Дифференциальные параметры полевых транзисторов.
Ток стока в полевом транзисторе является функцией двух переменных –IС= . Малые приращения связаны линейной зависимостью:
ΔIС=SΔUЗИ+GiΔUСИ, (65)
где S – крутизна, Gi – выходная проводимость полевого транзистора. Величина, обратная выходной проводимости Ri=Gi-1 называется выходным (иногда внутренним) сопротивлением Дифференциальные параметры S, Gi являются частными производными функции IС= в выбранной рабочей точке
, (66)
Отношение приращений напряжений стока и затвора при постоянном токе стока называется статическим коэффициентом усиления μ:
(67)
Из соотношения (65) следует:
(68)
Из выражений (64) и (63) следует
S= b(UЗИ – UПОР)=1/r’K (69)
Дифференциальные параметры можно найти как по выходным, так и по передаточным, характеристикам, беря отношения приращения переменных около рабочей точки с соблюдением условия линейности и постоянства другой независимой переменной. В качестве примера найдем дифференциальные параметры транзистора 2П303 в рабочей точке UЗИ=-1В, UСИ=11В (рис.24):
В данном случае нельзя найти μ непосредственно по характеристикам, т.к. точка пересечения с другой характеристикой при заданном IС выходит за пределы линейной области. Этот параметр вычисляется по формуле (68):
=2,820=56
Все три параметра можно найти непосредственно по передаточным характеристикам.
Частотные свойства полевых транзисторов.
Н а высоких частотах упрощенную малосигнальную эквивалентную схему как ПТ с p-n-затвором, так и МДП-транзистора, можно представить в виде, показанном на рис.28. Упрощение заключается в том, что здесь пренебрегается омическими сопротивлениями высоко легированных областей стока и истока и обратным током p-n-переходов.
В этой схеме СЗК – емкость между затвором и каналом, на заряжении которого основан сам принцип действия транзисторов, r’K - распределенное сопротивление канала. Остальные емкости в схеме - емкость между затвором и истоком СЗИ, между затвором и стоком СЗC; стоком и подложкой СCП. – являются паразитными. В ПТ емкости СЗИ, СЗС обусловлены боковой поверхностью затвора, в МДП-транзисторах – частичным перекрытием затвором областей стока и истока, в ПТ с затвором Шоттки эти емкости отсутствуют. Ri - выходное дифференциальное сопротивление.
Генератор тока в выходной цепи управляется напряжением с крутизной , зависящей от частоты. Сопротивление канала и ток стока не могут измениться, пока не зарядится емкость СЗК. Можно считать также, что генератор управляется напряжением на этой емкости с коэффициентом S0, не зависящим от частоты. В этом случае эквивалентную схему называют физической, ее элементы не зависят от частоты. Емкость СЗК заряжается с постоянной времени S, которая и является постоянной времени крутизны:
S= r’K СЗК (70)
Соответственно, частотная зависимость крутизны определяется выражением
, (71)
где S0 – статическая крутизна, , – граничная частота крутизны, на которой . Постоянная времени крутизны квадратично зависит от длины канала и не зависит от его ширины.
Для ПТ с p-n-затвором , для МДП - .
Для транзисторов с n–каналом =1400см2 (Вс), s=500см2 (Вс). При одинаковой длине канала L=10мкм, полагая UОТС=2В , UЗИ – UПОР=4В, получаем S одного порядка величины для обоих видов транзисторов (0,7 и 0,5нс), которой соответствует граничная частота fS=S (2)300МГц. Современная технология позволяет изготовлять МДП-транзисторы с L<1мкм и fS>15 ГГц, что не удается реализовать в ПТ с p-n-затвором.
Постоянная времени крутизны S определяет предельное быстродействие транзистора. В реальных схемах быстродействие часто ограничивается паразитными емкостями, которые определяют входную вх и выходную вых постоянные времени
вх=Rист.сCвх, вых=RСCвых,
где Rист.с – сопротивление источника входного сигнала, Cвх и Cвых – входная и выходная емкость, Cвых= CСП+CН, CН – емкость нагрузки, RС – сопротивление нагрузки.
Проходная емкость CЗС сильно влияет на частотные свойства, образуя цепь обратной связи. Ток, протекающий через эту емкость
,
где KU – коэффициент усиления по напряжению. Таким образом CЗС дает вклад во входную емкость с коэффициентом 1+KU (эффект Миллера):
Cвх= СЗК+ CЗИ+(1+ KU:)CЗС (72)
Ток, протекающий через емкость СЗС, создает на сопротивлении Rист.с дополнительное напряжение , пропорциональное выходному напряжению. При определенном характере нагрузки оно совпадает по фазе с входным напряжением, что может привести к самовозбуждению усилителя.