Принципы используемого метода диагностирования цис

Метод диагностирования, используемый в данной лабораторной работе при диагностическом контроле ЦИС, исходит из того, что интегральные микросхемы являются изделиями групповой технологии, характеризующимися единством поведения диагностических параметров в условиях определённых воздействий. Единство поведения диагностических параметров является свидетельством схемотехнического, технологического совершенства микросхем и высокого уровня надёжности.

Метод основывается на статических принципах выявления единства поведенья диагностических параметров микросхем для партии, предъявленной на диагностический контроль, и классификации ЦИС данной партии по результатам контроля на группы с различными относительными уровнями надёжности.

При реализации метода по результатам измерения установленных диагностических параметров у партии контролируемых микросхем определённого типономинала строятся гистограммы распределений значений параметров и определяются их основные характеристики: математическое ожидание М и среднеквадратическое отклонение .

Высшим уровнем надёжности обладают микросхемы, значения диагностических параметров которых группируются в центральной зоне распределений, ограниченной определёнными пределами относительно математического ожидания, согласно принятым критериям, и стабильны по положению в ней для каждой гистограммы.

Так, например, проводиться контроль партии микросхем по двум диагностическим параметрам X и Y. При этом измерение их проводиться при разных электрических воздействиях на схему: при номинальном напряжении питания получают значения параметров X и Y, при пониженном напряжении питания получают значения параметров и .

На рис. 2 представлены гистограммы распределений, построенные по полученным результатам измерений параметров X и Y. На гистограммах показаны центральные зоны, полученные исходя из расчитанных характеристик и и установленных требований к пределам ограничения этих зон, а так же расположенные в них четыре проконтролированных ИС в соответствии с полученными значениями диагностических параметров.

Первому критерию отбора ИС (нахождению значений диагностических параметров в центральной зоне по всем гистограммам) соответствует условие:

которому удовлетворяют только микросхемы №1 и №2.

Из числа оставшихся микросхем выбирают образцы с наивысшим уровнем надёжности, которые одновременно удовлетворяют второму критерию отбора: стабильность положения значений диагностических параметров в центральной зоне. Согласно этому критерию для одного и того же номера контролируемой микросхемы допускается изменение значения диагностического параметра в центральной зоне от теста к тесту, не превышающее удвоенной предельной погрешности измерений этого параметра. В данном случае требованиям этого критерия отвечает только микросхема №2.

Таким образом из четырёх проконтролированных микросхем только одна отбирается, как обладающая наиболее высоким уровнем надёжности.