2. Розрахункова частина
2.1. Вибір режиму роботи транзистора за постійним струмом
2.1.1.Транзистор заданий
2.1.2. На вихідних характеристик транзистора будуємо
навантажену пряму А,Б, при цьому виходимо із співвідношення:
Ек = Uке + Iк*Rк
Звідки Iк =
Принявши Uке = 0 В, знаходимо координати точки А:
Iк = = 50 мА
Принявши Uке = 0 В, знаходимо координати точки Б:
Ек = Uке = 5 В
Робоча активна ділянка транзистора обмемується точками А`, Б`
Робочу точку R обераємо посередині відрізка А`, Б`
2.1.3. Визначаємо координати робочої точки :
Iкр = 20 мА
Uке = 3 В
Iбр = 0,4 мА
Визначаємо потужність розсіювання на транзисторі :
Рк = Ікр*Uкр = 20*3 = 60 Вт = 60* = 0,06 мВ
2.1.4. Наносимо робочу точку робочу точку P` на вхідні
характеристики транзстора
Робочу точку наносять на характеристику зняту при Uке
Визначаємо напругу зміщення на базі для робочої точки Uбер = 0,7 В
2.1.5. Наносимо напругу вхідного сигналу на вхідні
характеристики транзистора
2.1.6. Визначаємо зміну складову струму бази :
Ібр = - Ібр = 0,6 – 0,4 = 0,2 мА
2.1.7. На вхідні характеристики наносимо зміну складову Ібр
Знаходимо зміну складову колекторного струму :
Ікм = - Ікр = 36 – 20 = 16 мА
2.1.8. Визначаємо зміну складову колекторної напруги:
Uкем = – = 6 – 3 = 2 В
2.2.ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ПІДСИЛЮВАЧА
2.2.1. Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою :
Кu = = = = 20 В
2.2.2. Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за струмом :
Кi = = = = 80 мА
2.2.3. Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за потужністю :
Кр = Кu*Кі = 20 В * 80 мА = 1600
2.2.4. Визначаємо вхідний опір каскаду :
Rвх = = = = = 500 Ом
2.2.5. Визначаємо вихідний опір каскаду :
Rвих = = = = = 125 Ом
2.2.6. Визначаємо опір навантаження каскаду :
Rн = = = = 0,09 кОм
2.3. Розрахунок елементів схеми
2.3.1. Розрахунок опір резисторів дільника напруги :
R = ,
де Іd – cтрум дільника , який вибирають у межах Id = (2..5) Iбр
Приймаємо Іd = 2*Ібр = 2*0,4 = 0,8 мА
R = = 3,5* = 3500 Ом
Визначаємо потужність розсіювання резистора R :
= I - R = *3500 = 0,00064*3500 = 2,24 Вт
Вибираємо резистор R типу МЛТ 1 – 3,6 кОм
R = = = = = 3583,3 Ом
Найближчий номінал за шкалою опорів – 36 кОм
Визначаємо потужність розсіювання резистора R :
= I - R = *3583,3 = *3583,3 = 0,0022 Вт
Вибираємо резистор R типу МЛТ 1 – 36 кОм
2.3.2. Визначаємо опір в емінетрному колі транзистора :
= = = = 50 кОм
Найближчий номінал за шкалою опорів –50 кОм
Визначаємо потужність розсіювання резистора
= - = 0,00 *50000 = 20 Вт
Вибираємо резистор типу МЛТ 1 – 50 кОм
2.3.3. Визначаємо ємкість блокуючого конденсатора :
= = = = 1,6 мкФ
Найближчий номінал за шкалою ємкості – 2 мкФ
Визначаємо напругу на конденсаторі :
= 0,2*Ек = 0,2*5В = 1 В
Вибираємо конденсатор типу – 1 В
2.3.4. Визначаємо ємність розділових конденсаторів :
= = =
= = 0,48мкф
= = =
= =5,74мкФ
де задано у вихідних даних – 2кОм
Найближчий номінал за шкалою ємкостей – 6 мкФ