1.2.3.Основные принципы работы в оболочке Sentaurus Workbench
Основной информационно-структурной единицей в SenTaurus является проект, который связывается с конкретным вычислительным экспериментом и который описывает последовательность необходимых для этого приложений и наборы варьируемых в них параметров (т.е. вычислительный поток с планом эксперимента). С целью облегчения логической структуры проект может быть разбит на более мелкие части, называемые сценариями.
Работа в оболочке SWB может проводиться различными способами: через меню, с помощью управляющих кнопок, с помощью левой и правой кнопок мыши и с помощью кнопок на клавиатуре. При этом практически все команды эквивалентны командам оболочки Genesis, подробно описанной в пособии Макарова Е.А.
Рис. 1.2. Общий вид окна SWB
Рис. 1.3. Окно SWB при создании рабочего потока для текущего проекта
Рис. 1.4. Окно SWB при выполнении сценария Dose_Energy для проекта Lab1_b
1.2.4.Основные принципы работы в оболочке Ligament Flow
Рис. 1.5. Окно Ligament Flow при определении параметров головной части
Рис. 1.7. Окно Ligament Flow при просмотре командного файла sprocess_lig.cmd
1.2.5.Основные принципы работы в оболочке Inspect
Рис. 1.8. Одномерный профиль распределения примесей в мелком переходе
1.2.6.Основные принципы работы в оболочке Tecplot_SV
Рис. 1.8. Двумерный профиль распределения примесей в мелком переходе в двух контрольных точках маршрута: Diode_1 (после маски) и Diode_2 (конец маршрута)
1.2.7. Описание структуры командного файла для работы в системе технологического моделирования SProcess
Командный файл для SProcess Работа в оболочке SWB может проводиться различными способами: через меню, с помощью управляющих кнопок, с помощью левой и правой кнопок мыши и с помощью кнопок на клавиатуре.
## ------------------------------------
## ---- Lab_1a -----
## ------------------------------------
#
set sim_left 0
set sim_right 1.0
set sim_bottom 1
set sim_top 0
## -----------------------------------##
## -------- LIGAMENT OUTPUT --------##
## -----------------------------------##
## ------- user defined grid ---------##
## -----------------------------------##
# ----- Control Models. --------------------------------------------
implant tables=Default
pdbSet Silicon Dopant DiffModel Pair
# ----- Control Grid. ----------------------------------------------
mgoals on min.normal.size=0.01 max.lateral.size=0.025 normal.growth.ratio=1.1 accuracy=1<nm>
# ----- Forming Grid. ----------------------------------------------
line x location=0 spacing=0.1 tag=Top
line x location=1 spacing=0.1 tag=Bottom
line y location=0 spacing=0.1 tag=Left
line y location=1 spacing=0.1 tag=Right
# ----- Forming Substrate. -----------------------------------------
region Silicon xlo=Top xhi=Bottom ylo=Left yhi=Right
init concentration=6.80e+14 field=Boron wafer.orient=100 slice.angle=[CutLine2D 0 0 0.0 1.0]
## ------------------------------------
## ---- Forming a Diode Structure. -----
## ------------------------------------
## ----- Oxide-Mask Deposition. ------------------------------------
mask name=window segments= { 0 0.4 0.6 1 } negative
deposit Oxide thickness=0.3 type=anisotropic mask=window
## ----- Save Struct. ---------------------------------------------
struct smesh=Diode_1
## ----- Phosphorus Implantation. ---------------------------------
implant Phosphorus dose=1e14 energy=30 tilt=7 rot=-90
## ----- Annealing. -----------------------------------------------
temp_ramp name=tempramp_1_2 time=0.5 temp=1100
diffuse temp_ramp=tempramp_1_2
## ----- Save Struct. ---------------------------------------------
struct smesh=Diode_2
## ----- Save Profiles. -------------------------------------------
SetPlxList { Boron }
WritePlx Boron.plx y=0.5
SetPlxList { Phosphorus }
WritePlx Phosphorus.plx y=0.5
SetPlxList { NetActive }
WritePlx NetActive.plx y=0.5
## ----- Rs Xj Calculation. ---------------------------------------
SheetResistance y=0.5
## ----- The End. -------------------------------------------------
exit
Замечание:
строки mgoals и init concentration набираются без переноса.