- •Электричество, магнетизм, электромагнетизм, оптика
- •Часть II руководство к лабораторным работам по физике для студентов специальности «Лечебное дело»
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •В колебательном контуре
- •Теоретическое введение
- •Приборы и оборудование
- •Литература:
- •Методика эксперимента
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Теоретическое введение
- •Задание 2. Исследование импульсного сигнала.
- •Задание 3. Наблюдение фигур Лиссажу, возникающих при сложении
- •Изучение работы полупроводникового диода
- •Теоретическое введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Определение показателя преломления жидкости
- •Теоретическое введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Внимание! Микроскоп включать в сеть напряжением 6,3 в
- •Дифракция плоских световых волн на дифракционных решетках
- •Теоретическое введение
- •Контрольные вопросы
- •Исследование электрического поля проводника с током
- •Изучение горизонтальной составляющей магнитного поля земли
- •Исследование магнитногого поля соленоида
- •Теорема о циркуляции
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
Порядок выполнения работы
Включить измерительную схему.
Меняя потенциометром R ток диода, снять прямую ветвь вольт-амперной характеристики. На начальном участке характеристики следует получить возможно большее число точек.
Изменить полярность включения диода. Меняя потенциометром R напряжение , снять обратную ветвь вольт-амперной характеристики аналогично п. 2.
По формуле (2) рассчитать ток диода.
Результаты измерения и вычислений занести в таблицу.
Построить вольт-амперную характеристику, используя разные масштабы по оси тока (mA для прямого тока и mkA для обратного тока).
Оценить из вольт-амперной характеристики потенциальный барьер p-n перехода U0 , проведя касательную к прямой ветви характеристики (см. рис. 2).
Определить ток насыщения IS из вольт-амперной характеристики.
Таблица
Ветвь хар-ки |
, дел |
, В |
, дел |
, В |
|
Прямая |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Обратная |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Контрольные вопросы
Что представляет собой полупроводник n-типа? Что является основными носителями тока в таком полупроводнике?
Что представляет собой полупроводник p-типа? Что является основными носителями тока в таком полупроводнике?
Объяснить механизм возникновения запирающего слоя в p-n переходе.
Что происходит в p-n переходе при действии внешнего напряжения? Объяснить характер проводимости при прямом и обратном подключении p-n перехода. Какой ток больше прямой или обратный?
Объяснить ход вольт-амперной характеристики.
Как оценить из вольт-амперной характеристики высоту потенциального барьера и ток насыщения?
Литература
Савельев И.В. Курс общей физики. параграф 20.1, Т. 2 – М.: Наука. 1988, 496 с.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 15