2.4.Вопросы

1. Начертить структуру биполярного транзистора p-n-p при включении с общей базой и показать, как перемещаются носители заряда при напряжениях на электродах, обеспечивающих активный режим работы, и как направлены постоянные токи во внешних цепях.

2. Начертить структуру биполярного транзистора n-p-n при включении с общей базой и показать, как перемещаются носители заряда при напряжениях на электродах, обеспечивающих активный режим работы, и как направлены постоянные токи во внешних цепях.

3. Начертить структуру биполярного транзистора n-p-n при включении с общим эмиттером и показать, как перемещаются носители заряда при напряжениях на электродах, обеспечивающих активный режим работы, и как направлены постоянные токи во внешних цепях.

4. Объяснить, как обеспечивается усиление электрических сигналов по току, напряжению и мощности при помощи биполярного транзистора.

5. Начертить семейство выходных характеристик биполярного транзистора при включении с общей базой, объяснить их вид и отметить области, соответствующие активному режиму, режиму отсечки и насыщения.

6. Начертить семейство выходных характеристик биполярного транзистора при включении с общим эмиттером, объяснить их вид и отметить области, соответствующие активному режиму, режиму отсечки и насыщения.

7. Пояснить, что называется рабочей точкой транзистора. Перечислить, обосновать и показать на графиках основные ограничения, принимаемые во внимание при выборе рабочей точки транзистора.

8. Показать на графиках и объяснить, как изменяются выходные характеристики биполярного транзистора при включениях с общей базой и с общим эмиттером с увеличением температуры.

9. Показать на графиках и объяснить, как изменяются входные характеристики биполярного транзистора при включениях с общей базой и с общим эмиттером с увеличением температуры.

10. Начертить семейство выходных характеристик биполярного транзистора при включении с общим эмиттером, выбрать рабочую точку, соответствующую активному режиму и указать, какие из Н-параметров и каким образом можно найти в этой точке.

11. Начертить семейство входных характеристик биполярного транзистора при включении с общим эмиттером, выбрать рабочую точку, соответствующую активному режиму и указать, какие из Н-параметров и каким образом можно найти в этой точке.

12. Начертить семейство характеристик прямой передачи тока биполярного транзистора при включении с общим эмиттером, выбрать рабочую точку, соответствующую активному режиму и указать, какие из Н-параметров и каким образом можно найти в этой точке.

13. Начертить структуру полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом, показать способ подачи и полярность напряжений на электродах и пояснить принцип работы транзистора.

14. Начертить семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом, отметить участки характеристик, соответствующие различным режимам работы и назвать эти режимы.

15. Начертить семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом и p-каналом, отметить участки характеристик, соответствующие различным режимам работы и назвать эти режимы.

16. Начертить структуру полевого МДП транзистора с индуцированным n-каналом, показать способ подачи напряжений на электроды и объяснить принцип работы транзистора.

17. Начертить семейство характеристик управления для полевых МДП транзисторов с индуцированным n-каналом и p-каналом и объяснить ход характеристик для транзисторов с различными типами канала.

18. Начертить семейство выходных характеристик полевого МДП транзистора с индуцированным каналом, выбрать рабочую точку, соответствующую режиму насыщения, и показать, какие из дифференциальных параметров транзистора и каким образом могут быть определены в этой точке.

19. Начертить семейство характеристик управления полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом, выбрать рабочую точку, соответствующую режиму насыщения, и показать, какие из дифференциальных параметров транзистора и каким образом могут быть определены в этой точке.

20. Начертить семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом, показать и объяснить, какие ограничения накладываются при выборе рабочей точки на этих характеристиках.