Параметры транзисторов на частотах ниже 500 мГц.
При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером параметры транзистора приведены в таблице 1, где:
-
прямая проводимость (крутизна) транзистора,
-
обратная проводимость транзистора,
-
выходная проводимость транзистора,
-
входная проводимость транзистора.
Таблица 1
Параметры транзистора |
Расчетные формулы |
|
|
|
|
|
|
|
|
где
,
При включении транзисторов в усилительный каскад по каскодной схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2.
Таблица 2
Параметры транзистора в схеме с ОЭ |
Параметры транзистора в схеме с ОЭ ОБ |
|
|
|
|
|
|
|
|
Приложение 3
Таблица отношений напряжений и мощностей.
N (дБ) |
|
|
N (дБ) |
|
|
N (дБ) |
|
|
0 |
1,0 |
1,0 |
2,1 |
1,27 |
1,62 |
7,0 |
2,2 |
5,02 |
0,1 |
1,012 |
1,024 |
2,2 |
1,29 |
1,66 |
8,0 |
2,5 |
6,31 |
0,2 |
1,024 |
1,048 |
2,3 |
1,31 |
1,7 |
9,0 |
2,8 |
8,0 |
0,3 |
1,035 |
1,07 |
2,4 |
1,32 |
1,74 |
10,0 |
3,2 |
10,0 |
0,4 |
1,047 |
1,09 |
2,5 |
1,34 |
1,8 |
11,0 |
3,58 |
13,0 |
0,5 |
1,06 |
1,12 |
2,6 |
1,35 |
1,82 |
12,0 |
4,0 |
16,0 |
0,6 |
1,07 |
1,14 |
2,7 |
1,365 |
1,86 |
13,0 |
4,5 |
20,0 |
0,7 |
1,085 |
1,17 |
2,8 |
1,38 |
1,9 |
14,0 |
5,02 |
25,1 |
0,8 |
1,097 |
1,2 |
2,9 |
1,4 |
1,95 |
15,0 |
5,67 |
31,0 |
0,9 |
1,11 |
1,23 |
3,0 |
1,42 |
2,0 |
16,0 |
6,31 |
40,0 |
1,0 |
1,12 |
1,26 |
3,1 |
1,437 |
2,048 |
17,0 |
7,1 |
51,0 |
1,1 |
1,135 |
1,29 |
3,2 |
1,45 |
2,096 |
18,0 |
8,0 |
64,0 |
1,2 |
1,148 |
1,3 |
3,3 |
1,47 |
2,14 |
19,0 |
8,96 |
80,0 |
1,3 |
1,161 |
1,3 |
3,4 |
1,486 |
2,18 |
20,0 |
10 |
100 |
1,4 |
1,17 |
1,3 |
3,5 |
1,5 |
2,24 |
30,0 |
32 |
|
1,5 |
1,19 |
1,4 |
3,6 |
1,52 |
2,28 |
40,0 |
100 |
|
1,6 |
1,2 |
1,4 |
3,7 |
1,54 |
2,34 |
50,0 |
320 |
|
1,7 |
1,22 |
1,48 |
3,8 |
1,557 |
2,4 |
60,0 |
|
|
1,8 |
1,23 |
1,52 |
3,9 |
1,57 |
2,46 |
70,0 |
|
|
1,9 |
1,245 |
1,55 |
4,0 |
1,6 |
2,5 |
80,0 |
|
|
2,0 |
1,26 |
1,6 |
5,0 |
1,8 |
3,2 |
90,0 |
|
|
|
|
|
6,0 |
2,0 |
4,0 |
100.0 |
|
|
Приложение 4.
Параметры и схемы включения микросхем серии К 226, предназначенные для усиления низкой частоты.
Серии МС |
|
|
|
|
|
К 226 УН1А,Б,С |
250…350 |
0,2…100 |
+12,-6 |
|
|
К 226 УН2А,Б,С |
25…35 |
0,02…100 |
+12,-6 |
|
|
К 226 УН3А,Б,С |
270…330 |
0,02…100 |
+6,-9 |
|
|
К 226 УН4А,Б,С |
9…11 |
0,02…100 |
+6,-9 |
|
|
К 226 УН5А,Б,С |
90…100 |
0,02…100 |
+12,-6 |
|
|
(кГц)
Входные емкости вышеперечисленных микросхем не превышают 20пФ.
