18. Обозначение и маркировка полупроводниковых диодов.

Первый элемент – буква или цифра, характеризует используемый материал: Г(1) – германий (Ge); К(2) – кремний (Si); А(3) – галлий (Ga) и его соединения; И(4) – индий In и его соединения. Второй элемент – буква, характеризует тип диода: Д – выпрямительный; В – варикап; И – туннельный и обращенный; С – стабилитрон и стабистор; Л – излучающий светодиод. Третий элемент – цифра, характеризует назначение диода. Например, для диодов группы Д: 1 – выпрямительные маломощные (ток до 300 мкА); 2 – выпрямительные средней мощности (ток до 10 А); 3 – диоды большой мощности (ток свыше 10 А); 4–9 – диоды импульсные с различным временем восстановления. Четвертый элемент (2–3 цифры) – номер разработки (для стабилитрона – напряжение стабилизации в десятых долях вольта). Пятый элемент – буква, характеризует вариант по параметрам.

19. Полупроводниковые диоды: вольтамперная характеристика и основные параметры.

Основные характеристики и параметры диодов-Вольт-амперная характеристика,Постоянный обратный ток диода,Постоянное обратное напряжение диода,Постоянный прямой ток диода,Диапазон частот диода,Дифференциальное сопротивление,Ёмкость,Пробивное напряжение,Максимально допустимая мощность,Максимально допустимый постоянный прямой ток диода,

20. Классификация транзисторов обозначение и маркировка.

Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. На принципиальных схемах обозначается "VT" или "Q".

По структуре:Биполярные,

n-p-n структуры, «обратной проводимости».p-n-p структуры, «прямой проводимости»

Полевые-с p-n переходом,с изолированным затвором

Однопереходные

Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона)

По мощности

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:

маломощные транзисторы до 100 мВт

транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт

мощные транзисторы (больше 1 Вт).

По материалу и конструкции корпуса

металло-стеклянный

пластмассовый

керамический

Обозначение транзисторов разных типов.Условные обозначения:Э — эмиттер, К — коллектор, Б — база;З — затвор.

Первый элемент-код материала Второй- тип прибора Третий- функция прибора

21. Характеристики и основные параметры транзисторов.

Транзи́стор (англ. transistor) — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. На принципиальных схемах обозначается "VT" или "Q".

Классификация транзисторов

По основному полупроводниковому материалу-Германиевые,Кремниевые,Арсенид-галлиевые

Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок.

По структуре

По мощности

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:

маломощные транзисторы до 100 мВт

транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт

мощные транзисторы (больше 1 Вт).

По исполнению

дискретные транзисторы

корпусные

Для свободного монтажа

Для установки на радиатор

Для автоматизированных систем пайки

бескорпусные

транзисторы в составе интегральных схем.

По материалу и конструкции корпуса-металло-стеклянный,пластмассовый,керамический