Задание на лабораторную работу.
С помощью программы MICROWIND спроектировать в заданном технологическом базисе топологию n – и p – канальных МДП – транзисторов. Определить для спроектированных транзисторов ток насыщения и рассчитать крутизну. Номер варианта задания в таблице 3 соответствует номеру в списке группы.
Таблица 3. Варианты заданий для проектирования.
№п/п |
Технологический базис |
n – МДПТ |
р – МДПТ |
|||||
K0, мкА/В2 |
Wп, λ |
Lп, λ
|
K0, мкА/В2 |
Wр, λ |
Lр, λ |
|||
1 |
ES2 0.7mkm-2Metal, UИП=5В |
135 |
4 |
10 |
47 |
7 |
4 |
|
2 |
ES2 0.7mkm-2Metal, UИП=5В |
135 |
5 |
9 |
47 |
8 |
2 |
|
3 |
ES2 0.7mkm-2Metal, UИП=5В |
135 |
6 |
11 |
47 |
10 |
10 |
|
4 |
AMS0.6mkm-2Metal, UИП=5В |
140 |
7 |
7 |
42 |
6 |
5 |
|
5 |
AMS0.6mkm-2Metal, UИП=5В |
140 |
5 |
9 |
42 |
9 |
2 |
|
6 |
AMS0.6mkm-2Metal, UИП=5В |
140 |
11 |
3 |
42 |
8 |
8 |
|
7 |
AMS0.8mkm-2Metal, UИП=5В |
110 |
5 |
10 |
36 |
5 |
7 |
|
8 |
AMS0.8mkm-2Metal, UИП=5В |
110 |
6 |
10 |
36 |
6 |
8 |
|
9 |
AMS0.8mkm-2Metal, UИП=5В |
110 |
9 |
7 |
36 |
11 |
12 |
|
10 |
AMS1.2mkm CMOS, UИП=5В |
80 |
4 |
9 |
25 |
7 |
7 |
|
11 |
AMS1.2mkm CMOS, UИП=5В |
80 |
10 |
5 |
25 |
9 |
7 |
|
12 |
AMS1.2mkm CMOS, UИП=5В |
80 |
12 |
10 |
25 |
11 |
9 |
|
13 |
CMOS0.25mkm-5Metal, UИП=2.5В |
250 |
6 |
8 |
70 |
9 |
8 |
|
14 |
CMOS0.25mkm-5Metal, UИП=2.5В |
250 |
4 |
10 |
70 |
6 |
2 |
|
15 |
CMOS0.25mkm-5Metal, UИП=2.5В |
250 |
6 |
10 |
70 |
6 |
9 |
|
16 |
CMOS0.35mkm-5Metal, UИП=3.5В |
200 |
10 |
9 |
52 |
6 |
11 |
|
17 |
CMOS0.35mkm-5Metal, UИП=3.5В |
200 |
10 |
4 |
52 |
9 |
5 |
|
18 |
CMOS0.35mkm-5Metal, UИП=3.5В |
200 |
5 |
5 |
52 |
7 |
4 |
|
19 |
ES2 0.7mkm-2Metal, UИП=5В |
135 |
10 |
10 |
47 |
6 |
10 |
|
20 |
ES2 0.7mkm-2Metal, UИП=5В |
135 |
8 |
4 |
47 |
5 |
7 |
|
21 |
ES2 0.7mkm-2Metal, UИП=5В |
135 |
8 |
5 |
47 |
6 |
11 |
|
22 |
AMS0.6mkm-2Metal, UИП=5В |
140 |
11 |
8 |
42 |
6 |
8 |
|
23 |
AMS0.6mkm-2Metal, UИП=5В |
140 |
6 |
7 |
42 |
5 |
7 |
|
24 |
AMS0.6mkm-2Metal, UИП=5В |
140 |
7 |
4 |
42 |
7 |
4 |
|