Вопрос 20

Биполярные транзистор – это трех-электродный полупроводниковый прибор с двумя и более взаимодействующими электронно-дырочными переходами. В транзисторе чередуется по типу электропроводности три области полупроводника: коллектор, база, эмиттер.

Рис 41 планарная n-p-n структура БТ. 1 – коллекторный переход; 2 – эмиттерный переход.

На границе эмиттерной области с базовой, а также на границе базовой области с коллекторной образуются два электронно-дырочных перехода (эмиттерный и коллекторный). Переходы оказываются взаимодействующими, если расстояние между ними, называемое шириной базы, гораздо меньше дифф-ной длины подвижных носителей заряда.

Дифф-ная длина Lpn – это расстояние, которое проходит электрон и дырка от момента появления в проводнике до момента рекомбинации.

Площадь коллекторного перехода всегда больше площади эмиттерного перехода. Область эмиттера должна обладать более высокой электропроводностью, чем база и коллектор.

В зависимости от порядка чередования областей по типу проводимости различают структуры p-n-pиn-p-n

рис 42 плоская одномерная модель и условные обозначения БТ

как элемент электрической цепи транзистор используют таким образом, что один из его электродов является входным, другой выходным; третий электрод является общим относительно входа и выхода. В зависимости от того какой электрод является общим, различают 3 схемы включения: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК).

рис 43 схемы включения БТ

Вопрос 21 часть 1

При работе транзистора к его электродам прикладывается напряжение от внешних источников питания. В зависимости от полярности напряжений, прикладываемых к электродам, каждый из p-nпереходов транзистора может быть включен в прямом или обратном направлении, то есть возможны 4 режима работы транзистора

Название перехода	Включение транзистора	Название режима работа транзистора
ЭП КП	Обратное обратное	Режим отсечки
ЭП КП	Прямое Прямое	Режим насыщения
ЭП КП	Прямое обратное	Активный режим
ЭП КП	Обратное прямое	Инверсный режим

Режим отсечки. в режиме отсечки оба перехода включены в обратном переходе (высокоомное состояние эмиттер-коллектор). В электродах транзистора протекают тепловые токи обратно включенных переходов, которые и являются статическими параметрами режима отсечки. в каждой из трех схем включения транзистора эти параметры имеют определенные величины. Их обозначения имеют вид:

1. для схемы с ОБ:

2. для схемы с ОЭ:

3. для схемы с ОК:

первый индекс в обозначении указывает электрод, в котором протекает ток; второй индекс – схему включения; третий индекс – условие в оставшейся части схемы («о» - отсутствие тока в др. электроде, то есть холостой ход; «к» - короткое замыкание в оставшейся части схемы).

Режим насыщения. В режиме насыщения обаp-nперехода включаются в прямом направлении. Переходы насыщены подвижными носителями заряда, их сопротивления малы. Участок эмиттер-коллектор имеет высокую проводимость и может считаться короткозамкнутым. Статическими параметрами являются токи насыщения в токах транзистораи остаточные напряжения.

Отношение напряжений и токов соответствующих электродов дают величины сопротивлений насыщения

;