![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
2.1 Исследование входных характеристик транзистора.
Для получения входных характеристик в WorkBench собрать схему рисунок 6. Тип транзистора выбрать по номеру в журнале приложение 1. В зависимости от типа проводимости транзистора правильно подать полярность источников напряжения и тока.
Снять входные статические характеристики транзистора. Для этого изменять ток источника Iб в диапазоне от 1 μА до 10 мА с переменным шагом в последовательности 1, 2, 5, 10, 20, 50 и так далее. По показаниям амперметра Iб и вольтметра Uбэ составить таблицу с результатами эксперимента. Опыт повторить два раза. Первый раз установить значение источника Uкэ=0 В, а второй раз Uкэ=10 В.
На общем рисунке построить графики входных статических характеристик транзистора как зависимость Iб=f1(Uбэ) при Uкэ =const.
По входным характеристикам транзистора для средней части графика определить параметры h11 и h12.
2.2 Исследование выходных характеристик транзистора.
Для получения выходных характеристик в WorkBench собрать схему рисунок 7. Тип транзистора выбрать по номеру в журнале приложение 1. В зависимости от типа проводимости транзистора правильно подать полярность источников напряжения и тока.
Снять выходные статические характеристики транзистора. Для этого повторить эксперимент несколько раз. Каждый эксперимент проводить при постоянном значении тока Iб. Значения Iб принять из ряда 0 μА, 50 μА, 100 μА, 200 μА, 500 μА. В ходе одного эксперимента при постоянном значении тока базы менять напряжение источника Uкэ в диапазоне от 0,1 до 10 В. На участке от 0,1 до 1 В использовать шаг 0,1 В. На участке от 1 до 10 В использовать шаг 1 В. По показаниям амперметра Iк и вольтметра Uкэ составить таблицы с результатами экспериментов.
На общем рисунке построить графики выходных статических характеристик транзистора как зависимость Iк=f2(Uкэ) при Iб =const.
По выходным характеристикам транзистора для средней части графика определить параметры h21 и h22, а также значения параметров α и β.
Используя дополнительную литературу найти формулы и рассчитать физические параметры транзистора, такие как rб, rэ и rк. Составить эквивалентную схему замещения транзистора в физических параметрах.
Содержание отчета
Титульный лист.
Тема и цель работы.
Задание 2.1. Полная исследуемая схема в WorkBench. Описание, как проводились исследования. Таблицы с результатами экспериментов. Графики входных характеристик. Результаты расчетов заданных параметров. Выводы.
Задание 2.2. Полная исследуемая схема в WorkBench. Описание, как проводились исследования. Таблицы с результатами экспериментов. Графики выходных характеристик. Результаты расчетов заданных параметров. Эквивалентная схема в физических параметрах. Выводы.
Контрольные вопросы
1. Основные схемы включения транзистора.
2. В какой схеме включения транзистор обеспечивает усиление сигнала как по току, так и по напряжению?
3. В какой схеме включения транзистор не обладает усилением по току?
4. В какой схеме включения транзистор не обладает усилением по напряжению?
5. В какой схеме включения транзистор обеспечивает максимальное усиление по мощности?
6. Какая система параметров получила наибольшее применение, охарактеризовать их?
7. Какие токи и напряжения являются входными, и какие выходными в транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером?
8. Почему схема включения транзистора называется схемой с общим эмиттером?
9. По каким параметрам коэффициент усиления транзисторного каскада больше единицы, при какой схеме включения?
10. По какому коэффициенту усиления судят об усилительных свойствах прибора?
11. Нарисовать упрощенную эквивалентную схему каскада на транзисторе, включенном по схеме с ОЭ.
12. Что такое генератор тока?
13. Что такое генератор напряжения?
14. В каком случае искажения сигнала в процессе усиления больше, когда источник сигнала близок к генератору тока, или к генератору напряжения?
Приложение 1
Варианты заданий
№ по списку в журнале |
Вид проводимости |
Библиотека и модель транзистора |
1 |
p-n-p |
motorola, BC177 |
2 |
n-p-n |
nationl2, 2N2714 |
3 |
p-n-p |
philips1, BC161 |
4 |
n-p-n |
motorol2, BC182 |
5 |
p-n-p |
nationl2, MPQ200 |
6 |
n-p-n |
philips1, BC107 |
7 |
p-n-p |
motorola, BC393 |
8 |
n-p-n |
nationl2, 2N3390 |
9 |
p-n-p |
philips1, BC369 |
10 |
n-p-n |
motorol2, BC238 |
11 |
p-n-p |
nationl2, NSD203 |
12 |
n-p-n |
philips1, BC337 |
13 |
p-n-p |
motorola, BCY71 |
14 |
n-p-n |
nationl2, 2N3415 |
15 |
p-n-p |
philips1, BC556 |
16 |
n-p-n |
motorol2, BC372 |
17 |
p-n-p |
nationl2, PN200 |
18 |
n-p-n |
philips1, BC546 |
18 |
p-n-p |
motorola, BSS75 |
20 |
n-p-n |
nationl2, 2N3711 |
Литература
Конспект лекций
Забродин Ю. С. Промышленная электроника: Учебник для вузов.–М.: Высш. школа, 1982.–496 с
Лачин В. И., Савёлов Н. С. Электроника. – Ростов н / Д: Феникс,
2002. – 576с.
Программу составил
проф., д. т. н. Зайцев В.С.
Ответственный за выпуск
зав. кафедрой АТП и П
доц., к. т. н Симкин А.И..