6.Расчёт амплитудно-частотных искажений
6.1. Искажения в выходной цепи оконечного каскада.
Рис.6.1.
6.1.2. Область ВЧ.
Эквивалентная
схема выходной цепи усилителя для
области ВЧ представлена на рис.6.1. Однако
из-за действия общей ОС Rвых.ок
и Lвых.ок,
будут значительно уменьшены. Поэтому
на высоких частотах искажения практически
будут отсутствовать. Таким образом,
коэффициент частотных искажений
.
6.1.3. Область НЧ.
Рис.6.2.
Эквивалентная схема выходной цепи усилителя для области НЧ представлена на рис.6.2. Отводим половину всех заданных на усилитель искажений на выходную цепь.
.
а) Находим выходное сопротивление усилителя с учётом действия общей ОС
.
б) Рассчитываем ёмкость конденсатора С6, обеспечивающую заданные искажения
.
Принимаем по ГОСТУ С6 = 240 мкФ.
6.2. Искажения в выходной цепи ведущего каскада на транзисторе VT3.
6.2.1. Область ВЧ.
Эквивалентная схема выходной цепи каскада представлена на рис.6.3.
Рис.6.3.
Рассчитываем:
а) сопротивление эквивалентной схемы
,
б) эквивалентное сопротивление источника сигнала в области ВЧ с учётом сопротивления rб4
,
в) сопротивление эмиттерного перехода
,
г) ёмкость, нагружающая третий каскад в области ВЧ
,
д) коэффициент частотных искажений ведущего каскада в области высоких частот
.
6.2.2. Область НЧ.
Искажений в области НЧ в данной цепи нет.
6.3. Искажения в выходной цепи первого каскада.
6.3.1. Область ВЧ.
Эквивалентная схема выходной цепи каскада, без учёта ОС представлена на рис.6.4.
Рис.6.4.
Рассчитываем:
а) сопротивление эквивалентной схемы
,
б) сопротивление эмиттерного перехода VT3
,
в) нагружающую каскад в области ВЧ ёмкость
г) эквивалентное сопротивление источника сигнала в области ВЧ
,
д) коэффициент частотных искажений второго каскада на высоких частотах
.
6.3.2. Область НЧ.
В области НЧ искажений в данной цепи нет.
6.4. Искажения во входной цепи усилителя
6.4.1. Область ВЧ.
Эквивалентная схема входной цепи усилителя с учётом действия общей ОС приведена на рис.6.5.
Рис.6.5.
Рассчитываем:
а) дифференциальное сопротивление эмиттера
,
б) сопротивление эквивалентной схемы
,
в) входную емкость транзистора без обратных связей
г) местную глубину ОС во втором каскаде
,
д) общую глубину ОС во втором каскаде
,
е) входную емкость транзистора с учётом общей ОС
,
ж) емкость, нагружающую каскад в области ВЧ
,
з) эквивалентное сопротивление источника сигнала в области ВЧ
,
и) искажения во входной цепи усилителя в области высоких частот
.
6.4.2. Искажения в области НЧ
Рис.6.6.
Эквивалентная схема представлена на рис.6.6.
Отводим половину всех заданных искажений на входную цепь (см. п. 5.1.3. расчёта)
.
Рассчитываем минимальную емкость разделительного конденсатора, соответствующую заданным искажениям
Принимаем по ГОСТУ С3 = С1= 2 мкФ.
Определяем значение коэффициента искажений в области ВЧ всего усилителя
.
Рассчитываем коэффициент искажений всего усилителя в области НЧ
