Вверх вверх микроэлектроника. Физическая электроника

Sigov-1.pdf – Сигов А.С. "Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике" СОЖ 1996 №10

На примере сегнетоэлектрических пленок рассмотрены удивительные свойства так называемых умных диэлектриков. Показана возможность включения таких пленок в современные технологии полупроводниковой микроэлектроники, что открывает широкие возможности создания новых видов устройств хранения и обработки информации.

Trubetskov-2.pdf – Трубецков Д.И. "Вакуумная микроэлектроника"

СОЖ 1997 №4

Каковы истоки и особенности нового научного направления в физической электронике? Почему автоэлектронная эмиссия столь важна в ВМЭ? Как сделать приборы и компоненты, имеющие микронные геометрические размеры (с нанометрическими допусками на эти размеры)? Зачем нужна ВМЭ? Ответы на поставленные вопросы и дает данная статья.

Zolotukhin.pdf – Золотухин И.В. "Углеродные нанотрубки" СОЖ 1999 №3

Представлен краткий обзор по структуре и свойствам новой формы углерода - нанотрубкам. Рассмотрено использование углеродных нанотрубок в микроэлектронике, научных исследованиях и технике.

Kozyrev-1.pdf – Козырев А.Б. " Эффект быстрого переключения сверхпроводниковых пленок и возможности его использования в СВЧ-микроэлектронике " СОЖ 2004 №1

Рассмотрены механизмы разрушения сверхпроводящего состояния пленок под действием импульсного тока. Показано, что эффект изменения электродинамических свойств пленок при переключении их из сверхпроводящего (S) в нормальное (N) состояние может служить основой создания нового класса быстродействующих управляющих и защитных устройств СВЧ-электроники – так называемых S-N-устройств.

Вверх вверх нанотехнологии. Квантовые объекты

―НАНОТЕХНОЛОГИИ, НАНОЭЛЕКТРОНИКА

Borisenko.pdf – Борисенко В.Е. "Наноэлектроника - основа информационных систем XXI века" СОЖ 1997 №5

Обсуждаются научные предпосылки становления нового направления в современной электронике - наноэлектроники, его основные достижения и перспективы использования для создания новых поколений информационных систем.

Belyavskii-2.pdf – Белявский В.И. "Физические основы полупроводни-ковой нанотехнологии" СОЖ 1998 №10

Кратко рассмотрены два основных способа получения полупроводнико-вых гетероструктур: метод молекулярно-лучевой эпитаксии и метод осаждения пленок из металлоорганических соединений. Изложены общие представления о физических явлениях, определяющих процесс роста гетероструктуры и качество гетерограниц.

Openov.pdf – Опёнов Л.А. "Спиновые логические вентили на основе квантовых точек" СОЖ 2000 №3

Современная вычислительная техника, основанная на микроэлектронике, приближается к пределу своих возможностей. Большинство специалистов по компьютерам об этом даже не догадываются, а физики уже вовсю работают в этом направлении. В статье рассказывается об одном из возможных путей создания логических элементов на атомном уровне.

Malygin-1.pdf – Малыгин А.А. " Химия поверхности и нанотехнология: взаимосвязь и перспективы " СОЖ 2004 №1

Рассмотрены современные представления о роли поверхности твердых тел в создании наноструктурированных материалов с заданными свойствами. Приведены экспериментальные данные, свидетельствующие о перспективности использования поверхности твердых тел для закрепления и стабилизации наноструктур и их влиянии на свойства различных материалов.

―КВАНТОВЫЕ ЯМЫ, НИТИ, ТОЧКИ

Demikhovskii.pdf – Демиховский В.Я. "Квантовые ямы, нити, точки. Что это такое?" СОЖ 1997 №5

Движение электронов в микроскопических полупроводниковых структурах подчиняется законам квантовой механики. Эти структуры - квантовые ямы, нити, точки - должны стать основой нового поколения электронных и оптоэлектронных приборов.

Shik.pdf – Шик А.Я. "Квантовые нити" СОЖ 1997 №5

Квантовые нити представляют собой полупроводниковые структуры, в которых движение носителей в двух направлениях резко ограничено, так что его энергия носит квантованный характер. Показано, что при отсутствии рассеяния носителей проводимость нитей зависит ступенчатым образом от концентрации носителей в нити. Обсуждаются возможности практического изготовления квантовых нитей и перспективы их приборного применения.

Kulbachinskii.pdf – Кульбачинский В.А. "Полупроводниковые квантовые точки" СОЖ 2001 №4

Рассмотрены методы формирования полупроводниковых квантовых точек, представляющих собой структуры, состоящие из 103-105 атомов, в которых, как в атомах, имеются состояния электронов с определенной энергией. Обсуждаются возможности их практического применения в электронных приборах: лазерах, одноэлектронных транзисторах, элементах памяти наноразмеров.

Karpovich.pdf – Карпович И.А. "Квантовая инженерия: самоорганизованные квантовые точки" СОЖ 2001 №11

Самоорганизованные квантовые точки - новый объект наноэлектроники, привлекающий большое внимание физиков, инженеров, технологов и разработчиков оптоэлектронных приборов. Рассмотрены вопросы получения, исследования и применения гетероструктур с cамоорганизованными квантовыми точками.

―ДРУГИЕ НАНОСТРУКТУРЫ

Belyavskii-1.pdf – Белявский В.И. "Экситоны в низкоразмерных системах" СОЖ 1997 №5

Кратко рассмотрены экситоны в полупроводниковых наноструктурах как системах пониженной размерности.

Zolotukhin.pdf – Золотухин И.В. "Углеродные нанотрубки" СОЖ 1999 №3

Представлен краткий обзор по структуре и свойствам новой формы углерода - нанотрубкам. Рассмотрено использование углеродных нанотрубок в микроэлектронике, научных исследованиях и технике.

Ezhovskii.pdf – Ежовский Ю.К. "Поверхностные наноструктуры - перспективы синтеза и использования" СОЖ 2000 №1

Поверхностные наноструктуры являются объектом пристального внимания ученых благодаря их уникальным свойствам. Рассмотрены наиболее яркие примеры таких структур, современные способы их получения и использования.

Dneprovskii.pdf – Днепровский В.С. "Экситоны перестают быть экзотическими квазичастицами" СОЖ 2000 №8

Увеличение энергии связи и силы осциллятора экситонов в наноструктурах и усиление кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой, образующими экситон, в наноструктурах полупроводник-диэлектрик позволяют создавать работающие при комнатной температуре приборы, действие которых основано на физических процессах, определяемых экситонными состояниями.

Seisyan.pdf – Сейсян Р.П. "Экситон в низкоразмерных гетеросистемах"

СОЖ 2001 №4

Рассмотрено поведение экситонов в низкоразмерных гетеросистемах: квантовых ямах, квантовых проволоках и квантовых точках, а также в сверхрешетках и более сложных гетеросистемах, в частности в сверхструктурах с надбарьерной брэгговской локализацией электронов. Исследуются особенности энергетического спектра электронов и дырок и их плотности состояний, образование экситонных состояний, увеличение силы осциллятора, энергии связи и стабилизация экситонов с понижением размерности системы.

Romanovsky-1.pdf – Романовский Б.В., Макшина Е.В. " Нанокомпозиты как функциональные материалы " СОЖ 2004 №2

Одним из способов получения многофункциональных нанокомпозитов является матричная изоляция ультрадисперсных частиц металлов и оксидов в пористых твердых телах. В статье рассмотрены методы in situ синтеза таких наночастиц в каналах и полостях микро- и мезопористых молекулярных сит из полиядерных металлокомплексах, а также свойства полученных материалов.