Вопрос 4

Рисунок 8 – замещение в узле атома германия атомом индия

Рисунок 9 - энергетическая диаграмма полупроводникового кристалла с дырочной полупроводностью

1 – зона проводимости; 2 – примесная зона; 3 – запрещенная зона; 4 – валентная зона

Благодаря близости примесных уровней к ковалентной зоне все примесные атомы оказываются ионизированными уже при незначительных температурах. В нашем случае атомы примеси, приняв электроны из валентной зоны, становятся отрицательными ионами. Ион связана с кристаллами решеткой и не движется. Таким образом, в 2/3 кристалла обеспечивается дырками. Электропроводность такого кристалла называется дырочной, а примесь, отбирающая электроны из валентной зоны –акцепторной. 3-хвалентная акцепторная примесь создает в 4-хвалентном кристалле дырочную электропроводность.