4.2. Схема для исследования диода, работающего от генератора тока; измерений импульсных характеристик диода

Резистор R1 является измерительным и предназначен для индикации формы импульса тока, т.к. напряжение на нём по форме совпадает с током генератора.

4.2.1. Настройки параметров источника тока:

Параметр	Пояснения	Величина
Positive Pulse Current	Уровень импульса тока положительной полярности	500 mA
Negative Pulse Current	Уровень импульса тока отрицательной полярности	0 mA
Current offset		0 mA
Duty Cycle / Pulse Duration Time		1 / 0.1 usec
Frequency (F) / Period		0.1MHz/10 usec
Rise Time (Время нарастания)	длительность переднего фронта импульса	10 psec
Fail Time (Время спада)	длительность заднего фронта импульса	10 psec
Delay Time (Время задержки)	время задержки импульса от начала моделирования	10 psec

4.2.2. Исследования работы диода в импульсном режиме.

Positive Pulse Current = 1мA.

Используем Simulate/ Transient Analysis (режим расчёта переходных характеристик), для построения графиков напряжения на диоде и источнике.

Получили графики напряжения на импульсном генераторе тока (меандр), но он не виден, так как масштаб его практически не учитывает, зато его видно в таблице курсора; и график напряжения на диоде. Определим с помощью курсоров время затухания по уровню 5% от максимального показателя в V_МАХ=565,5 мВ. Такому уровню соответствует напряжение |V|=28,275 мВ.

И время затухания тогда t=2,193 mcsec.

4.2.2. Исследования работы диода в импульсном режиме.

Positive Pulse Current = 300мA.

Как в предыдущем пункте получаем необходимые для исследования графики.

Получили графики напряжения на импульсном генераторе тока (меандр) и график напряжения на диоде. Определим с помощью курсоров время затухания по уровню 5% от максимального показателя в V_МАХ=791 мВ. Такому уровню соответствует напряжение |V|=39,55 мВ.

И время затухания тогда t=1,895 mcsec.

4.2.2. Исследования работы диода в импульсном режиме.

Positive Pulse Current = 1000мA.

Как в предыдущем пункте получаем необходимые для исследования графики.

Получили графики напряжения на импульсном генераторе тока (меандр) и график напряжения на диоде. Определим с помощью курсоров время затухания по уровню 5% от максимального показателя в V_МАХ=844 мВ. Такому уровню соответствует напряжение |V|=42,2 мВ.

И время затухания тогда t=1,8277 mcsec.

4.3. Расчёт динамических параметров диода

4 .3.1 Расчет параметров с включенным в цепь источником импульсного напряжения.

4.3.1.а) Время рассасывания заряда в диоде определяется по графикам переходного процесса, полученных в пункте 4.1.2.

4.3.1.б)

Измерение прямого тока диода	Измерение обратного тока и напряжения диода.

4.3.1.в)

Рассчитываем соответствующие значения времени жизни неосновных носителей заряда по формуле , где t₁ длительность плоской вершины обратного тока через диод, а определяется из графика на рисунке.

4.3.2 Расчет параметров с включенным в цепь источником импульсного тока.