- •1. Понятие “Архитектура” вс
- •2. Классификация компьютеров
- •3. Оценка производительности вычислительных систем
- •4. Основные параметры и характеристики вычислительных систем.
- •5. Система памяти: классификация, параметры
- •6. Иерархическая организация памяти
- •7. Конвейеризация как способ повышения производительности памяти
- •Конвейерная организация.
- •8. Оперативная память. Организация. Параметры
- •Организация оперативной памяти
- •10. Синхронная dram (sdram)
- •11. Постоянное запоминающее устройство
- •12. Флэш-память: структура, параметры
- •13. Память с ассоциативным доступом.
- •14. Структура кэш-памяти
- •15. Внешняя память. Классификация. Параметры.
- •16. Внешняя память на основе нжмд
- •19. Методы адресации и типы данных
- •20. Организация конвейера процессора и оценка его производительности
- •21. Вопросы бесконфликтной работы конвейера процессора
- •Решение конфликтов по управлению
- •22. Динамическое планирование работы конвейера процессора
- •Решение конфликтов по управлению
- •23. Минимизация конфликтов в конвейере процессора
- •Решение конфликтов по управлению
- •25. Механизм прерывания работы процессора
- •26. Прямой доступ к памяти
10. Синхронная dram (sdram)
Сейчас уже не актуально использовать 66-МГц шины памяти. Разработчики DRAM нашли возможность преодолеть этот рубеж и извлекли некоторые дополнительные преимущества путем осуществления синхронного интерфейса.
С асинхронным интерфейсом процессор должен ожидать, пока DRAM закончит выполнение своих внутренних операций, которые обычно занимают около 60 нс. С синхронным управлением DRAM происходит защелкивание информации от процессора под управлением системных часов. Триггеры запоминают адреса, сигналы управления и данных, что позволяет процессору выполнять другие задачи. После определенного количества циклов данные становятся доступны, и процессор может считывать их с выходных линий.
Другое преимущество синхронного интерфейса заключается в том, что системные часы задают только временные границы, необходимые DRAM. Это исключает необходимость наличия множества стробирующих импульсов. В результате упрощается ввод, т. к. контрольные сигналы адреса данных могут быть сохранены без участия процессора и временных задержек. Подобные преимущества также реализованы и в операциях вывода.
DDR DRAM
DDR SDRAM (Double Date Rate SDRAM) является синхронной памятью, реализующей удвоенную скорость передачи данных по сравнению с обычной SDRAM.
DDR SDRAM не имеет полной совместимости с SDRAM, хотя использует метод управления, как у SDRAM, и стандартный 168-контактный разъем DIMM.
DDR SDRAM достигает удвоенной пропускной способности за счет работы на обеих границах тактового сигнала (на подъеме и спаде), а SDRAM работает только на одной.
11. Постоянное запоминающее устройство
К постоянной памяти относят постоянное запоминающее устройство, ПЗУ (в англоязычной литературе - Read Only Memory,
ROM, что дословно перводится как "память только для чтения"),
перепрограммируемое ПЗУ, ППЗУ (в англоязычной литературе – Programmable Read Only Memory, PROM),
и флэш-память (flash memory).
ROM- Название ПЗУ говорит само за себя. Информация в ПЗУ записывается на заводе-изготовителе микросхем памяти, и в дальнейшем изменить ее значение нельзя. В ПЗУ хранится критически важная для компьютера информация, которая не зависит от выбора операционной системы.
PROM-Программируемое ПЗУ отличается от обычного тем, что информация на этой микросхеме может стираться специальными методами (например, лучами ультрафиолета), после чего пользователь может повторно записать на нее информацию. Эту информацию будет невозможно удалить до следующей операции стирания информации.
EPROM- многократно программируемое ПЗУ(Erassed).
UV-EPROM ультрафиолетовое стирание.
EEPROM – электрическое стирание.
Энергонезависимая память
ROM – (Read Only Memory). Самая простая микросхема – масочная ПЗУ. Структура: матрица, дешифратор, выходной буфер. Плотность упаковки выше, чем у статических ячеек памяти.
Др. тип – однократно программируемые. В качестве программируемого элемента – коммутационный элемент, который можно программировать (из-за его проводящих свойств).