
- •1 Электролюминисценция. Виды электролюминисценции
- •2 Принцип работы светодиодов
- •3 Фотометрические и электрические параметры светоизлучающих диодов
- •4 Характеристики светодиодов ( перечислить и пояснить)
- •5 Схема включения сид
- •6 Фотопроводимость плупроводников
- •7 Перечислите фотоэлектрические эффекты в однородных кристаллах (пояснить)
- •8 Фоторезистор. Устройство
- •9 Фоторезистор. Схема включения.
- •10 Характеристики фоторезистора
- •11 Характеристики фоторезистора
- •12 Параметры фоторезисторов
- •13 Характеристики и параметры фотодиода
- •14 Вах фотодиода
- •15 Схема включения фотодиода для работы в фотодиодном режиме
- •16 Энергетические характеристики фотодиода
- •17 Параметры фотодиодов
- •18 Принцип действия фотогальванического элемента
- •19 Схема включения фотоэлемента
- •20 Зависимость фото-эдс от светового потока
- •21 Фототранзистор. Принцип действия
- •22 Характеристики фототранзистора
- •23 Параметры фототранзистора
- •24 Фототиристор. Принцип действия
- •25 Фототиристор. Вах
- •27 Элементы оптопар; структура оптопары
- •27 Достоинства оптронов
- •28 Недостатки оптронов.
- •29 Входные и выходные параметры оптопар.
- •30 Типы оптопар
30 Типы оптопар
Рассмотрим различные типы оптопар, отличающиеся друг от друга фотоприемниками.
Применение диодных оптопар весьма разнообразно. Например, на основе диодных оптопар создаются импульсные трансформаторы, не имеющие обмоток. Оптопары используются для передачи сигналов между блоками сложной РЭА, для управления работой различных микросхем, особенно микросхем на МДП-транзисторах, у которых входной ток очень мал. Разновидность диодных оптопар – оптопары, в которых фотоприемником служит фотоварикап (рис.4.16,б).
Транзисторные оптопары (рис.4.16,в) имеют обычно в качестве излучателя арсенидно-галлиевый светодиод, а приемника излучения – биполярный кремниевый фототранзистор типа n-p-n. Основные параметры входной цепи таких оптопар аналогичны параметрам диодных оптопар. Оптопары этого типа работают главным образом в ключевом режиме и применяются в коммутаторных схемах, устройствах связи различных датчиков с измерительными блоками, в качестве реле и во многих других случаях.
Тиристорные оптопары имеют в качестве фотоприемника кремниевый фототиристор (рис.4.16,г) и применяются в ключевых режимах. Основная область использования – схемы для формирования мощных импульсов, управления мощными тиристорами, управления и коммутации различных устройств с мощными нагрузками. Параметры тиристорных оптопар – входные и выходные токи и напряжения, соответствующие включению, рабочему режиму и максимальным допустимым режимам, а также время включения и выключения, параметры изоляции между входной и выходной цепями.
Оптоэлектронные интегральные микросхемы (ОЭ ИМС) имеют оптическую связь между отдельными узлами или компонентами. В этих микросхемах, изготовляемых на основе диодных, транзисторных, тиристорных оптопар, кроме излучателей и фотоприемников содержатся еще устройства для обработки сигналов, полученных от фотоприемника. Особенность ОЭ ИМС – однонаправленная передача сигнала и отсутствие обратной связи.