Билет 23.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ , в-ва с четко выраженными св-вами полупроводников в широком интервале т-р, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов. Уд. электрич. проводимость а при 300 К составляет 104-10~10 Ом-1·см-1 и увеличивается с ростом т-ры. Для П. м. характерна высокая чувствительность электрофиз. св-в к внеш. воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т.п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей. П. м. по структуре делятся на кристаллич., твердые аморфные и жидкие.
Поликристаллический кремний (ПКК) - стратегическое сырьё полупроводниковой промышленности. В основном ПКК используется для получения монокристаллического кремния (МКК) и мультикремния (МК). По качеству ПКК разделяют на кремний «солнечного» качества и «электронного» качества.
ПКК «электронного» качества с массовой долей примесей - 10-7 ÷ 10-8 % используется в современной микроэлектронике, промышленной и силовой электронике.
ПКК «солнечного» качества используется в энергетике для производства солнечных батарей.
Монокристаллический кремний - это слиток, полученный методам Чохральского или методом бестигельной зонной плавки, имеющий единую кристаллическую структуру, ориентированную в определённой кристаллографической плоскости. Самый совершенный и стабильный тип кремния. Используется в электронной промышленности и при производстве солнечных батарей.
Карбид кремния (SiC) обладает исключительным набором свойств, таких как:
Высокая твердость (3-й после алмаза)
Высокая теплопроводность
Отличная коррозионная стойкость
Низкий коэффициент термического расширения
Низкая плотность
Полупроводниковые свойства
Сохранение прочности в широком диапазоне температур
Низкий коэффициент трения
Карбид кремния- это высокотемпературный радиационно-стойкий полупроводниковый материал с большой шириной запрещенной зоны.