Требования к отчету

Отчет должен содержать:

1. краткий конспект теоретической части;

2. таблицы результатов измерений ВАХ двух типов диодов при и ;

3. прямые ветви ВАХ диодов в полулогарифмических и линейных координатах при и ;

4. обратные ветви ВАХ диодов в линейных координатах при и ;

5. зависимости обратного тока двух диодов от температуры в диапазоне 20 ^оС   80 ^оС в линейных координатах;

6. параметры германиевого и кремниевого диодов, определенные из экспериментальных результатов, занесенные в форму таблицы;

7. выводы по работе.

Контрольные вопросы

1. При каких допущениях справедливо выражение для ВАХ идеального диода?

2. Объяснить природу теплового тока идеального диода и влияние физических и геометрических параметров p- и n-областей перехода на этот ток.

3. Какова причина температурной зависимости тока насыщения идеального диода?

4. В чем состоит отличие ВАХ реального диода от идеального?

5. В чем причина сдвига между ВАХ германиевого и кремниевого диодов вдоль оси напряжений?

6. Какова причина температурной зависимости прямой ветви ВАХ диода?

7. Как зависит от тока ТКН прямой ветви ВАХ идеального диода?

8. В чем состоит влияние токов термогенерации и рекомбинации на ВАХ реальных диодов?

9. Каким выражением аппроксимируется ВАХ реального диода с учетом объемного сопротивления базы?

10. Каково влияние на ТКН диода?

11. Как определяется дифференциальное сопротивление диода и сопротивление по постоянному току?

12. Что называют током омического вырождения диода?

13. Чем характеризуется неидеальность ВАХ реального диода?

Рекомендуемая литература

1. Старосельский В.И. Физика p - n-переходов и полупроводниковых диодов. М.: МИЭТ, 1986. С. 36-73.

14