
- •Тема 1 – Основы физики полупроводниковых диодов
- •§1.1 Электрофизические свойства полупроводников
- •§1.2 Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
- •§1.3 Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •§1.4 Вах /вольт амперная характеристика/ p-n-перехода
- •§1.5 Ёмкость p-n-перехода
- •§1.6 Контакты металла с полупроводником
- •Тема 2 – Полупроводниковые приборы
- •§2.1 Полупроводниковые диоды
- •§2.2 Биполярные транзисторы: устройство и принцип действия
- •§2.3 Транзистор, как усилитель напряжения и мощности
- •§2.4 Эффект модуляции толщины базы
- •§2.5 Схемы включения и режимы работы транзисторов
- •§2.6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •§2.7 Полевые транзисторы с управляющим входом
- •§2.8 Основные характеристики полевого транзистора
- •§2.9 Полевые транзисторы мдп-структуры
- •§2.10 Тиристоры
- •Тема 3 – Основы микроэлектроники
- •§3.1 Основные понятия микроэлектроники
- •§3.2 Изоляция элементов в монолитных имс
- •Технология «кремний на сапфире»
- •§3.3 Элементы интегральных схем
- •Тема 4 – Усилительные устройства
- •§4.1 Основные характеристики и параметры усилителей
- •§4.2 Нелинейные искажения в усилителях
- •§4.3 Обратная связь в усилителях: классификация
- •§4.4 Влияние обратной связи на параметры усилителя
- •§4.5 Усилители на биполярных транзисторах. Выбор режима работы
- •§4.5 Стабилизация режима работы каскадов на биполярных транзисторах
- •§4.6 Дифференциальные каскады /дк/
- •§4.7 Источники тока
- •§4.8 Операционные усилители: характеристики и параметры
- •§4.9 Линейные схемы на операционных усилителях
Технология «кремний на сапфире»
Б
ерётся пластина сапфира. /Сапфир и кремний имеют одинаковую кристаллическую решётку, поэтому можно проводить эпитаксию/. Сапфир – очень хороший изолятор.
Наращивается слой Si толщиной в 10…15 мкм
Методом фотолитографии в Si травятся сквозные канавки
Недостаток – рельефность получаемой структуры.
§3.3 Элементы интегральных схем
[1] Многоэмиттерный транзистор, который является основой ТТЛ /Транзисторно-Транзисторная Логика/.
Для борьбы с паразитными горизонтальными транзисторами эмиттеры разносят на большое расстояние – то есть делают для них слишком большую базу /10…15 мкм/, и благодаря рекомбинации электронов с дырками эти транзисторы перестают работать.
- обозначение многоэмиттерного транзистора /Эмиттеры можно изображать по разные стороны от базы/
[2] Многоколлекторный транзистор, который является основой ИИЛ /Интегрально-Инжекционная Логика/.
Представляет
собой многоэмиттерный транзистор,
используемый в инверсном активном
режиме. Необходимо, чтобы степень
легирования была больше, чем у базы.
База должна контактировать сn+
для увеличения
/
инверсное/.
- обозначение многоколлекторного транзистора
[3] Транзистор с барьером Шотки, который является основой ТТЛШ.
Коллекторный переход зашунтирован диодом Шотки.
Транзистор работает в нелинейном режиме.
,где
-статический
коэффициент передачи
тока базы
-
ток базы насыщения
Переключение транзистора происходит не мгновенно,а аз время рассасывания неосновных носителей в базе. Для уменьшения времени необходимо не допускать режим насыщения. Для этого служит диод Шотки.
[4] Интегральные диоды
Вкачестве диодов используются эмиттерные
и коллекторные переходы транзисторов.
[5] Интегральные стабилитроны
Используется
эмиттерный переход транзистора /
=6В/
или следующая структура:
[6] Резисторы
Или ёмкость p-n-перехода или следующая структура:
металлизация
n+
p
n
n+
[7] ПИНЧ-резистор /сжатый/
Имеет нелинейную ВАХ. Сходство с полевым транзистором.
Тема 4 – Усилительные устройства
§4.1 Основные характеристики и параметры усилителей
В электронике усилителем называют устройство, предназначенное для увеличения мощности электрических сигналов. Увеличение мощности сигнала в усилителях происходит за счет энергии источника питания. С позиции теории электрических цепей усилитель представляет собой управляемый источник (рис.1), выходная мощность которого превышает входную.
Основные параметры усилителя:
коэффициент усиления по напряжению
коэффициент усиления по току
коэффициент усиления по мощности
входное сопротивление
выходное сопротивление
где,
UВХ – напряжение на входе усилителя;
UВЫХ – напряжение на выходе усилителя;
IВХ – входной ток усилителя;
IВЫХ – выходной ток усилителя;
PВХ – входная мощность усилителя;
PВЫХ – выходная мощность усилителя;
UВЫХ(RН=∞) – напряжение на выходе усилителя в режиме холостого хода;
UВЫХ(RН) – напряжение на выходе усилителя при заданном сопротивлении
нагрузки RН ≠ ∞;
IВЫХ(RН) – выходной ток усилителя при заданном сопротивлении нагрузки RН≠∞.
В реальных усилителях указанные параметры являются комплексными величинами и зависят от частоты f. Зависимость модуля комплексной величины от частоты называют амплитудно-частотной характеристикой. Зависимость аргумента комплексной величины от частоты называют фазочастотной характеристикой.
В усилителях наибольший интерес представляют амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики коэффициента усиления по напряжению соответственно KU(f) и φ(f). В идеальном усилителе (т.е. в усилителе, не вносящим искажения в усиливаемый сигнал) модуль коэффициента усиления по напряжению должен оставаться постоянным во всем диапазоне частот от нуля до бесконечности, а фазочастотная характеристика должна иметь вид прямой линии (рис. 2). В реальных усилителях диапазон рабочих частот ограничен сверху или снизу.
В зависимости от вида амплитудно-частотной характеристики (рис. 3) различают:
усилители постоянного тока (УПТ)
усилители переменного тока
избирательные усилители
Диапазон рабочих частот (полоса пропускания) усилителя постоянного тока простирается от 0 до fB, на которой коэффициент усиления уменьшается в √2 раз по сравнению с коэффициентом усиления в области средних частот:
Частоту fВ называют верхней граничной частотой усилителя.
В усилителях переменного тока полоса пропускания ограничена как сверху, так и снизу. Частоту fВ, на которой KU(fН)=0,707 KU(fCP), называют нижней граничной частотой усилителя.
|
Усилитель постоянного тока. Полоса пропускания ограничена. |
|
Усилитель переменного тока. Полоса пропускания ограничена как сверху, так и снизу. |
|
Избирательный усилитель. Усиливает в узкой полосе частот. |
Рис. 3. Амплитудно-частотные характеристики усилителей
Избирательные усилители усиливают сигналы лишь в узкой полосе частот, что достигается с помощью RC- или LC-цепей. В последнем случае избирательные усилители называют резонансными.
Вследствие неидеальности амплитудно-частотной характеристики амплитудные соотношения спектральных составляющих сигнала на выходе и входе усилителя будут отличаться. Изменения формы негармонического сигнала, вызванные этой причиной, называют частотными искажениями.
Неидеальность (нелинейность) фазочастотной характеристики приводит к изменению фазовых соотношений спектральных составляющих в выходном сигнале усилителя. Вызываемые этой причиной изменение формы негармонического колебания называют фазовыми искажениями.
Для частотных и фазовых искажений используют также обобщающий термин - линейные искажения, поскольку они присущи линейным цепям, содержащим реактивные элементы. Отметим, что линейные искажения изменяют амплитудные и фазовые соотношения спектральных составляющих сигнала, но не изменяют спектральный состав сигнала. Линейные искажения приводят к изменению формы сложных сигналов, но не изменяют форму гармонического колебания.
Для
оценки линейных искажений, возникающих
при передачи импульсных сигналов,
используетсяпереходная
характеристика усилителя.
Переходная характеристика в идеальном усилителе.
tн– время нарастания;
tз– время задержки;
- амплитуда выброса.
В реальных усилителях переходная характеристика имеет апериодический или колебательный характер.