Содержание отчета.

Отчет должен содержать:

1. Титульный лист.

2. Условные обозначения всех слоев.

3. Чертеж совмещенной топологии в масштабе 10:1 или 20:1.

4. Чертежи всех слоев в том же масштабе.

5. Вариант схемы технологического процесса изготовления данной микросхемы (пооперационный).

Отчет представляется на сшитых листах формата А4. Допускается изготовление чертежей совмещенной топологии и чертежей слоев на миллиметровой бумаге. При этом листы миллиметровой бумаги также должны быть формата А4. Допускается вычерчивание топологии на листах миллиметровой бумаги меньшего формата при условии наклеивания их на стандартные листы А4. Топологический чертеж выполняется простым карандашом. Применение цветных карандашей, ручек и фломастеров при оформлении чертежей отчета не допускается.

При использовании в оформлении графического материала стандартных пакетов прикладных программ автоматизированной подготовки конструкторских документов (АВТОКАД, КОМПАС и др.) распечатки сшиваются с основными листами отчета. «Дочерчивание» распечаток карандашом при этом не допускается.

Каждая работа подлежит индивидуальной защите у преподавателя.

В отчет вкладывается эскиз топологии, выполненный на занятии и подписанный преподавателем.

Лабораторная работа № 2

ИЗУЧЕНИЕ КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНОЙ ГИС

(4 часа)

Цель работы: Ознакомиться с топологией толстопленочной гибридной интегральной микросхемы.

Оборудование: Микроскопы МБС-1 и МССО.

Содержание работы:

Работа выполняется каждым студентом в отдельности. На индивидуальном лабораторном месте, оснащенном одним из видов микроскопов, каждый студент получает заранее разгерметизированную (без верхней крышки) микросхему или плату микросхемы, содержащую от 3 до 6 толстопленочных слоев.

За время работы студент должен:

• ознакомиться с представленной топологией микросхемы; количеством и функциональным назначением каждого слоя; определить типы и конструкции электрорадиоэлементов, входящих в состав микросхемы,

• изобразить на бумаге в произвольном масштабе совмещенную топологию микросхемы. При этом до начала работы следует определить условное обозначение каждого слоя и показать эти обозначения на эскизе в порядке расположения от подложки. для правильного понимания назначения каждого слоя все слои изображаются прозрачными.

• измерить с помощью окуляра микроскопа все размеры предложенного преподавателем фрагмента микросхемы, а также габариты всей платы или ее части.

Эскиз топологии должен быть подписан преподавателем и в последующем прилагается к отчету по лабораторной работе.

Примерное назначение слоев и расположение их от подложки:

1. Первый слой коммутации, контактные площадки, нижние обкладки конденсаторов.

2. Первый слой межслойной изоляции или диэлектрика конденсатора.

3. Второй слой межслойной изоляции или диэлектрика конденсатора.

4. Второй слой коммутации (пленочные перемычки), контактные площадки для пайки или сварки проволочных выводов, верхние обкладки конденсаторов.

5. Резистивный слой.

6. Защитный слой диэлектрика. В некоторых случаях защитный диэлектрик наносится одновременно с одним из слоев межслойного диэлектрика.