением: С_б=dQ/dU.

Вел-на С_б завис от площади р-n - перех и м/б до 10-ов и 100-тен пФ. Это физ явл, т.е. зависимость С_б отU_обр исп-ся в варикапах, прим-х в качестве конденсаторов перем емк, управл U.

Дифф емк С_диф обусл изм суммарных зарядов нерав-новесных э-ов и дырок, соотв-но в р и n обл в рез-те изм U на ЭДП. Эти заряды созд-ся за счет дифф нос-ителей ч/з ЭДП, поэтому С_диф обр при U_пр на нем. Величина С_диф завис от протек ч/з перех I_пр и может составл 100-ни и 1000-чи пФ,т.е. С_диф>>С_б Т.о. при прямом смещении ЭДП его емк опр в основном С_диф, а при обр, когда С_диф=0,-барьерной емк С_б.

8.П/п.Диоды, схема замещ, классиф, уго.

П/п.диодом наз-ся двухэлектродный прибор, осно-ву которого сост p-n-структура с р и n обл-ми раздел-ми ЭДП. При произв-ве д ,одну из обл легируют >,и она имеет > конц осн носит заряда (обычно p-обл) и обозн как р⁺. Эту обл наз-ют- эмиттером, а другую – базой.

р-n - перех с неодинаковой конц примесей наз-ся несимметричным и обозн (р⁺-n).

При расчете эл схем с п/п.д. возникает необх в уче-те всех парам-в д. С этой целью исп-ся схема замещ:

Элем схемы зам явл-ся:

С_д-емк диода

= сумм С_б и С_диф, и завис от режима работы

С_д=С_б+С_диф; R - интегр сопр перех, опр по ВАХ диода

r_б-распределенное эл сопр базы д ,его электродов и выводов. В точных расчетах учитыв-ся емк м/у выв-одами С_в, их индуктивность L_в, входн С_вх и выходн С_вых емк-ти д относ-но общей шины устр-ва.

Типы диодов:

-выпрямительные

-высокочастотные

-импульсные

-стабилитроны и стабисторы

-варикапы

-туннельные

-обращенные

-двухбазовые

-диоды Шотки

-светодиоды

-фотодиоды

УГО: -высокочаст и выпрямит.

-стабилитрон.

-варикап.

-туннельный диод.

-диод Шоттки.

-обращенный диод.

-двухбазовые.

Букв цифр маркировка д состоит из неск эл-ов:

1)Буква или цифра обозн материал:

Г или 1-Ge, К или 2-Si, А или 3-соед Ga, И или 4-In.

2)Буква обозн подкласс д.

Д - выпрям, импульсн, магнитодиоды

Ц - выпрям столбы и блоки, мосты.

С - стабилитроны и стабисторы

В - варикапы, Л - светодиоды, И - туннельные

А - СВЧ диоды.

3)Цифра обозн подкл по частоте раб и расс мощн-ти

4)5)6)Цифры и буквы обозн № разработки,а для ста-билитр и стабисторов U стабилизации и последов-ть разработки.

7)Буква опр-ая различия в параметрах

Пример: КД2102А