12.Электрическое поле двух разнополярных источников тока, заземленных на поверхности полупространства.
13. Понятие коэффициента установки, рк, принцип взаимности.
Принцип взаимности: если ЭДС действуя в некоторой ветви схемы, не содержащей других источников, вызывает в другой ветви ток, то принесенная в эту ветвь ЭДС вызовет в первой ветви такой же ток
Принцип: если поменять назначение электрода, АB заменить на MN, то по результатам измерений получаем одинаковое рк
Кажущееся сопротивление почвы определяется прямо с поверхности земли по разности потенциалов между двумя приемными (измерительными) заземлениями М и N, находящимися в искусственном электрическом поле постоянного тока, создаваемом от источника тока через питающие заземления А и В.
рк – численно соответствует такой однородной среде, на поверхности которой при той же силе тока и той же геометрии установки получаем такое же ΔUMN
рк =k* ΔU/I
где ΔU — разность потенциалов в MN; I — сила тока в цепи АВ
k— коэффициент установки, зависящий от расстояний между питающими и измерительными электродами. Определяется геометрией установки
14. Поле точечного источника тока в анизотропной среде. Парадокс анизотропии.
Потенциальные функции в каждом слое U1, U2, U3, … Un должны быть
интегралом уравнения Лапласа.
по результатам многоазимутных (круговых)
измерений на поверхности анизотропной толщи можно построить
полярную диаграмму кажущихся сопротивлений, которая будет иметь
форму эллипса, вытянутого своей большей осью вдоль простирания.
Причем кажущееся сопротивление ρk║, измеренное вдоль простирания,
равно среднему удельному сопротивлению, а кажущееся сопротивление
ρk┴, измеренное вкрест простирания, - меньше среднего. Поскольку для
истинных удельных сопротивлений имеется обратное соотношение, то
отмеченное несоответствие называют «парадоксом анизотропии».
15. Методы электропрофилирования СЭП, ДЭП, КЭП, СГ, КрЭП.
Используются 2 вида установок: Шрембеже и Венера, где в установке Шремберже MN=0.1AB, а в Венере MN=1/3AB. Чаще используют 2х разносную установку AA’MNB’B, что позволяет более точно интерпретировать результаты. Размеры АБ определяются требуемой глубиной исследования, а размеры МН помимо условий, определяются размерами искомого объекта, т.е. шириной пласта. Для контроля качества выполняются повторные измерения, в количестве 5 штук от общего измерения, рассчитывается средняя относительная погрешность. По результатам измерений строятся графики вдоль ρk, либо планы графиков ρk.
ДЭП- к=П*10^3/AB*MN – установка характеризуется размерами MN, A’A и разносом. Вычисляют ρk по результатам наблюдений и строятся графики. Для расшифровки аномалий также приходится строить график для встречной устаовки.
КЭП – применяют для хорошо проводящих, круто залегающих пластовых объектов, с помощью двух встречных трехэлектродных установок AMN MNB. Питающий электрод относится на бесконечность, на расстояние 10-15 АО, так что его влянием можно пренебречь. Результаты измерений оформляют в виде графиков и кажущейся поляризуемости
СГ – для измерений используются низкочастотные приборы с целью влияния на приемные линии, АБ прокладывается между профилями. После обработки одного планшета съемки, новый планшет перекрываем так, чтобы перекрывалось несколько точек. По результатам измерений строят планы графиков ΔU, либо планы графиков и изолиний. Для расчета значений ρk вычисляют свой коэффициент. Измерения проводятся на средней части планшета, потому что на этом фоне легче выделить аномалии.
Особенностью электрического профилирования является то, что при этом способе изучения кажущегося удельного электрического сопротивления размеры установки, т.е. взаимное положение питающих и измерительных заземлений, остаётся неизменным, в то время как вся установка от замера к замеру перемещается вдоль некоторого направления, называемого электропрофилем. Это позволяет изучать геологический разрез вдоль линии наблюдений. При площадной съёмке исследуемый участок покрывают равномерной сетью точек наблюдения. Форма и густота сети определяются формой и размерами объектов исследования. Для этих методов могут быть использованы различные установки: симметричная четырехэлектродная, трехэлектродная, дипольная осевая и другие.