![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Продолжение табл.1.1 Окончание табл. 1.1
- •[Править] Свойства диодов Шоттки
- •51.Светодиоды,фотодиоды,лазерные диоды.
- •49.Туннельный диод
- •48Варикапы.
- •47. Стабилитроны и стабисторы.
- •46.Выпрямительные диоды. Диоды
- •Полупроводниковые диоды
- •44. Трансформаторы
- •43 Применение индуктивностей(фильтрация,кол. Контур,lc-фильтры,согласование импендансов)
- •4 Скважность,меандр,длительность
- •Четырёхпо́люсник — многополюсник, имеющий четыре точки подключения. Как правило, две точки являются входом, две другие — выходом.Также существуют
49.Туннельный диод
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. В диапазоне напряжений от U1 до U2 дифференциальное сопротивление отрицательно. Обычные диоды при увеличении прямого напряжения монотонно увеличивают пропускаемый ток. В туннельном диоде квантово-механическое туннелирование электронов добавляет горб в вольтамперную характеристику, при этом, из-за высокой степени легирования p и n областей, напряжение пробоя уменьшается практически до нуля. Туннельный эффект позволяет электронам преодолеть энергетический барьер в зоне перехода с шириной 50..150 Å при таких напряжениях, когда зона проводимости в n-области имеет равные энергетические уровни с валентной зоной р-области.[1] При дальнейшем увеличении прямого напряжения уровень Ферми n-области поднимается относительно р-области, попадая на запрещённую зону р-области, а поскольку тунелирование не может изменить полную энергию электрона[2], вероятность перехода электрона из n-области в p-область резко падает. Это создаёт на прямом участке вольт-амперной характеристики участок, где увеличение прямого напряжения сопровождается уменьшением силы тока. Данная область отрицательного дифференциального сопротивления и используется для усиления слабых сверхвысокочастотных сигналов. Наибольшее распространение на практике получили туннельные диоды из Ge, GaAs, а также из GaSb. Эти диоды находят широкое применение в качестве генераторов и высокочастотных переключателей, они работают на частотах, во много раз превышающих частоты работы тетродов, — до 30...100 ГГц.
Диод Ганна
Диод
Ганна (изобретён Джоном
Ганном в 1963 году) —
тип полупроводниковых
диодов, использующийся для
генерации и преобразования колебаний
в диапазоне СВЧ. В отличие от других
типов диодов, принцип действия диода
Ганна основан не на свойствах p-n-переходов,
а на собственных объёмных свойствах
полупроводника.
Традиционно диод Ганна состоит из слоя арсенида галлия толщиной от единиц до сотен микрометров с омическими контактами с обеих сторон. В этом материале в зоне проводимости имеются два минимума энергии, которым соответствуют два состояния электронов — «тяжёлые» и «лёгкие». В связи с этим с ростом напряжённости электрического поля средняя дрейфовая скорость электронов увеличивается до достижения полем некоторого критического значения, а затем уменьшается, стремясь к скорости насыщения.
Вольт-амперная характеристика диода Ганна
48Варикапы.
Варикап
(от англ. vari(able) —
«переменный», и cap(acity) —
«ёмкость») — полупроводниковый
диод, работа которого основана
на зависимости барьерной ёмкости
p-n
перехода от обратного напряжения.
Варикапы применяются в качестве элементов
с электрически управляемой ёмкостью в
схемах перестройки частоты колебательного
контура, деления и умножения
частоты, частотной
модуляции, управляемых
фазовращателей и др
47. Стабилитроны и стабисторы.
Стабилитрон
- (англ. Zener diode) кремниевый диод, работающий
в режиме пробоя. При этом напряжение на
нем слабо зависит от тока.
При
малом пробивном напряжении (до 5.5 В)
преобладает туннельный механизм пробоя
(англ. Zener effect), при напряжении больше
7-8 В - лавинная ионизация. Поэтому
стабилитроны показывают разную
температурную зависимость напряжения
стабилизации (Uст.) - при малом напряжении
при повышении тем-ры Uст. падает, при
большом растет, в интервале 5-7В оба
механизма примерно компенсируют друг
друга. Для стабилитронов существует
как максимальный ток стабилизации,
ограниченный рассеиваемой мощностью;
так и минимальный, ниже которого его
характеристика нестабильна.
Для
снижения температурной зависимости
Uст. используют прецизионные
стабилитроны,
которые представляют собой стабилитрон
с последовательно включенным диодом в
одном корпусе. При этом рост Uст. с тем-рой
компенсируется снижением напряжения
на диоде. Такая термокомпенсация
однако зависит от тока, поэтому
прецизионные стабилитроны следует
использовать при номинальном токе.
Можно также использовать обычный
стабилитрон, включив его последовательно
с диодом и обеспечив хороший тепловой
контакт.
Двуханодные
(двуполярные) стабилитроны
представляют собой два одинаковых
встречно включенных стабилитрона. Они
предназначены для симметричного
ограничения двуполярных напряжений.
Для этих стабилитронов дополнительно
нормируется асимметрия Uст.
Импульсные
стабилитроны
- предназначены для ограничения импульсных
напряжений.
Стабисторы
предназначены для стабилизации напряжений
от долей вольта до 2В, на которые не
существует стабилитронов. По сути они
представляют собой кремниевый диод(диоды)
в прямом включении, напряжение на котором
около 0.6-0.7В.
Стаби́стор (ранее нормистор) — полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики (то есть в области прямого смещения напряжение на стабисторе слабо зависит от тока). Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации[1], которое составляет примерно 0,7 В. Последовательное соединение двух или трёх стабисторов даёт возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения стабилизации. Некоторые типы стабисторов представляют собой единый набор с последовательным соединением отдельных элементов.
Стабисторам присущ отрицательный температурный коэффициент сопротивления, то есть напряжение на стабисторе при неизменном токе уменьшается с увеличением температуры. В связи с этим стабисторы используют для температурной компенсации стабилитронов с положительным коэффициентом напряжения стабилизации.
Основная часть стабисторов — кремниевые диоды. Кроме кремниевых стабисторов промышленность выпускает и селеновые поликристаллические стабисторы, которые отличаются простотой изготовления, а значит, меньшей стоимостью. Однако селеновые стабисторы имеют меньший гарантированный срок службы (1000 ч) и узкий диапазон рабочих температур.
Примеры стабисторов КС107А — Uст = 0,7 В КС113А — Uст = 1,3 В КС119А — Uст = 1,9 В