Вопрос 23

Статические характерстики транзисторов показывают функциональные связи между постоянными токами и напряжениями электродов транзистора. Для каждой схемы включения в активном режиме существует своя совокупность семейств характеристик, описывающих связь токов и напряжений в транзисторе. 4 вида характеристик описывают свойства любого 3-электродного прибора:

1) входные характеристики: ;Iвых =constилиUвых =const.

2) выходные характеристики: ;Iвх =constилиUвх =const

3) характеристики управления (хар-ки прямой передачи): ;Uвых =const

4) характеристики обратной связи (действия): ;Iвх =const

Существуют характеристики в схеме с общей базой и характеристики в схеме с общим эмиттером.

Характеристики в схеме с ОЭ

Наиболее точными и употребительными являются характеристики с схемах с ОЭ, так как в этом случае ток базы есть аргумент для входных характеристик и характеристик прямой передачи и пар-р для остальных.

На рисунке 48 представлено семейство характеристик биполярного транзистора для схемы с ОЭ:

1. семейство входных (базовых) характеристик транзистора (48а): ;Uкэ =const

2. семейство выходных (коллекторных) характеристик транзистора (48б): ;Iб =const

3. семейство характеристик прямой передачи по току (48в): ;Iкэ =const

4. семейство характеристик обратного действия (48г): ;Iб =const

рис 48 статические характеристики БТ в схеме с ОЭ. а) – входные, б) выходные, в) хар-ки управления, г) хар-ки обратного действия

Вопрос 21 часть 3

Выражения (29) и (31) устанавливают связь между токами транзистора и справедливы для любой схемы включения. Аналогичные процессы происходят в n-p-nтранзисторах.

Обратное напряжение, приложенное к коллекторному переходу значительно больше напряжения прямо включенного эмиттерного перехода, а токи в цепях эмиттера и коллектора практически равны. Поэтому мощность в нагрузке, создаваемая переменной составляющей коллекторного тока, оказывается значительно больше мощности, затрачиваемой на управление током в цепи эмиттера. Следовательно, транзистор обладает исключительными свойствами.

Инверсный режим

В инверсном режиме эмиттерный переход обратно включен, а коллекторный находится под прямым напряжением. Поэтому по сравнению с активным, в инверсном режиме инжекция носителей осуществляется коллекторным переходом, а экстракция – эмиттером. Практически эмиттер и коллектор меняются функциями и местами в схеме.

Для схемы с ОБ:

Поскольку площадь эмиттерного перехода много меньше площади коллекторного перехода и концентрация Nб<Nб, то

для схемы с ОК:

для схемы с ОЭ:

дифференциальный коэффициент передачи тока

для переменных сигналов, амплитуда которых много меньше величины питающих напряжений, связь между током коллектора и эмиттера определяется дифф-ем соотношения (29) как функции двух аргументов в предположении, что , то есть

- дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с ОБ

Вопрос 24

Полевые транзисторы иначе называют канальными илиуниполярными.

Главное достоинство полевых транзисторов – высокое входное сопротивление, которое может быть таким же как и у электронных ламп. Пластинка из полупроводника, например n-типа, имеет на концах электроды, с помощью которых она включена в управляющую цепь усилительного каскада. Вдоль этой пластины проходит ток основных носителей – электронов. Управляющая цепь транзистора образована с помощью третьего электрода, представляющего собой область с другим типом электропроводности. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение наp-nпереходе и от этого изменяется толщина объединенного слоя (штриховые линии на рисунке). Соответственно этому меняется область поперечного сечения области, сквозь которую проходит поток основных носителей заряда. Эта область называетсяканалом.

Рис 49

Основной параметр транзистора – это крутизна S:

1) ;Uси =const

2) внутреннее (выходное) сопротивление: ;Uзи =const