100. Фотонные шумы

Наблюдается в радиоэлектрических и оптоэлектронных приборах и обусловлен дискретной природой принимаемого излучения и фона. Число квантов энергии, попадающих на чувствительную площадь фотоприемника, флуктуирует, что в итоге является причиной шума даже в идеальном фотоприемнике.

101. Шумы вторичной эмиссии

Шумы наблюдаются в вакуумных приборах – лампах и тд. Источником шума являются флуктуации числа вторичных электронов, выбитых с анода, динода или других электродов. Процесс вторичной эмиссии является статистическим, в результате которого случайно флуктуирует анодный ток лампы:

102. Ионные шумы

Наблюдаются в приборах с несовершенным вакуумом. Эти шумы обусловлены статистическим характером процесса ионообразования в вакуумных приборах. При бомбардировке катода ионы выбивают электроны и (или) частично коспенсируют пространственный заряд у катода. Флуктуации выходящих с катода электронов, а следовательно, пространственного заряда и тока эмиссии являются причиной появления шумов анодного тока лампы.

103. Шумовые параметры

В качестве шумового параметра выбирают коэффициент шума транзисторов

Уровень шумов практически не зависит от схемы включения, а зависит от внутреннего сопротивления входного источника и частоты. В технических условиях низкочастотный коэффициент шума обычно определяется по частоте 1кГц при сопротивлении входного источника 500-1000 Ом. Типичное значение низкочастного коэф. шума биполярных транзисторов лежит в пределах 10-20 дБ, а для «малошумящих» Кш=6-10 дБ. При увеличении внутреннего сопротивления входного источника повышается шумовое напряжение и коэф. шума увеличивается. По этой причине БТ нецелесообразно использовать во входных цепях высокочувствительных измерительных устройств и в высокочувствительных усилителях звукозаписи.

Шумы полевых транзисторов, работающих с основными носителями, имеют меньший уровень, чем шумы БТ. В малошумящих полевых транзисторах удается получить коэф шума до 0,5 дБ.