1.13.3 Трансформаторні ккп

Для одержання більшої потужності з високим ККД підсилювача застосовують двотактні вихідні каскади, що працюють в режимі класу В. Принципова схема двотактного підсилювача зі СЕ в класі В наведена на рис. 1.58, а графіки, які пояснюють фізичні процеси у підсилювачі, наведені на рис. 1.59. Як бачимо зі схеми, живлення транзисторів паралельне, а вихідний сигнал через транзистори проходить послідовно. Двотактні вихідні каскади в класі В будують також за схемами зі СБ та СК, але рідко.

В режимі спокою на бази обох транзисторів з подільника і від джерела живлення подається невелика напруга зміщення , яка визначає струм бази (рис. 1.58,а). При цьому початкове положення робочої точки р знаходиться на перетині статичної характеристики , з динамічною характеристикою (рис. 1.59,б) і справжнього режиму класу В в схемі не існує. Проте суттєво зменшуються нелінійні спотворен­ня, тому що виключається дія початкової ділянки вхідної характеристики, яка відзначається великою нелінійністю.

Рисунок 1.58 – Принципова схема двотактного підсилювача за схемою зі СЕ в класі В

Рисунок 1.59 – вибір положення робочої точки ККР

Схема може працювати і без початкового зміщення в чистому режимі класу В . В цьому випадку в колекторному колі тече тільки некерований струм і точка спокою знаходиться на перетині статичної характеристики при з динамічною (точка р′). При цьому ККД в режимі повного збудження, коли максимальний, проте і нелінійні спотворення великі.

З вторинної обмотки трансформатора ТV1 передостаннього каскаду з вихідним опором на бази транзисторів VT1 і VT2 надходять симетричні напруги , зсунуті за фазою на 180°. Тому транзистори пропускають струми по черзі, по півперіодах (із зсувом на 180°), як це видно з діаграм колекторних струмів та побудованих для колекторних кіл транзисторів. Форма одного з колекторних струмів показана на рис. 1.59,в.

Завдяки наявності магнітного зв'язку між обома половинами первинної обмотки ТV2 форма напруги на колекторах транзисторів і і наскрізний струм обмотки i₁ синусоїдні, проте колекторні струми окремих транзисторів та мають вигляд імпульсів. Дійсно, при зміні миттєвого значення колекторного струму будь-якого з транзисторів з'являються ЕРС на обох половинах первинної обмотки трансформатора, з тією лише різницею, що на одній півобмотці виникає ЕРС самоіндукції, а на іншій – ЕРС взаємоіндукції.

В якості драйвера може використовуватися каскад з розділеним навантаженням (рис. 1.60).

Рисунок 1.60 – Каскад з розділеним навантаженням

Можна показати, що при

Незважаючи на такі якості, як простота і малі частотні та нелінійні спотворення, каскад з розділеним навантаженням знаходить обмежене застосування через мале значення і різні , що призводить до несиметричності АЧХ виходів в областях ВЧ і НЧ.

1.13.4 Безтрансформаторні двотактні вихідні каскади на транзисторах з різним типом провідності

Розвиток технології і виробництва напівпровідникових приладів привів до створення потужних біполярних транзисторів різного типу провідності і МДН-транзисторів з каналами різного типу. Тому при побудові вихідних підсилювачів потужності все більшого поширення набувають безтрансформаторні схеми, в яких транзистори працюють в режимах класу В і АВ. Це, по-перше, дозволяє спростити схеми підсилювачів і, по-друге, виключити з них трансформатори, які мають великі габарити і погано піддаються мініатюризації методами сучасної технології. Найпростіша схема безтрансформаторного вихідного підсилювача потужності на біполярних транзисторах різного типу провідності (комплементарних транзисторах) наведена на рис. 1.61.

Рисунок 1.63 – Схема безтрансформаторного вихідного підсилювача потужності на біполярних транзисторах різного типу провідності

В основі схеми лежить пара двополюсників, кожний з яких складається з послідовно з'єднаних транзистора і джерела живлення, приєднаних до загального навантаження. Ці двополюсники прийнято називати плечима двотактного підсилювача. Емітерні переходи, тран-зисторів VТ1 і VТ2 ввімкнені паралельно і на їхні входи подається керуюча напруга .

Оскільки в базових колах транзисторів відсутнє джерело зміщення, в каскаді реалізується режим підсилення класу В. В кожний півперіод вхідної напруги струм навантаження формується своїм плечем підсилювача, тобто полярність напруг джерел живлення пліч підсилювача різна, і в навантаженні тече змінний струм.

Припустимо, що на вході підсилювача діє синусоїдальна напруга з періодом Т і він працює на чисто активне навантаження . Амплітуда вихідної напруги дорівнює , – відносна амплітуда вихідної напруги підсилювача, . Тоді потужність, яка виділяється в навантаженні,

Для визначення потужності, яка споживається підсилювачем, знайдемо середнє значення струму споживання

Тоді ККД підсилювача дорівнюватиме

Максимальне значення ККД відповідає випадку і дорівнює 0,785.

Використовуючи вирази (1.88) і (1.90), запишемо вирази для потужностей споживання і розсіювання в транзисторі як функції параметру

Залежності потужностей , і від параметру показані на рис.1.62.

З одержаних виразів випливає, що зі збільшенням амплітуди вихідного сигналу ККД підсилювача монотонно зростає. При цьому існує режим, в якому потужність, яка розсіюється в транзисторі, максимальна. Це значення відповідає відносній амплітуді вихідної напруги підсилювача .

Слід зазначити, що в реальних підсилювачах значення відносної амплітуди вихідного сигналу завжди менше одиниці. Тому величину слід вважати теоретичною границею для такого типу підсилювачів.

Рисунок 1.62 – Залежності потужностей , і від параметру