Вверх полупроводники

Bordovsky-2.pdf – Бордовский Г.А. "Новые полупроводниковые материалы с позиционной неупорядоченностью кристаллической решетки"

СОЖ 1996 №4.

Изложены сведения о кристаллохимических свойствах тройных соединений в системе PbO-Bi₂O₃. Разъясняется понятие позиционной неупорядоченности кристаллов, описываются методы исследования процессов фазообразования на примере процесса синтеза и фазового перехода в Pb₂Bi₆O₁₁.

Brandt-3.pdf – Брандт Н.Б. "Новый класс фотопроводящих радиационностойких полупроводниковых материалов" СОЖ 1997 №4

Фотопроводимость - одно из очень интересных физических явлений. Это явление широко используется в различных областях человеческой деятельности. В статье рассказывается о новом классе полупроводниковых материалов, обладающих исключительно высокой фоточувствительностью в инфракрасной области электромагнитного излучения.

Bednyi.pdf – Бедный Б.И. "Электронные ловушки на поверхности полупроводников" СОЖ 1998 №7

На свободной поверхности и границах раздела полупроводников возникают локализованные электронные состояния - ловушки электронов и дырок. Поверхностные ловушки существенно изменяют электрические и оптические свойства полупроводников. Рассмотрены некоторые физические эффекты, связанные с захватом носителей заряда на поверхность и влияющие на характеристики полупроводниковых приборов.

Kashkarov-1.pdf – Кашкаров П.К. "Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах" СОЖ 1999 №1

Рассмотрены общие вопросы физики точечных дефектов в неметаллических кристаллах. Анализируются возможные типы дефектов и их проявление в электронных процессах. Обсуждаются механизмы образования точечных дефектов при тепловом и радиационном возбуждениях кристалла.

Georgobiani-2.pdf – Георгобиани А.Н. "Электролюминесценция полупроводников и полупроводниковых структур" СОЖ 2000 №3

Явление электролюминесценции широкозонных полупроводников, в котором энергия электрического поля преобразуется в свет, используется в различных приборах полупроводниковой оптоэлектроники. Рассмотрены различные физические процессы, приводящие к этому преобразованию, и принципиальные структуры электролюминесцентных источников света.

Gershenzon-3.pdf – Гершензон Е.М. "Циклотронный резонанс в полупроводниках" СОЖ 2000 №10

Явление циклотронного резонанса (ЦР) заключается в резонансном поглощении свободными носителями заряда электромагнитного излучения в присутствии постоянного магнитного поля. ЦР нашел широкое применение для определения зонной структуры, изучения процессов рассеяния и рекомбинации в полупроводниках.

Aguekyan.pdf – Агекян В.Ф. "Фотолюминесценция полупроводниковых кристаллов" СОЖ 2000 №10

Кратко описана система электронных уровней полупроводниковых кристаллов и на ее основе изложены сведения об их низкотемпературной фотолюминесценции. Рассмотрены механизмы излучательной релаксации созданных оптическим возбуждением электронов и дырок (свободные экситоны, экситонно-примесные комплексы, донорно-акцепторные пары), а также специфические механизмы, возникающие при высоких концентрациях электронов и дырок.

Bordovsky.pdf – Бордовский Г.А. "Рентгенопроводимость высокоомных полупроводников" СОЖ 2001 №3

Рассмотрены принципиальные различия внутреннего фотоэффекта в полупроводниках и диэлектриках при облучении видимым и рентгеновским излучением. Описаны трудности при измерении рентгенопроводимости твердых тел и ее интерпретации. Даны представления о возможностях теоретического анализа рентгеноэлектрических свойств сложных соединений. Приведены экспериментальные данные о рентгенопроводимости висмутатов свинца, перспективных для практического использования в полупроводниковой технике.

Il'in-1.pdf – Ильин В.И. "Квазиэлектрические поля в полупроводниках и полупроводниковых структурах" СОЖ 2001 №11

Поясняется природа внутреннего электрического и квазиэлектрических полей в варизонных полупроводниках и гетероструктурах. Показаны возможности совершенствования и создания новых полупроводниковых электронных приборов. Дана классификация полупроводников и структур с изменяющимся по координате химическим составом.

Aguekian-2.pdf – Агекян В.Ф. " Полупроводники с сильными магнитными свойствами " СОЖ 2004 №2

Введение в полупроводниковый кристалл атомов группы железа приводит к сильному изменению магнитных свойств кристалла. Магнитные моменты этих атомов могут выстраиваться в направлении внешнего магнитного поля и многократно усиливать внутреннее поле в кристалле. В таких полупроводниках наблюдаются образование антиферромагнитных пар и кластеров магнитных ионов, гигантское магнитное расщепление электронных уровней энергии, магнитная локализация электронов проводимости.