- •Часть 1
- •Лабораторная работа №1 Исследование полупроводниковых диодов
- •Введение
- •Выпрямительные диоды
- •Общие параметры диодов
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
- •Введение
- •Основные характеристики транзистора
- •Схемы включения транзисторов
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №3 Исследование работы полевого транзистора
- •Введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №4
- •1. Снятие статических и нагрузочной характеристик триода
- •2. Снятие статических и нагрузочных характеристик пентода
- •Исследование выпрямителя для питания радиоэлектронной аппаратуры
- •I. Вентили
- •II. Однополупериодное выпрямление
- •III. Двухполупериодное выпрямление с отводом от средней точки
- •IV. Двухпериодный мостиковый выпрямитель
- •V . Фильтры
- •VI. Особенности режима работы вентилей выпрямителя. Угол отсечки
- •VII. Переменная составляющая напряжения Коэффициент пульсаций
- •VIII. Внешняя характеристика выпрямителя
- •IX. Коэффициент сглаживания фильтра
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №6
- •Введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №7 Изучение работы стабилизаторов напряжения
- •Введение
- •Параметрические стабилизаторы
- •Компенсационные стабилизаторы
- •Порядок выполнения работы
- •Литература
- •Лабораторная работа №8 Исследование характеристик усилителя нч
- •Введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №9 Изучение работы мультивибраторов
- •Введение
- •1. Симметричный мультивибратор
- •2. Ждущий мультивибратор с катодной связью
- •3. Схема мультивибратора на полупроводниковых приборах
- •Описание принципиальной схемы стенда эс-8
- •Порядок выполнения работы
- •Ждущий мультивибратор с катодной связью и регулируемым смещением
- •Мультивибратор на транзисторах
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа № 10 Изучение работы триггеров
- •Введение
- •Симметричные триггеры на транзисторах.
- •Описание экспериментального стенда.
- •Порядок выполнения работы.
- •Контрольные вопросы
- •Какие схемы запуска триггеров применяются в практических схемах?
- •Ключевой режим работы лампы (транзистора). Литература:
Литература
1. Балычев А.Л., Лямин П.М., Тулиев Е.С. Электронные приборы. М.:ЛАЙТ ЛТД, 2000.
2. Жеребцов И.П. Основы электроники. Л., “Энергоатомиздат”. Ленинградское отделение, 1990 г.
3. Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. М.: "Высшая школа", 1965.
4. Батушев В.А. Электронные приборы. М.: "Высшая школа", I980.
5. Бочаров Д.И. Электронные приборы. М.: "Энергия", 1979.
6. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы. 2 издание. М.: "Высшая школа", 1979.
Лабораторная работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Снятие статических характеристик транзистора.
Определение параметров, характеризующих усилительные свойства транзисторов.
Введение
Биполярный транзистор – это плоскостной полупроводниковый триод, который содержит монокристалл полупроводника, состоящий из трех областей с разным типом проводимости. Две крайние области всегда обладают одинаковой проводимостью, противоположной по отношению к средней. По типу проводимости различают транзисторы структуры р-n-р и n-р-n. Механизм протекания процессов в обоих типах транзисторов одинаков, за исключением полярности прикладываемого напряжения. На рисунке 1 схематично изображен транзистор (триод) и его условное обозначение в радиотехнических схемах.
Рис. 1.
Переход, работающий в прямом направлении, называется эмиттерным переходом, второй переход, смещенный в обратном направлении, называется коллекторным переходом. Средний слой называется базой. Область, примыкаемая к эмиттерному переходу, называется эмиттером (это название обуславливает способность инжектировать носители в слой базы). Область, примыкающая к коллекторному переходу, носит название коллектор (основным назначением которого является экстракция носителей из базы). Толщина базы должна иметь малую величину, иначе инжектированные эмиттером носители будут успевать рекомбинировать в процессе перемещения через базу.
В равновесном состоянии, т.е. когда эмиттер, коллектор, и база закорочены (или разомкнуты), электроны базы и дырки эмиттера находятся перед потенциальными барьерами (рис.2а), которые они могут преодолеть, получив большое количество энергии извне.
Приложим к эмиттеру напряжение смещения в прямом направлении т.е. плюс источника к выводу эмиттера, а коллекторный переход сместим в обратном направлении, т.е. к коллектору через сопротивление нагрузки RK подсоединим минус источника смещения.
Рис. 2.
Потенциальный барьер эмиттерного перехода понизится (рис. 26) и начнется инжекция дырок в базу и электронов из базы (область) в эмиттер. Часть встречающихся дырок и электронов в базе рекомбинируют друг с другом, но большая часть дырок доходит до коллекторного перехода и “скатывается” по потенциальному барьеру в коллектор. В выходной цепи начинает протекать ток, по величине близкий к току эмиттера. Небольшая разница в токах (эмиттерного и коллекторного) обусловлена током базы, т.к. она пополняется электронами в количестве, необходимом для возможной рекомбинации с дырками в области базы. Ток коллектора, протекая по сопротивлению нагрузки RK, вызывает на нем выделение мощности, т.е. токи эмиттера и коллектора почти равны, а напряжение на нагрузке больше напряжения на эмиттерном переходе.