- •А.Г. Акманов, б.Г. Шакиров оСновы квантовых и оптоэлектронных приборов
- •Введение
- •1 Физические основы лазеров
- •1.1Оптическое излучение
- •1.2Энергетические состояния квантовой системы. Населенности квантовых уровней
- •1.3Элементарные процессы взаимодействия оптического излучения с веществом
- •Спонтанные переходы
- •Вынужденные переходы
- •Спонтанное излучение
- •1.4Основы теории формы и ширины линии излучения
- •Доплеровское уширение
- •1.5Коэффициенты Эйнштейна. Термодинамическое рассмотрение
- •1.6Квантовое усиление в среде
- •1.7Квантовый генератор (лазер)
- •1.8Методы инверсии населенностей квантовых уровней
- •1.9Метод оптической накачки
- •1.10Кинетические уравнения для населенностей уровней
- •1.11 Оптические резонаторы
- •1.11.1 Добротность открытого резонатора
- •1.11.2 Волновая теория открытого резонатора
- •1.11.3 Дифракционная теория
- •1.11.4 Геометрическая теория открытого резонатора
- •Типы оптических резонаторов
- •1.11.5 Селекция типов колебаний
- •2Твердотельные лазеры
- •2.1Рубиновый лазер
- •2.2Неодимовые лазеры
- •2.3Устройство твердотельного лазера
- •2.4Система оптической накачки
- •2.5Электрическая схема питания лазера
- •2.6Режимы работы твердотельных лазеров
- •Режим свободной генерации
- •Режим модулированной добротности
- •Режим синхронизации мод
- •3Газовые лазеры
- •3.1Принцип работы и конструкция газовых лазеров
- •3.2Инверсия населенностей в плазме газового разряда
- •3.3Гелий – неоновый лазер
- •3.4Аргоновый лазер
- •3.5Со2-лазер
- •4Полупроводниковые лазеры
- •4.1Физические основы работы полупроводникового лазера
- •4.1.1Энергетические состояния в полупроводниках
- •4.1.2 Излучательные и безызлучательные переходы.
- •4.1.2Условие усиления электромагнитной волны в полупроводнике
- •4.2Инжекционный полупроводниковый лазер на гомопереходе
- •4.3Инжекционный полупроводниковый лазер на гетеропереходе
- •4.4Характеристики и параметры полупроводниковых лазеров
- •4.5Применения полупроводниковых лазеров
- •5Оптические модуляторы
- •5.1Электрооптические модуляторы
- •Линейный электрооптический эффект в одноосных кристаллах
- •Фазовая и амплитудная модуляция света в одноосных кристаллах. Модуляционная характеристика электрооптического модулятора
- •Режимы работы и конструктивные особенности электрооптических модуляторов
- •5.2Акустооптические модуляторы
- •5.3Магнитооптические модуляторы
- •6Волоконно-оптические усилители
- •6.1Принцип работы волоконно-оптических усилителей
- •6.2Устройство и схемы волоконно-оптических усилителей
- •6.3Характеристики и параметры волоконно-оптических усилителей.
- •7Основы нелинейной оптики
- •7.1Поляризация диэлектрика. Нелинейная поляризация
- •7.2Генерация оптических гармоник, суммарных и разностных частот
- •7.3Фазовый синхронизм в одноосных кристаллах
- •7.4Самофокусировка света
- •7.5Двухфотонное поглощение
- •7.6Вынужденное комбинационное рассеивание света
- •8Элементы оптоэлектронных приборов
- •8.1Физические основы работы полупроводниковых светоизлучающих диодов
- •8.2Внутренний и внешний квантовые выходы
- •8.3Потери излучения в светоизлучающем диоде
- •8.4Излучательная и спектральная характеристики светоизлучающего диода
- •8.5Модуляционная характеристика светоизлучающего диода
- •8.6Параметры и электрические характеристики светоизлучающего диода
- •8.7Конструкции излучающего диода и эффективность связи с волоконным световодом
- •8.8Принцип работы полупроводниковых фотоприемников
- •8.9 Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость
- •8.10Скорость оптической генерации носителей заряда
- •8.11Процессы рекомбинации носителей заряда
- •8.12Основное характеристическое соотношение фотопроводимости
- •8.13Процессы релаксации
- •8.14Фоточувствительность. Фототок. Усиление фототока
- •8.15Характеристики фотоприемников
- •8.16Фотодиоды
- •Лавинные фотодиоды
- •Параметры лавинного фотодиода лфд-2-а
- •8.17Фототранзисторы
- •8.18Фототиристоры
- •8.19Фоторезисторы
- •Список литературы
- •Содержание
1.7Квантовый генератор (лазер)
Для того чтобы квантовый усилитель превратить в квантовый генератор необходимо ввести подходящую положительную обратную связь.
В лазере обратную связь получают размещением активной среды между двумя зеркалами с высокими коэффициентами отражения, образующими открытый (или оптический) резонатор. Например, это резонатор Фабри-Перо, представляющий собой систему из двух плоских зеркал З1 и З2, установленных параллельно друг другу, как показано на рис. 1.9.
Рис.1.9 Принципиальная схема лазера.
В этом случае плоская световая волна, распространяющаяся в направлении, перпендикулярном зеркалам, будет поочередно отражаться от них, усиливаясь при каждом проходе через активную среду. Если одно из зеркал сделано частично прозрачным, то на выходе системы можно выделить пучок полезного излучения.
Как и в любом автогенераторе, в лазерах генерация возможна лишь при выполнении некоторого порогового условия. Рассмотрим, как показано на рис. 1.10, поэтапно процесс усиления световой волны в активной среде, полностью заполняющей открытый резонатор.
Рис.1.10 Процесс усиления света в открытом резонаторе.
Если начальное значение интенсивности у левого зеркала принять равным I10,то за один цикл обхода резонатора интенсивность света , отраженного от зеркала З1 приобретает значение: I10=I20 r1 exp [(G-) L] =r1 r2 I10 exp [2(G-) L] (1.62)
В стационарном режиме в уравнении (1.62) должно выполняться условие I10 = I10, что приводит к соотношению: 1=r1 r2 exp [2(G-)L]. (1.63)
Из (1.63) следует, что порог достигается тогда, когда коэффициент квантового усиления приближается к некоторому критическому значению, определяемому условием:
Gкр = (N2-N1) = 1/ (2L) ln [1/ (r1r2)] + (1.64)
Физический смысл формулы (1.64) состоит в том, что квантовое усиление в среде должно превышать потери, связанные с полезным излучением за счет выхода излучения через зеркала и потери, учитываемые коэффициентом .
Из формулы (1.64) определяется критическое значение для инверсии населенностей: (N2-N1)кр= (1.65)
Как только достигнута критическая инверсия, генерация начнет развиваться из спонтанного излучения. При этом фотоны, которые спонтанно испускаются вдоль оси резонатора, будут усиливаться в активном элементе.
1.8Методы инверсии населенностей квантовых уровней
Одной из центральных проблем квантовой электроники является проблема получения состояния вещества с инверсией населенностей квантовых уровней.
Методы накачки подразделяются на следующие:
Метод вспомогательного излучения.
Используется как в радиочастотном (мазеры), так и в оптическом диапазонах (твердотельные лазеры). В последнем случае метод называется оптической накачкой.
Электрическая накачка.
Осуществляется посредством достаточно интенсивного электрического разряда (постоянный ток или высокочастотный разряд) в рабочей среде (газовые лазеры).
3) Инжекция носителей тока через p-n переход в полупроводнике при пропускании электрического тока в прямом направлении (создается неравномерное распределение носителей в зоне проводимости и в валентной зоне).
Существуют и другие методы накачки, как, например, химическая, газодинамическая, находящие применение в соответствующих лазерах.
Наряду с понятием инверсии населенностей уровней в квантовой электронике используют также понятие отрицательной температуры, которое может быть введено в рамках двухуровневой квантовой системы.
Из формулы определяющей отношение населенностей квантовых уровней в условиях термодинамического равновесия , определим абсолютную температуру (1.66)
Анализ знака Т в зависимости от величины N1/N2 представлен на рисунке (для четырех электронов, обозначенных кружочками).
Как видно из рисунка, при изменении температуры от Т=+0 доТ=-0 через Т=±∞ происходит переход частиц (электронов) с нижнего уровня на верхний до полной инверсии (от четырех частиц на нижнем уровне при пустом верхнем, до четырех частиц на верхнем уровне при пустом нижнем). Таким образом, при инверсии населенностей уровней (правая часть рисунка) системе можно приписать отрицательную температуру (Т<0)
Термины “отрицательная температура” и “инверсия населенностей” эквивалентны и выражают одно и то же содержание: населенность верхнего из двух рассматриваемых уровней больше, чем нижнего.
Следует отметить, что названия ”температура среды (образца)” и ”отрицательная температура” совершенно разные понятия.