Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЭлМи ЛР №3 Биполярные транзисторы 2.doc
Скачиваний:
4
Добавлен:
16.11.2019
Размер:
153.09 Кб
Скачать

2.1 Исследование входных характеристик транзистора.

Для получения входных характеристик в WorkBench собрать схему рисунок 6. Тип транзистора выбрать по номеру в журнале приложение 1. В зависимости от типа проводимости транзистора правильно подать полярность источников напряжения и тока.

Снять входные статические характеристики транзистора. Для этого изменять ток источника Iб в диапазоне от 1 μА до 10 мА с переменным шагом в последовательности 1, 2, 5, 10, 20, 50 и так далее. По показаниям амперметра Iб и вольтметра Uбэ составить таблицу с результатами эксперимента. Опыт повторить два раза. Первый раз установить значение источника Uкэ=0 В, а второй раз Uкэ=10 В.

На общем рисунке построить графики входных статических характеристик транзистора как зависимость Iб=f1(Uбэ) при Uкэ =const.

По входным характеристикам транзистора для средней части графика определить параметры h11 и h12.

2.2 Исследование выходных характеристик транзистора.

Для получения выходных характеристик в WorkBench собрать схему рисунок 7. Тип транзистора выбрать по номеру в журнале приложение 1. В зависимости от типа проводимости транзистора правильно подать полярность источников напряжения и тока.

Снять выходные статические характеристики транзистора. Для этого повторить эксперимент несколько раз. Каждый эксперимент проводить при постоянном значении тока Iб. Значения Iб принять из ряда 0 μА, 50 μА, 100 μА, 200 μА, 500 μА. В ходе одного эксперимента при постоянном значении тока базы менять напряжение источника Uкэ в диапазоне от 0,1 до 10 В. На участке от 0,1 до 1 В использовать шаг 0,1 В. На участке от 1 до 10 В использовать шаг 1 В. По показаниям амперметра Iк и вольтметра Uкэ составить таблицы с результатами экспериментов.

На общем рисунке построить графики выходных статических характеристик транзистора как зависимость Iк=f2(Uкэ) при Iб =const.

По выходным характеристикам транзистора для средней части графика определить параметры h21 и h22, а также значения параметров α и β.

Используя дополнительную литературу найти формулы и рассчитать физические параметры транзистора, такие как rб, rэ и rк. Составить эквивалентную схему замещения транзистора в физических параметрах.

Содержание отчета

  1. Титульный лист.

  2. Тема и цель работы.

  3. Задание 2.1. Полная исследуемая схема в WorkBench. Описание, как проводились исследования. Таблицы с результатами экспериментов. Графики входных характеристик. Результаты расчетов заданных параметров. Выводы.

  4. Задание 2.2. Полная исследуемая схема в WorkBench. Описание, как проводились исследования. Таблицы с результатами экспериментов. Графики выходных характеристик. Результаты расчетов заданных параметров. Эквивалентная схема в физических параметрах. Выводы.

Контрольные вопросы

1. Основные схемы включения транзистора.

2. В какой схеме включения транзистор обеспечивает усиление сиг­нала как по току, так и по напряжению?

3. В какой схеме включения транзистор не обладает усилением по току?

4. В какой схеме включения транзистор не обладает усилением по напряжению?

5. В какой схеме включения транзистор обеспечивает максимальное усиление по мощности?

6. Какая система параметров получила наибольшее применение, охарактеризовать их?

7. Какие токи и напряжения являются входными, и какие выходными в транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером?

8. Почему схема включения транзистора называется схемой с общим эмиттером?

9. По каким параметрам коэффициент усиления транзисторного каска­да больше единицы, при какой схеме включения?

10. По какому коэффициенту усиления судят об усилительных свой­ствах прибора?

11. Нарисовать упрощенную эквивалентную схему каскада на транзис­торе, включенном по схеме с ОЭ.

12. Что такое генератор тока?

13. Что такое генератор напряжения?

14. В каком случае искажения сигнала в процессе усиления больше, когда источник сигнала близок к генератору тока, или к генерато­ру напряжения?

Приложение 1

Варианты заданий

№ по списку в журнале

Вид проводимости

Библиотека и модель транзистора

1

p-n-p

motorola, BC177

2

n-p-n

nationl2, 2N2714

3

p-n-p

philips1, BC161

4

n-p-n

motorol2, BC182

5

p-n-p

nationl2, MPQ200

6

n-p-n

philips1, BC107

7

p-n-p

motorola, BC393

8

n-p-n

nationl2, 2N3390

9

p-n-p

philips1, BC369

10

n-p-n

motorol2, BC238

11

p-n-p

nationl2, NSD203

12

n-p-n

philips1, BC337

13

p-n-p

motorola, BCY71

14

n-p-n

nationl2, 2N3415

15

p-n-p

philips1, BC556

16

n-p-n

motorol2, BC372

17

p-n-p

nationl2, PN200

18

n-p-n

philips1, BC546

18

p-n-p

motorola, BSS75

20

n-p-n

nationl2, 2N3711

Литература

  1. Конспект лекций

  2. Забродин Ю. С. Промышленная электроника: Учебник для вузов.–М.: Высш. школа, 1982.–496 с

  3. Лачин В. И., Савёлов Н. С. Электроника. – Ростов н / Д: Феникс,

      1. 2002. – 576с.

Программу составил

проф., д. т. н. Зайцев В.С.

Ответственный за выпуск

зав. кафедрой АТП и П

доц., к. т. н Симкин А.И..