![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Техническая Электроника
- •Оглавление
- •Предисловие
- •Введение
- •Глава 1 пассивные компоненты электронных устройств
- •1.1. Резисторы
- •Числовые коэффициенты первых трех рядов
- •Допустимые отклонения сопротивлений
- •Основные параметры резисторов
- •1.1.1. Система условных обозначений и маркировка резисторов
- •Специальные резисторы
- •1.2. Конденсаторы
- •1.2.1. Система условных обозначений конденсаторов
- •1.2.2. Параметры постоянных конденсаторов
- •1.2.3. Конденсаторы переменной ёмкости
- •1.3. Катушки индуктивности
- •Параметры катушек индуктивности
- •Глава 2 полупроводниковые диоды
- •2.1. Физические основы полупроводниковых приборов
- •2.2. Примесные полупроводники
- •2.3. Электронно-дырочный переход
- •2.4. Физические процессы в p–n переходе
- •2.5. Контактная разность потенциалов
- •2.6. Прямое включение p–n перехода
- •2.7. Обратное включение p–n перехода
- •2.8. Вольт–амперная характеристика p–n перехода
- •2.9. Пробой p–n перехода
- •2.10. Емкостные свойства p–n перехода
- •2.11. Полупроводниковые диоды
- •Система обозначения полупроводниковых диодов
- •2.12. Выпрямительные диоды
- •Параметры выпрямительных диодов
- •2.13. Стабилитроны
- •Параметры стабилитрона
- •2.14. Варикапы
- •Параметры варикапов
- •2.15. Импульсные диоды
- •Параметры импульсных диодов
- •2.15.1. Диоды с накоплением заряда и диоды Шотки
- •2.16. Туннельные диоды
- •Параметры туннельных диодов
- •2.17. Обращенные диоды
- •Глава 3 биполярные транзисторы
- •3.1. Режимы работы биполярного транзистора
- •3.2. Принцип действия транзистора
- •3.3. Токи в транзисторе
- •3.4. Статические характеристики
- •3.4.1. Статические характеристики в схеме с об входные характеристики
- •Выходные характеристики
- •Характеристики прямой передачи
- •Характеристики обратной связи
- •3.5. Статические характеристики транзистора в схеме с оэ
- •3.6. Малосигнальные параметры Дифференциальные параметры транзистора
- •Система z–параметров.
- •Система y–параметров
- •Система h–параметров
- •Определение h–параметров по статическим характеристикам
- •3.7. Малосигнальная модель транзистора
- •3.8. Моделирование транзистора
- •3.9. Частотные свойства транзисторов
- •3.10. Параметры биполярных транзисторов
- •Глава 4 полевые транзисторы
- •4.1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- •Статические характеристики
- •4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.2.2. Статические характеристики мдп-транзистора с
- •4.3. Полевые транзисторы со встроенным каналом
- •4.4. Cтатические характеристики транзистора со
- •4.5. Cпособы включения полевых транзисторов
- •4.6. Полевой транзистор как линейный четырехполюсник
- •4.7. Эквивалентная схема и частотные свойства
- •4.8. Основные параметры полевых транзисторов
- •Глава 5 полупроводниковые переключающие приборы
- •5.1. Диодный тиристор
- •5.2. Триодный тиристор
- •5.3. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.4. Параметры тиристоров
- •Глава 6 электронно-лучевые приборы
- •6.1. Электростатическая система фокусировки луча
- •6.2. Электростатическая отклоняющая система
- •6.3. Трубки с магнитным управлением электронным лучом
- •6.4. Экраны электронно-лучевых трубок
- •6.5. Система обозначения электронно-лучевых трубок
- •6.6. Осциллографические трубки
- •6.7. Индикаторные трубки
- •6.8. Кинескопы
- •6.9. Цветные кинескопы
- •Глава 7 элементы и устройства оптоэлектроники
- •7.1. Источники оптического излучения
- •7.2. Характеристики светодиодов
- •7.3. Основные параметры светодиодов
- •7.4. Полупроводниковые приемники излучения
- •7.5. Фоторезисторы
- •7.6. Характеристики фоторезистора
- •7.7. Параметры фоторезистора
- •7.8. Фотодиоды
- •7.9. Характеристики и параметры фотодиода
- •7.10. Фотоэлементы
- •7.11. Фототранзисторы
- •7.12. Основные характеристики и параметры фототранзисторов
- •7.13. Фототиристоры
- •7.14. Оптопары
- •7.15. Входные и выходные параметры оптопар
- •7.16. Жидкокристаллические индикаторы
- •Параметры жки
- •Глава 8 элементы интегральных микросхем
- •8.1. Пассивные элементы интегральных микросхем
- •8.1.1. Резисторы
- •8.1.2. Конденсаторы
- •8.1.3. Пленочные конденсаторы
- •8.2. Биполярные транзисторы
- •8.3. Диоды полупроводниковых имс
- •8.4. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •8.5. Полупроводниковые приборы c зарядовой связью
- •Применение пзс
- •Параметры элементов пзс
- •Глава 9 основы цифровой техники
- •9.1. Электронные ключевые схемы
- •9.2. Ключи на биполярном транзисторе
- •9.3. Ключ с барьером Шотки
- •9.4. Ключи на мдп транзисторах
- •9.5. Ключ на комплементарных транзисторах
- •9.6. Алгебра логики и основные её законы
- •9.7. Логические элементы и их классификация
- •Классификация ис по функциональному назначению
- •Классификация ис по функциональному назначению
- •9.8. Базовые логические элементы цифровых
- •9.9. Диодно–транзисторная логика
- •9.10. Транзисторно–транзисторная логика (ттл)
- •9.11. Микросхемы ттл серий с открытым коллектором
- •9.12. Правила схемного включения элементов
- •9.13. Эмиттерно–связанная логика
- •9.14. Интегральная инжекционная логика (и2л)
- •9.15. Логические элементы на мдп-транзисторах
- •9.16. Параметры цифровых ис
- •9.17. Триггеры
- •Параметры триггеров
- •9.18. Мультивибраторы
- •9.18.1. Мультивибраторы на логических интегральных элементах
- •9.18.2. Автоколебательный мультивибратор с
- •9.18.3. Автоколебательные мультивибраторы с
- •9.18.4. Ждущие мультивибраторы
- •Глава 10 аналоговые устройства
- •10.1. Классификация аналоговых электронных устройств
- •10.2. Основные технические показатели и характеристики аналоговых устройств
- •10.3. Методы обеспечения режима работы транзистора в каскадах усиления
- •10.3.1. Схема с фиксированным током базы
- •10.3.2. Схема с фиксированным напряжением база–эмиттер
- •10.3.3. Схемы с температурной стабилизацией
- •10.4. Стабильность рабочей точки
- •10.5. Способы задания режима покоя в усилительных
- •10.6. Обратные связи в усилителях
- •10.6.1. Последовательная обратная связь по напряжению
- •10.6.2. Последовательная обратная связь по току
- •10.7. Режимы работы усилительных каскадов
- •10.8. Работа активных элементов с нагрузкой
- •10.9. Усилительный каскад с общим эмиттером
- •10.10. Усилительный каскад по схеме с общей базой
- •10.11. Усилительный каскад с общим коллектором
- •10.12. Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •10.12.1. Усилительный каскад с ои
- •10.12.2. Усилительный каскад с общим стоком
- •10.13. Усилители постоянного тока
- •Глава 11 Дифференциальные и операционные усилители
- •11.1. Дифференциальные усилители
- •11.2. Операционные усилители
- •11.3. Параметры операционных усилителей
- •11.4. Амплитудно и фазочастотные характеристики оу
- •11.5. Устройство операционных усилителей
- •11.6. Оу общего применения
- •11.7. Инвертирующий усилитель
- •11.8. Неинвертирующий усилитель
- •11.9. Суммирующие схемы
- •11.9.1. Инвертирующий сумматор
- •11.9.2. Неинвертирующий сумматор
- •11.9.3. Интегрирующий усилитель
- •11.9.4. Дифференцирующий усилитель
- •11.9.5. Логарифмические схемы
- •11.9.6. Антилогарифмирующий усилитель
- •Глава 12 компараторы напряжения
- •Глава 13 Цифро-аналоговые преобразователи
- •13.1. Параметры цап
- •13.2. Устройство цап
- •Глава 14 Аналого-цифровые преобразователи
- •14.1. Параметры ацп
- •14.2. Классификация ацп
- •14.3. Ацп последовательного приближения
- •ЛитературА
Выходные характеристики
Семейство
выходных характеристик
при
= const
представлены на рис. 3.6 и выражают
зависимость выходного тока от выходного
напряжения
. (3.11)
Если
,
то выходная характеристика представляет
собой характеристику обратно-смещенного
коллекторного перехода. Транзистор
работает в режиме отсечки в области,
расположенной ниже данной характеристики.
Е
сли
во входной цепи эмиттера задан ток
,
то при
= 0
в коллекторной цепи протекает ток
,
т.е. поля контактной разности потенциалов
коллекторного перехода достаточно для
экстракции носителей из базы в коллектор.
С увеличением абсолютного значения
ток
несколько возрастает за счет появления
обратного тока
,
а также некоторого увеличения коэффициента
переноса, вызванного уменьшением толщины
базы.
При
подаче на коллектор прямого напряжения
появляется прямой ток коллектора,
направленный навстречу току
.
Результирующий ток в цепи коллектора
уменьшается, транзистор работает в
режиме насыщения.
Характеристики прямой передачи
Семейство
характеристик прямой передачи
при
= const
представлено на рис. 3.7 и описывается
зависимостью
. (3.12)
П
ри
= 0,
= 0
характеристика передачи выходит из
начала координат, и в первом приближении
ее можно считать прямой линией. С ростом
коэффициент передачи тока эмиттера
h21б
становится нелинейным.
С увеличением напряжения на коллекторе характеристика сдвигается вверх, что обусловлено уменьшением рекомбинации носителей в базе за счет уменьшения ее ширины (эффект Эрли). Характеристики прямой передачи можно построить, используя семейство выходных характеристик.
Характеристики обратной связи
С
емейство
статических характеристик обратной
связи транзистора, характеризующее
зависимость
при
= const,
представлено на рис. 3.8.
Характеристика обратной связи имеет отрицательный наклон, что связано с уменьшением ширины базы и тока рекомбинации, а также с ростом градиента концентрации носителей тока эмиттера при увеличении абсолютного значения напряжения . Так как характеристика снимается при постоянном токе эмиттера, то необходимо уменьшать инжекцию носителей из эмиттера в базу посредством снижения . Характеристики обратной связи можно построить, используя семейство входных характеристик.
3.5. Статические характеристики транзистора в схеме с оэ
На
рис. 3.9 представлена схема включения
транзистора в схеме с ОЭ. Семейство
входных характеристик
при
= const
представлена на рис. 3.10.
При отсутствии внешнего напряжения = 0 входная характеристика представляет собой вольт–амперную характеристику двух параллельно вклю-
ч
енных
p–n
переходов (рис. 3.10,б). Это соответствует
режиму насыщения транзистора. Положительное
напряжение, приложенное к коллекторному
переходу, создает в коллекторной цепи
прямой ток, который по направлению
противоположен обычному току коллектора
(
).
Поэтому ток базы представляет собой
сумму
.
При
увеличении напряжения
коллекторный переход включается в
обратном направлении, и транзистор
переходит в активный режим работы. В
цепи базы протекает ток
.
При
= 0
ток
= 0,
и в цепи базы протекает ток
.
Увеличение
приводит к росту рекомбинации носителей
в базе, и при некотором напряжении
ток базы становится равным нулю
= 0,
а характеристика смещается в сторону
оси напряжений.
Выходные
характеристики транзистора
в схеме с общим эмиттером представлены
на рис. 3.11 и выражают зависимость
при
= const.
В схемах с ОЭ и ОК управляющим является входной ток – ток базы , поэтому в этих схемах удобнее пользоваться коэффициентом передачи тока базы h21э.
Установим
связь между током базы и током коллектора
исходя из условий
и
.
Тогда
,
. (3.13)
О
бозначив
,
,
уравнение (3.13) представим в виде
, (3.14)
где
–
управляемая соста-вляющая тока коллектора,
зависящая от входного тока;
–
неуправляемая
сос-тавляющая тока коллектора.
Параметр h21э называют статическим коэффициентом передачи тока базы, величина которого составляет десятки – сотни раз.
При
токе базы, равном нулю, в коллекторной
цепи протекает обратный ток, величина
которого равна
,
и выходная характеристика представляет
собой характеристику обратно-смещенного
перехода. Транзистор работает в режиме
отсечки в области, расположенной ниже
данной характеристики.
При
наличии входного тока базы и небольшого
напряжения
,
коллекторный переход открыт и транзистор
работает в режиме насыщения, ток
коллектора резко возрастает, что
соответствует крутому восходящему
участку выходных характеристик.
Если
транзистор из режима насыщения переходит
в активный режим. Рост коллекторного
тока замедляется, характеристика идет
более полого. Небольшой рост
на пологом участке обусловлен:
1. Уменьшением ширины базы и тока базы (уменьшается рекомбинация носителей в базе) при увеличении . А для поддержания постоянного значения тока базы необходимо увеличивать , что приводит к росту токов эмиттера и коллектора.
2. Увеличением напряжения на коллекторном переходе, что приводит к росту ударной ионизации в коллекторном переходе, и возрастанию тока коллектора. При больших значениях возможен электрический пробой p–n перехода.
Характеристики
прямой передачи
представлены на рис. 3.12
и выражают зависимость
при
= const
и описываются зависимостью
.
Отклонение их от прямой линии определяется нелинейностью изменения коэффициента передачи тока базы h21б от режима работы транзистора. При на-
пряжении на коллекторе, отличном от нуля, характеристики прямой передачи сдвинуты по оси ординат на величину . Эти характеристики можно построить из семейства выходных характеристик.
Характеристики
обратной связи
представлены на рис. 3.13
и выражают зависимость
при
= const.
При небольших напряжениях характеристики имеют восходящий участок, соответствующий режиму насыщения транзистора. Пологий участок характеристик обратной связи соответствует активному режиму работы транзистора. Эти характеристики получаются простым графическим перестроением семейства входных характеристик.