Файловый архив студентов. Файловый архив студентов.
1269 вузов, 4660 предметов.
/ Регистрация
FAQ Обратная связь Вопросы и предложения
Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Южный Федеральный Университет
Предмет:
[НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Файл:
ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕОРИЯ П( оветы ).doc
Скачиваний:
16
Добавлен:
28.07.2019
Размер:
423.94 Кб
Скачать
☆
►Содержание►

    1. Закон Ома;

    2. закон Ричардсона-Дэшмена;

    3. закон Ричардсона;

    4. закон Богуславского-Лэнгмюра.

  1. В пентоде на экранирующую сетку подается потенциал:

    1. который надо усилить;

    2. анодный потенциал;

    3. катодный потенциал;

    4. она не подключена в цепь.

  1. В пентоде на антидинатронную сетку подается потенциал:

    1. который надо усилить;

    2. анодный потенциал;

    3. катодный потенциал;

    4. она не подключена в цепь.

  1. В пентоде на управляющую сетку подается потенциал:

    1. который надо усилить;

    2. анодный потенциал;

    3. катодный потенциал;

    4. она не подключена в цепь.

  1. Измеренные величины массы электронов в полупроводниках не совпадают с массой свободных электронов из-за:

    1. внутреннего фотоэффекта;

    2. зависимости сопротивления от магнитного поля;

    3. наличия дырок в полупроводниках;

    4. воздействия на носители кристаллической решетки.

  1. Носителями заряда в полупроводниках при примесной проводимости могут быть:

    1. электроны и дырки в равных концентрациях;

    2. электроны или дырки;

    3. ионы;

    4. куперовские электронные пары.

  1. Носителями заряда в полупроводниках при собственной проводимости могут быть:

    1. электроны и дырки в равных концентрациях;

    2. электроны или дырки;

    3. ионы;

    4. куперовские электронные пары.

  1. Из р-области в n-область полупроводникового диода свободно проходят:

    1. ионы;

    2. дырки;

    3. электроны;

    4. электроны и дырки.

  1. Из n-области в р-область полупроводникового диода свободно проходят:

    1. ионы;

    2. дырки;

    3. электроны;

    4. электроны и дырки.

  1. В базе р-n-р транзистора основными носителями заряда являются:

    1. электроны;

    2. дырки;

    3. ионы;

    4. куперовские пары электронов.

  1. В базе n-р-n транзистора основными носителями заряда являются:

    1. электроны;

    2. дырки;

    3. ионы;

    4. куперовские пары электронов.

  1. Тепло на контакте двух веществ выделяется или поглощается при протекании тока за счет эффектов:

    1. Холла;

    2. Зеебека;

    3. Томсона;

    4. Пельтье.

  1. Термоток в замкнутой цепи из двух веществ, контакты которых находятся при разных температурах, возникает за счет эффектов:

    1. Холла;

    2. Зеебека;

    3. Томсона;

    4. Пельтье.

  1. При протекании тока через образец вещества, в котором имеется градиент температуры, тепло выделяется или поглощается за счет эффектов:

    1. Холла;

    2. Зеебека;

    3. Томсона;

    4. Пельтье.

  1. Электрическое поле в образце вещества, через который течет ток и в котором создано магнитное поле, возникает за счет эффектов:

    1. Холла;

    2. Зеебека;

    3. Томсона;

    4. Пельтье.

  1. С помощью механико-магнитных эффектов можно определить:

    1. удельный заряд носителей;

    2. элементарный электрический заряд;

    3. гиромагнитное отношение;

    4. знак носителей заряда.

  1. С помощью циклотронного резонанса можно определить:

    1. удельный заряд носителей;

    2. элементарный электрический заряд;

    3. гиромагнитное отношение;

    4. знак носителей заряда.

  1. С помощью эффекта Холла можно определить:

    1. удельный заряд носителей;

    2. элементарный электрический заряд;

    3. гиромагнитное отношение;

    4. знак носителей заряда.

  1. С помощью электронного парамагнитного резонанса можно определить:

    1. удельный заряд носителей;

    2. элементарный электрический заряд;

    3. гиромагнитное отношение;

    4. знак носителей заряда.

  1. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью эффектов:

    1. Пельтье;

    2. Зеебека;

    3. Томсона;

    4. Холла.

  1. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

    1. метода горячего зонда;

    2. эффекта Пельтье;

    3. правила Ленца;

    4. эффекта Зеебека.

  1. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

    1. эффекта Томсона;

    2. эффекта Пельтье;

    3. эффекта Зеебека;

    4. циклотронного резонанса.

  1. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

    1. магнитоэлектрического эффекта: измерения продольной разности температур;

    2. магнитоэлектрического эффекта: измерения поперечной разности температур;

    3. циклотронного резонанса;

    4. электронного парамагнитного резонанса.

  1. В классическом сверхпроводнике носителями заряда являются:

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Помощь Обратная связь Вопросы и предложения Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности