- •1. Полупроводниковые приборы Электрические свойства полупроводниковых материалов
- •Механизм электропроводности полупроводников
- •Электронно-дырочный переход (эдп)
- •2. Полупроводниковые диоды Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры полупроводниковых диодов
- •Виды пробоев эдп Лавинный пробой
- •Тепловой пробой
- •Устройство точечных диодов
- •Устройство плоскостных диодов
- •Условное обозначение силовых диодов
- •Условное обозначение маломощных диодов
- •Стабилитрон
- •Туннельный диод
- •5.10. Обращенный диод
- •Варикап
- •Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды
- •3. Транзисторы
- •Распределение токов в структуре транзистора
- •Схемы включения транзисторов. Статические вах
- •Схемы включения транзистора как усилителя электрических сигналов
- •Краткие характеристики схем включения транзистора. Области применения схем
- •Режимы работы транзистора
- •Работа транзистора в ключевом режиме
- •Малосигнальные и собственные параметры транзисторов
- •Параметры биполярных транзисторов
- •Классификация и системы обозначений (маркировка) транзисторов
- •5. Полевые транзисторы
- •6.15. Технологии изготовления транзисторов
- •Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt - транзисторы)
- •5. Тиристоры Назначение и классификация
- •Диодные и триодные тиристоры
- •Переходные процессы при включении и выключении тиристора
- •Основные параметры тиристоров
- •Маркировка силовых тиристоров
- •Лавинные тиристоры
- •Симметричные тиристоры (симисторы)
- •Полностью управляемые тиристоры
- •Специальные типы тиристоров
- •Конструкции тиристоров
Параметры биполярных транзисторов
Различают электрические параметры, предельные эксплуатационные параметры и параметры эквивалентных схем (параметры схем замещения).
К электрическим параметрам относятся:
– fh21(f) – предельная частота коэффициента передачи тока транзистора;
– h21Э() – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;
– UКЭ 0 гр – граничное напряжение транзистора;
– UКЭ нас – напряжение насыщения коллектор - эмиттер;
– UЭБ нас – напряжение насыщения эмиттер - база;
– СК, СЭ – емкости коллекторного и эмиттерного переходов соответственно;
– Iкбо, Iэбо – обратные токи коллектора и эмиттера соответственно.
К предельно-допустимым параметрам относятся:
– UКБ, UЭБ – постоянные напряжения коллектор-база и эмиттер-база соответственно;
– РК макс – постоянная рассеиваемая мощность коллектора (определяет нагрузочную способность транзистора);
– Тп – температура перехода.
Классификация и системы обозначений (маркировка) транзисторов
Выпускаемые промышленностью транзисторы классифицируют по мощности и частоте. В настоящее время используют транзисторы как со старой маркировкой, так и с новой.
Старая маркировка содержит три элемента:
1 элемент – буква П (плоскостной транзистор) или МП (модернизированный плоскостной);
2 элемент – порядковый номер разработки транзистора, характеризующий его полупроводниковый материал, мощность рассеяния (малая – до 0,25 Вт и большая – более 0,25 Вт) и частотные свойства (низкочастотные – до 5 МГц и высокочастотные – свыше 5 МГц);
3 элемент – буква, характеризующая свойства транзистора внутри одного типа (коэффициент передачи тока базы и др.).
Номера разработки транзисторов при таком обозначении указаны в табл. 6.2.
Таблица 6.2
Порядковые номера разработки транзисторов в зависимости от материала и мощности рассеяния (старая маркировка)
Полупроводниковый материал |
Номера разработки транзисторов |
|||
Низкочастотные |
Высокочастотные |
|||
Малой мощности |
Большой мощности |
Малой мощности |
Большой мощности |
|
Германий |
1-99 |
201-299 |
401-499 |
601-699 |
Кремний |
101-199 |
301-399 |
501-599 |
701-799 |
В соответствии с табл. 6.2 транзистор П5А является германиевым низкочастотным малой мощности, а П302Б – кремниевым низкочастотным большой мощности.
Новая система маркировки содержит четыре элемента:
1 элемент – буква, обозначающая материал, на основе которого выполнен транзистор (Г – германий, К – кремний, А – арсенид галлия);
2 элемент – буква Т (транзистор биполярный), буква П (транзистор полевой);
3 элемент – порядковый номер разработки прибора, характеризующий его мощность рассеяния и частотные свойства;
4 элемент – буква, характеризующая свойства транзистора внутри одного типа (допустимые ток и напряжение).
Номера разработки транзисторов при таком обозначении указаны в табл. 6.3.
В соответствие с табл. 6.3: КТ805А – транзистор биполярный кремниевый большой мощности, предназначенный для работы с частотой до 30 МГц; ГТ150Б – транзистор германиевый низкочастотный транзистор малой мощности.
Таблица 6.3
Порядковые номера разработки транзисторов в зависимости от мощности
рассеяния и частотных свойств (новая маркировка)
Мощность Рассеяния |
Номера разработки транзисторов |
||
Низкочастотные (до 9 МГц) |
Среднечастотные (до 30 МГц) |
Высокочастотные (свыше 30 МГц) |
|
Малая (до 0,3 Вт) |
101-199 |
201-299 |
301-399 |
Средняя (до 1,5 Вт) |
401-499 |
501-599 |
601-699 |
Большая (свыше 1,5 Вт) |
701-799 |
801-899 |
901-999 |