Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабораторные работы,часть 2.doc
Скачиваний:
12
Добавлен:
12.11.2019
Размер:
1.6 Mб
Скачать

Порядок выполнения работы

  1. Включить измерительную схему.

  2. Меняя потенциометром R ток диода, снять прямую ветвь вольт-амперной характеристики. На начальном участке характеристики следует получить возможно большее число точек.

  3. Изменить полярность включения диода. Меняя потенциометром R напряжение , снять обратную ветвь вольт-амперной характеристики аналогично п. 2.

  4. По формуле (2) рассчитать ток диода.

  5. Результаты измерения и вычислений занести в таблицу.

  6. Построить вольт-амперную характеристику, используя разные масштабы по оси тока (mA для прямого тока и mkA для обратного тока).

  7. Оценить из вольт-амперной характеристики потенциальный барьер p-n перехода U0 , проведя касательную к прямой ветви характеристики (см. рис. 2).

  8. Определить ток насыщения IS из вольт-амперной характеристики.

Таблица

Ветвь

хар-ки

, дел

, В

, дел

, В

Прямая

Обратная

Контрольные вопросы

  1. Что представляет собой полупроводник n-типа? Что является основными носителями тока в таком полупроводнике?

  2. Что представляет собой полупроводник p-типа? Что является основными носителями тока в таком полупроводнике?

  3. Объяснить механизм возникновения запирающего слоя в p-n переходе.

  4. Что происходит в p-n переходе при действии внешнего напряжения? Объяснить характер проводимости при прямом и обратном подключении p-n перехода. Какой ток больше прямой или обратный?

  5. Объяснить ход вольт-амперной характеристики.

  6. Как оценить из вольт-амперной характеристики высоту потенциального барьера и ток насыщения?

Литература

  1. Савельев И.В. Курс общей физики. параграф 20.1, Т. 2 – М.: Наука. 1988, 496 с.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 15