- •Лабораторная работа 1 Изучение статистических закономерностей в ядерной физике
- •Особенности измерений в ядерной физике, вывод рабочих формул
- •Порядок выполнения работы. Проверка распределения Пуассона.
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 Снятие характеристики счетчика Гейгера-Мюллера по космическому излучению
- •Общие указания
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа 3 Изучение работы сцинтилляционного детектора
- •Общие указания
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6 Структурный анализ поликристаллических тел.
- •Основные указания
- •2. Экспериментальное получение рентгенограмм и електронограмм
- •3. Расшифровка рентгенограмм и электронограмм
- •Порядок проведения исследований
- •4.1. Индицирование дифрактограммы
- •4.2.Индицирование электронограммы
- •Лабораторная работа № 7 Изучение температурной зависимости электросопротивление металлов и полупроводников.
- •Основные .Указания
- •2. Приборы и принадлежности, схема опыта
- •Порядок проведения исследований
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 Определение работы выхода электронов из металла
- •Описание установки
- •Метод определения работы выхода
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №9 Изучение фотоэффекта определение постоянной планка. Основные положения
- •Задание Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №10 Контактные явления в полупроводниках Основные положения
- •Лабораторная работа № 10.1 Исследование явления испускания света полупроводниками
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 10.2 Изучение работы полупроводникового выпрямительного диода
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 10.3. Изучение работы биполярного транзисторе
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •. Условные обозначения транзисторов обоих типов в электрических схемах приведены на рис.10.9. Кружок у транзистора типа означает, что кристалл помешен в корпус.
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 11 Снятие кривой намагничивания и петли гистерезиса с помощью осциллографа.
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Упражнение 2. Снятие петли гистерезиса к определение потерь на перемагничивание
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №12 Определение точки Кюри
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №13 Определение концентрации носителей тока в полупроводниках с помощью эффекта Холла
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Примерная форма таблицы результатов
- •Вопросы дли самоконтроля
- •Лабораторная работа № 14 Изучение сериальных закономерностей в спектре атома водорода и определение постоянной Ридберга
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 15.1 Определение постоянной Стефана-Больцмана
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 15.2 Изучение поглощательной способности серых тел
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
Порядок выполнения работы
I. Перед включением установки в сеть внимательно ознакомьтесь с назначением её органов управления и измерительных приборов. Ручку регулировки напряжения вывести в крайнее левое положение, переключатель шкалы миллиамперметра поставить в крайнее правое положение.
2.. Включить установку (тумблер "Вкл."). Переключатель рода работы установить в положение "Прямой ток". Изменяя напряжение на диоде, выбрать оптимальное положение переключателя шкалы миллиамперметра.
Рис.10.7
3. Снять зависимость прямого тока от напряжения для двух диодов.
4. Установить переключатель рода работы в положение "Обратный ток"и снять зависимость обратного тока от напряжения для этих же диодов.
5. На одном графике представить полученные вольт-амперные характеристики диодов (см. рис.10.6,а).
6. Определить коэффициент выпрямления , который равен отношению прямого тока к обратному току , измеренных при одинаковых напряжениях:
.
7. Сделать вывод по работе.
Вопросы для самоконтроля
1. Какова природа электропроводности полупроводников?
2. Каким образом создается примесная электронная или дырочная проводимость полупроводников?
3. Что такое - переход? Что происходит в - переходе при действии внешнего напряжения?
4. Объяснить ход вольт-аиперной характеристики диода.
5. Как вольт-амперная характеристика выпрямительного диода изменяется с температурой?
6. Каковы основные преимущества полупроводниковых диодов?
Лабораторная работа № 10.3. Изучение работы биполярного транзисторе
Цель работы: Снять статические характеристики биполярного транзистора и определить коэффициент усиления по току схемы с общим эмиттером.
Приборы и принадлежности: биполярный транзистор, источники тока, приборы для измерения напряжения и силы тока, потенциометры.
Вывод рабочих формул и описание установки
Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы, предназначенные для использования в устройствах, осуществляющих генерацию и усиление электрических сигналов. Транзисторы различаются по числу основных носителей заряда (см.рис.10.2), используемых при работе прибора. Транзисторы, в которых используются оба вида носителей (электроны и дырки), называются биполярными. Транзисторы которых используется только один вид носителей тока; называются униполярными или полевыми. В данной работе исследуются характеристики биполярного транзистора. Условное изображение поперечного сечения биполярного транзистора показано на рис.10.8. В пластинке монокристаллического германия
или кремния с двух противоположных сторон химическим путем выполнено фрезерование, так что толщина её в этом месте составляет один-два десятка микрон. Затем в каждую из этих двух лунок вплавляется по небольшой капле индия(). При этом в каждой стороне образуются два перехода (см. рис.10.2), разделенных тонким слоем полупроводника. Общая часть кристалла, заключенная между двумя каплями, называется базой. Малая капля носит название эмиттера, большая - коллектора. В свою очередь, переход, образованный каплей эмиттера, называется эмиттерным переходом. а переход, примыкающий к коллектору, - коллекторным переходом. Итак, биполярный транзистор представляет собой кристалл полупроводника с двумя взаимодействующими переходами. Взаимодействие переходов обеспечивается тем, что они расположены на небольшом расстоянии (меньше того, на которое носители тока успевают продиффундировать за время жизни).
В зависимости от типа внешних областей переходов биполярные транзисторы бывают двух видов: и .