![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Электроника и микросхемотехника
- •1 Аналоговая схемотехника
- •1.1 Резисторы (сопротивления)
- •1.2 Конденсаторы
- •1.3 Индуктивность
- •1.4 Диоды
- •1.5 Биполярные транзисторы
- •1.6 Униполярные транзисторы
- •1.7 Тиристоры
- •1.8 Транзисторы igbt (Ай Жи Би Ти)
- •1.9 Сит транзисторы и сит-тиристоры
- •1.10 Новые разработки транзисторов и тиристоров
- •1.11 Обратные связи
- •1.12 Операционные усилители
- •2 Логические схемы
- •2.1 Основные определения
- •2.2 Диодные логические схемы
- •2.3 Ттл логические схемы
- •2.4 Особенности 530, 531, 533, 555 серий
- •2.5 Логика на униполярных транзисторах
- •2.6 Логика с оптическими связями
- •2.7 Программируемые логические интегральные схемы (плис)
- •2.8 Обобщенная модель плис
- •2.9 Микросхема плм (к556 рт 1)
- •3 Триггеры
- •3.1 Триггеры на биполярных транзисторах
- •3.2 Триггеры на униполярных транзисторах
- •3.3 Триггеры на логических элементах
- •3.4 Синхронный rs–триггер
- •3.5 Счетный триггер на логических элементах
- •3.8 Интегральный шестиэлементный d–триггер тм2
- •3.10 Прозрачные триггеры–защелки
- •3.11 Гонки
- •3.12 Триггеры на приборах с отрицательным сопротивлением. Триггеры на туннельных диодах.
- •3.13 Триггеры на тиристорах
- •3.14 Триггеры на двухбазовых диодах
- •3.15 Триггеры на операционных усилителях
- •4 Генераторы импульсов
- •4.1 Мультивибраторы на биполярных транзисторах
- •4.1.1 Мультивибраторы в ждущем режиме
- •Мультивибраторы на биполярных транзисторах в автоколебательном режиме.
- •4.2 Ждущий мультивибратор на униполярных транзисторах
- •4.3 Генератор импульсов на двух логических элементах с двумя конденсаторами в автоколебательном режиме
- •4.4 Генератор импульсов на четырех логических элементах с одним конденсатором
- •4.5 Генераторы импульсов на логических элементах в ждущем режиме
- •4.6 Генератор импульсов на туннельном диоде в ждущем режиме
- •4.7 Генератор импульсов на туннельном диоде в автоколебательном режиме
- •4.8 Генератор импульсов на тиристоре в ждущем режиме
- •4.9 Генератор импульсов на тиристоре в автоколебательном режиме
- •4.10 Таймеры
- •4.11 Генератор импульсов в ждущем режиме на таймере
- •4.12 Генератор импульсов в автоколебательном режиме на таймере
- •4.13 Блокинг–генераторы в ждущем режиме
- •4.14 Блокинг–генератор в автоколебательном режиме
- •4.15 Магнито–транзисторный преобразователь двухплечевой
- •4.16 Схема с дополнительным трансформатором
- •4.17 Мостовая и полумостовая схемы магнито–транзисторных преобразователей
- •4.18 Генераторы импульсов на оу в автоколебательном режиме
- •4.19 Генератор импульсов на оу в ждущем режиме
- •4.20 Кварцевая стабилизация импульсных генераторов
- •4.21 Генератор импульсов, стабилизированный кварцем
- •5 Генераторы синусоидальных колебаний
- •5.1 Общие определения
- •5.2 Генератор синусоидальных колебаний с lc контуром и трансформаторной ос
- •5.3 Схемы с индуктивной, емкостной трехточками
- •5.4 Rc цепи для генераторов синусоидальных колебаний
- •5.5 Генераторы синусоидальных колебаний с r и c–параллелями
- •5.6 Генераторы синусоидальных колебаний с кварцевой стабилизацией
- •5.7 Генераторы синусоидальных колебаний на оу
- •6 Цифроаналоговые и аналого–цифровые преобразователи
- •6.1 Цифроаналоговые преобразователи
- •6.1.1 Цап с весовыми резисторами
- •6.1.2 Цап с матрицей r–2r
- •6.1.3 Цап с сигма–дельта модуляцией
- •6.1.4 Цап с прямым преобразованием
- •6.2 Аналого–цифровые преобразователи
- •6.2.1 Следящие ацп
- •6.2.2 Развертывающие ацп
- •6.2.3 Ацп с регистром последовательного приближения
- •6.2.4 Ацп с двойным интегрированием
- •6.2.5 Ацп параллельного преобразования
- •6.2.6 Ацп с сигма–дельта ( ) модуляцией
- •6.2.7 Микросхема кр1108 пп–1
- •7 Источники питания электронных устройств
- •7.1 Общие определения
- •7.2 Выпрямители
- •7.3 Параметрические стабилизаторы напряжения
- •7.4 Компенсационные стабилизаторы напряжения
- •7.5 Импульсные стабилизаторы напряжения
- •7.6 Импульсные корректоры коэффициента мощности
4.6 Генератор импульсов на туннельном диоде в ждущем режиме
Нагрузочная прямая для схемы генератора располагается так, как показано на рисунке 4.17.
Рисунок 4.17 — Нагрузочная прямая в схеме генератора на туннельном диоде в ждущем режиме
Построение дает цифровые значения E0 и Rн. Но для схемы генератора еще нужна реактивность, в качестве которой здесь применяют индуктивность, последовательно включаемую с туннельным диодом и Rн. В результате получаем схему, изображенную на рисунке 4.18.
Рисунок 4.18 — Схема мультивибратора на туннельном диоде в ждущем режиме
Первой устанавливается точка 1 на графическом построении рисунка 4.19 т.к. она первой встречается при нарастании напряжения питания от начала координат (нуля).
Рисунок 4.19 — Процессы генерации импульса
Это состояние
продолжается до момента поступления
запускающего импульса положительной
полярности Uзап,
проходящего через VDзап
в прямом направлении. Точка 1 перемещается
вправо, достигает уровня колена 2,
превышает его, и в том случае, если
запускающий импульс достаточно большой,
превышает уровень точки
,
скачок в точку 3, затем скачкообразное
движение в направлении точки
.
При этом наклон нагрузочной прямой
в точках
3,
не равен наклону Rн,
т.к. дополняется сопротивлением цепи
запуска, а ток в точках 3 и
образуется двумя составляющими: током
последовательной цепи с индуктивностью
L,
который в течение действия скачка
запускающего импульса удерживается на
уровне точки 1 (закон сохранения тока),
и током запускающей цепи, в которой нет
индуктивности, поэтому эта составляющая
зависит от величины запускающего
импульса. Если запускающий импульс
меньше в сравнении с точкой 3, то скачок
из 2 может быть и в точку
,
но не ниже точки
,
положение которой определяется законом
сохранения тока.
После снятия
запускающего импульса (имеется ввиду,
что запускающий импульс имеет короткий
фронт, вершину и спад, так что ток в
индуктивности L
практически не изменяется в сравнении
с точкой 1 рисунка 4.19), рабочая точка из
положения
или 3, или
скачком перемещается в точку
,
из нее начинается относительно медленное
перемещение в направлении точки 4.
Т.е. нагрузочная
прямая
,
параллельная Rн,
удерживаемая ЭДС самоиндукции
,
смещается влево вследствие убывания
.
Т.к. ЭДС самоиндукции убывает относительно медленно, то рабочая точка перемещается из положения в направлении 4 нижнего колена, и из точки 4 скачком в точку 5 (действует закон сохранения тока). В сущности, генерация импульса заканчивается. Но еще есть процесс установления. Он состоит в том, что рабочая точка из положения 5 относительно медленно перемещается в положение 1, т.е. нагрузочная прямая RIIн возвращается в свое первоначальное состояние Rн, начинается вновь режим ожидания следующего запускающего импульса.
ЭДС самоиндукции
в момент обратного скачка это
на графике рисунка 4.19.
В связи с тем, что в этой схеме присутствует индуктивность, расчет длительности генерируемых импульсов следует производить не по координатам напряжения, т.к. они разрывны (см. графики рисунка 4.19), а по координатам тока, используя стандартную формулу:
,
с.
В этой формуле
– постоянная времени, для цепи с
индуктивностью она равна
,
где L
– индуктивность в Генри, RI
– сопротивление в Омах. Сопротивление
Rтд
надо рассчитывать отдельно для точек
и 4, так как оно нелинейно (криволинейно)
в связи с нелинейностью характеристики
туннельного диода, просуммировать его
с Rн
( схема рисунка 4.18):
RI=Rтд+Rн
Координаты
легко определяются из графического
построения рисунка 4.19, причем
,
где ток
соответствует
точке пересечения прямой Rн
с характеристикой туннельного диода,
построенной как продолжение участка
–
4 по направлению к началу координат,
если бы туннельный диод был обычным
диодом.