20.Почему магнетронное распыление обеспечивает более высокую производительность при получении тонких пленок по сравнению с другими ионно-плазменными методами?

Важным достоинством метода магнетронного распыления является то, что наличие магнитного поля не дает электронам, обладающим высокой скоростью, долететь до подложки, не столкнувшись с атомами рабочего газа. Поэтому подложка не нагревается вследствие бомбардировки ее вторичными электронами. Основным источником нагрева подложки является энергия, выделяемая при торможении и конденсации осаждаемых атомов вещества мишени, в результате чего температура подложки не превышает 100 - 200 °С. Это дает возможность напылять пленки на подложки из материалов с малой термостойкостью (пластики, полимеры, оргстекло и так далее). Этот факт имеет большое значение для современных технологий ввиду широкого использования полимеров и композитных материалов.

21.Какие материалы и почему используют для изготовления термических испарителей?

Испарители могут быть различной кон-ции ,но в основном исп-ся резистивные, разогреваемые проходящим через них током. Т.к. для большинства исп-мых в техногии ИС мат-лов темп-ры испарения высокие, их изгот-ют из тугоплавких металлов и сплавов (вольфрам, рений и др.).

22.Функциональное назначение и основные характеристики фоторезистов.

Фоторезисты (ФР) – светочувствительные органические материалы с изменяющейся под воздействием света растворимостью. Назначение фоторезистов состоит в том, что они формируют защитный слой требуемой конфигурации топологии схемы для последующего травления в окнах фоторезиста.

Основными характеристиками ФР являются светочувствительность, разрешающая способность, кислотоустойчивость, стабильность и вязкость (концентрация).

Светочувствительность – величина, обратная экспозиции, т.е. времени облучения, требуемой для перевода ФР в растворимое или нерастворимое состояние (экспозиция определяется экспериментально и зависит от толщины пленки ФР ).

Разрешающая способность – максимальное число линий одинаковый ширины , которое можно получить в ФР на 1 мм. Разрешающая способность R и ширина линий L связаны между собой соотношением R=1000/2L.

Стойкость к воздействию агрессивных сред (кислотоустойчивость) – величина пропорциональная времени отслаивания пленки в используемом травителе.

Стабильность эксплуатационных свойств – определяется временем службы ФР при определенных условиях хранения и использования.

23. Какие методы микролитографии применяются при изготовлении ис с топологическими размерами элементов меньшими 0,5 мкм?

Микролитография- формирование микрорисунков на поверхности твёрдого тела. M. лежит в основе технологиимикроэлектроники. Обычно M. включает: нанесение на поверхность твёрдого тела (подложку) тонкого слоя фоторезиста (материала, чувствительного к воздействию радиации); экспонирование отд. областей резиста соответственно заданному рисунку (фотошаблон) и проявление, т. е. удаление экспонированных (в позитивном процессе) или неэкспонированнах (в негативном процессе) областей резиста. В результате формируется фоторезис-тивная плёночная маска, в "окнах" к-рой осуществляется технол. обработка поверхностного слоя подложки. Затем фоторезист обычно удаляется. Подобная процедура при изготовлении интегральной схемы повторяется, причём каждый последующий рисунок точно совмещается с предыдущим.

Применяют методы: электронолитографию и ионолитографию.

При электронолитографии используют либо параллельный поток электронов (проекц. электронолитогра-фия), либо пучок электронов, сканирующий пластину (сканирующая электронолитография). Первый метод обладает более высокой производительностью, но требует сложных шаблонов и имеет ограниченную разрешающую способность. Второй позволяет достичь разрешения лучше 0,1 мкм (в экспериментах  HM) и формировать изображение без помощи шаблона путём прямого управления лучом с помощью ЭВМ. Разрешающая способность электронолитографии определяется рассеянием электронов в резисте и их обратным рассеянием в результате отражения от подложки. Для уменьшения этих явлений применяют 2слойные резисты. Осн. проблема, препятствующая широкому внедрению электронолитографии в массовое пр-во ИС,- низкая произв-ть сканирующих сис-м. И её применяют в сочетании с фотолитографией и рентгенолитографией. При этом электронолитографию исп-ют для формирования шаблонов наиб ответственных рисунков на пластинах.

Ионолитография обладает свойствами сканирующей электронолитографии, но эффект обратного рассеивания здесь выражен значительно слабее. Жидкометал-лич. ионные ист-ки создают плотные пучки. Сканирующие ионные сис-мы используют для прямого формирования стр-ры интегральных схем без шаблонов. При этом ионный пучок, управляемый ЭВМ, осуществляет легирование п\пр-ка, вносит в него локальные радиац. повреждения, осуществляет травление подложки. Однако производительность в этом случае низкая.