Билет №24
1.Электрический ток в полупроводниках. Собственная и примесная проводимости полупроводников:
Полупроводниками называют такой класс веществ, который по своей электропроводимости расположен между проводниками и диэлектриками. К полупроводниковым материалам относятся сурьма, кремний, германий, индий, мышьяк, сера и т.д.,. их общая масса составляет 80% от массы всей земной коры. Для возникновения электрического тока необходимы два условия: наличие свободных заряженных частиц и разности потенциалов. В полупроводниках имеются носители зарядов двух типов: электроны и «дырки». «Дырки» — это места, откуда под влиянием внешнего воздействия электрон был переведен в свободное состояние или же захвачен примесным атомом. «Дырка» ведет себя как положительно заряженная частица.
При определенных температурах валентные электроны полупроводника, например, кремния, участвуют в образовании ковалентных связей с соседними атомами, поэтому полупроводник в таком состоянии ведет себя как диэлектрик. Но с повышением температуры или освещением полупроводника излучением определенной частоты некоторые электроны становятся свободными подобно электронам в металле и перемещаются между узлами решетки. В электрическом поле свободные электроны перемещаются в одну сторону, а «дырки» — в противоположную.
Проводимость полупроводников, обусловленная наличием у них свободных электронов, называют электронной проводимостью, наличием «дырок» — дырочной проводимостью. Проводимость чистых полупроводников, не содержащих каких-либо примесей, называют собственной проводимостью. Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, т. к. мало число свободных электронов, а следовательно и «дырок». Число свободных носителей заряда при собственной проводимости можно увеличить за счет повышения температуры полупроводника.
При наличии примесей наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная проводимость — примесная. Изменяя концентрацию примесей, можно значительно изменить число носителей заряда того или иного знака. Примеси, легко отдающие (электроны, называют донорными, а полупроводники с такими примесями — n-типа. Примеси, захватывающие электроны и создающие «дырки», — акцепторными, а полупроводники с такими примесями — р-типа.
2.Задача по теме «Движение тела по окружности».
Д
ано:
Си
R
= 10 Ом
a -?
3.Экспериментальное задание. Измерение оптической силы собирающей линзы.
Билет №25
1.Ядерные реакции. Цепные ядерные реакции. Ядерный реактор.
2.Задача по теме «Основное уравнение молекулярно-кинетической теории идеального газа».
Вычислить средний квадрат скорости движения молекул газа, если его масса m=6кг, объем V=4,9m3 и давление Р=200кПа.
Дано: m = 6 кг V= 4,9 м3 P =200 кПа |
СИ
2*105 Па |
Решение: Давление газа (основное уравнение МRT)
P=
Концентрация
n= Масса всех молекул
m=m0N=m0nV→mn=
<v2>
=
<v2>
=
Ответ: <v2> =4,9*105 м2/с |
|||
<v2> -? |
|||||
|
|
|
|
||
3.Экспериментальное задание. Проверка выполнимости «золотого правила механики» для рычага.
Билет №26
1. Электромагнитные волны. Свойства электромагнитных волн. Скорость распространения электромагнитной волны.
2. Задача по теме «Закон взаимосвязи массы и энергии»
Д ано: Си
m= 1мг 1.10-6кг
Е - ?
3. Экспериментальное задание. Измерение равнодействующей двух сил, направленных под углом друг к другу.
Билет № 2 7
1.Строение и свойства жидкостей. Поверхностное натяжение.
2.Задача по теме «Гармонические колебания. Пружинный и математический маятники».
Д ано: Си
m=
100г Т=2п
Т=6.28
Т - ?V - ?
3.Экспериментальное задание. Измерение внутреннего сопротивления гальванического элемента.