Примеры решения задач

1. Дано: I_нас=1мкА (германий), I_нас=10^-8А (кремний), Т=293К, I_пр =100мА.

Найти: U_{пр Si,Ge}-?

Решение: q=1.602·10^-19; k=1.38·10^-23;

2. Дано: I_нас=25 мкА; U_пр=0,1 В; Т=300 К.

Найти: R_п, r_D-?

Решение:

Второй способ:

3. Дано: I_нас1=10^-14А;=300К(27С); I_нас2=10^-9А;

Т=398К(125С); I_пр =1мА.

Найти: U_пр1-? U_пр2-?

Решение:

U_пр1/ U_пр2=1,37.

4. Дано I_нас=2 мкА; Е=0,2 B; U_R=0,1 B; T=300 К.

Найти: R-?

Решение:

5.

Найти: U_вых-?

U_вых=15 В (вот и все решение ↓)

6. Дано: I_нас=10 мкА; Т=300К.

Найти: U_вых-?

Решение:

7. Дано: U_ст=10В; I_min=1мА; I_max=30мA; R_н=1кОм; R_б=500Ом.

Найти: E_min, E_max-?

Решение:

8. Дано: U_ст=13В; I_min=1мA=1·10^-3А; I_max=20мA=20·10^-3А; R_н=22кОм=22·10³ Ом; E_min=16B; E_max=24B.

Найти: R_б-?

Решение: R_б=631Ом.

9. Диод имеет пар-ры: R_пр=40Ом;R_обр=400кОм; С=80нФ.

Опр-ть на какой частоте емкостное сопр-е R_c=0.5R_обр и вследствие этого произойдет заметное ув-е обр. тока. Необх. изобр-ть схему тр-ра с ОБ p-n-p и n-p-n, показать полярности межэлектродных напр. и напр-я тока для актив. режима.

Для n-p-n напр-я токов противоположны.

10. Дано:

11. Дано: α=0.99; r_б=100Ом; r_э=40Ом; r_к=2Ом; R_к=5кОм.

Найти: R_вх-?, K_u-?

Решение:

K_u=121.

12.ОБ.

Дано: r_б=500 Ом; r_э=45 Ом; r_к=1МОм; R_к=2к; R₂=500 Ом.

Найти: R_вх-?, K_i-? R_вых-?, K_u-?

Решение:

13. Триггер Шмитта.

Дано: R₁ = 1кОм; R₂ = 49кОм; Uоп = 3,3В. Найти U_ср, U_отп, U_r - ?

æ =

æ = =

æ = =

14. Дано: U_кэ=10 В; U_бэ=-0,8 В;

Найти: U_кб-?

Решение: U_бэ=0,8 В;

15. Дано: ОБ; n-p-n; U_эб = - 0,5В; U_кб = 12В; Найти U_кэ -?

Решение: U_кэ = 12,5В

16. Дано: R_э=5·10³ Ом; R_к=10·10³ Ом; E_э=10В; E_к=30В; =1; I_кбо=0. Найти U_кб - ?

1: Е_э = U_бэ + I_эR_э

2: Е_к = I_кR_к + U_кб

I_к = I_э; U_бэ ≈ 0; В.

17. Дано: Е_э = 2В; R_э = 2кОм; Е_б = 3В; R_б = 15кОм; Е_к = 16В; R_к = 4кОм;  = 0,98; I_кбо = 10мкА. Найти I_к - ?

Решение: Е_э + Е_б = I_эR_э + I_бR_б; I_б = I_э·(1 - ) - I_кбо; Е_э + Е_б = I_эR_э + (I_э·(1-)-I_кбо)·R_б; I_к = I_э + I_кбо;

18. Дано:  = 50; I_кбо = 10мкА; R_б = 10кОм; E_б = 1В; R_к = 5кОм; Е_к = 20В. Найти U_кэ - ?

I_б = 0; I_к = I_б ·  + I_кбо·(+1); I_к = 10·10^-6 · (50+1) = 510 · 10^-6 А; U_кэ = Е_к – I_к·R_к = 20 – 510·10^-6 · 5·10³ = 17,45 В; I_к = I_б· + I_кбо·(+1) = 10^-4 · 50 + 10·10^-6 · 51 = 5,51·10^-3 А; U_кэ = Е_к – I_к · R_к = 20 – 5,51·10^-3 · 5·10³ = – 7,55 В.

19. Дано: r_б = 100 Ом; r_к = 1 МОм; r_э = 25 Ом. Найти R_вх, R_вых, K_u, K_i, K_p - ?

Решение: R_вх = R1 || R2 || r_вх ; r_вх = r_б + (R_э + r_э) · (_е + 1);

R_вх = R_б||r_вх; r_вх=100+(200+25)·(44,45+1) = 10,1 кОм;

.

20. СМВ на ОУ.

Дано: U_вых≥8B; f=10кГц; R_н=10кОм; Е_г=±15В; t_ф≤0,1·t_и.

Решение:

Выбираем ОУ К154УД1

U_вых.m^±=±11В;U_диф=10В; υ_Uвых=10В/мкс;I_вых.m=5мА

R_вход=250МОм;

ǽ=≤1;

æ≤U_дф/(2U_вых.m^±)=0,455=;

R2=100k; R1=R=10k; æ=== 0,091;

I_{вых m}=I_сm+I_пос+I_н= = = = 5мА;

21. НСМВ На ОУ.

Дано: R_н=10кОм;R1=11кОм;R2=100k;R3=3k;

R4=5k;R=20k;

C=0,18мкФ.

U_вых.m=10,5В;

U_диф=±10В;

R_вх.ОУ=1МОм

υ_Uвых=10В/мкс;

I_вых.m=5мА;

Определить диапазон изм-я скважности Q-?

Решение:

22. Ждущий МВ на ОУ.

Дано: U_вых≥10B;f=10кГц;

R_н=10кОм;Е_г=±15В;

t_и=20мкс;

Найти: R1, R2, R, C, t_в-?

Решение:

t_ф≤0,1t_и=0,1·20 = 2мкс

υ_Uвых≥ ==10В/мкс.

Выбираем ОУ К544УД2

U_вых.m^±=±10В; U_диф=±10В; υ_Uвых=20В/мкс; I_вых.m=5мА;

R_вх.ОУ=10МОм;

æ<<1=0,1; æ = æR1+ æR2 = R1; R1 = 11кОм; R2 =

t_в = RC ln(1+æ) = 3000·62·10^-9 ln(1+0,1) = 18,1 мкс;

Т_зап ≤ t_и + t_в ;