- •Вопрос 1.
- •Вопрос 2.
- •Вопрос 3.
- •Вопрос 4.
- •Вопрос 5.
- •Вопрос 6.
- •Вопрос 7.
- •Вопрос 8.
- •Вопрос 9.
- •Вопрос 10.
- •Вопрос 11.
- •Вопрос 12.
- •Вопрос 13.
- •Вопрос 14.
- •Вопрос 15.
- •Вопрос 16.
- •Вопрос 17.
- •Вопрос 18.
- •Вопрос 19.
- •Вопрос 20.
- •Вопрос 21.
- •Вопрос 22.
- •Вопрос 23.
- •Вопрос 24.
- •Вопрос 25.
- •Вопрос 26.
- •Вопрос 27.
- •Вопрос 28.
- •Вопрос 29.
- •Вопрос 30.
- •Вопрос 31.
- •Вопрос 32.
- •Вопрос 33.
- •Вопрос 34.
- •Вопрос 35.
- •Вопрос 36.
- •Вопрос 37.
- •Вопрос 38.
- •Вопрос 39.
- •Вопрос 40.
- •Вопрос 41.
- •Вопрос 42
- •Вопрос 48.
- •Вопрос 49
- •Вопрос 52.
- •Вопрос 53.
- •Вопрос 54.
- •Вопрос 55.
- •Вопрос 56.
- •Вопрос 57.
- •Вопрос 58.
- •Вопрос 59.
- •Вопрос 61.
- •Вопрос 62.
- •Вопрос 70.
- •Вопрос 71.
Вопрос 18.
Стабилитронами и стабисторами называют кремниевые полупроводниковые диоды, вольт-амперные характеристики которых имеют участки малой зависимости напряжения от протекающего тока (участки аб и вг на рис. 37,а). Поэтому стабилитроны и стабисторы используют в стабилизаторах напряжения и тока. Участки характеристик, соответствующие режимам работы этих приборов в схемах, называют рабочими. Рабочие участки аб стабилитронов и вг стабисторов находятся соответственно на обратной и прямой ветвях характеристик. Стабилитроны работают в режиме неразрушающего электрического пробоя — туннельного или лавинного, а стабисторы — прямого напряжения на р-п-переходе. Поэтому в качестве стабисторов используют кремниевые диоды, включенные в прямом направлении. Основными параметрами стабилитронов являются: номинальное напряжение стабилизации (Лт.ном — среднее напряжение стабилизации, измеренное при определенном токе стабилизации /ст; разброс напряжения стабилизации Д6^Ст — интервал напряжений, в пределах которого находится напряжение стабилизации; средний температурный коэффициент напряжения стабилизации ас/ст, показывающий, на сколько процентов изменится 1/с-т при изменении температуры окружающей среды на 1 К; дифференциальное сопротивление г„, определяющее стабилизирующие свойства прибора и показывающее, в какой степени ^ст зависит от тока; минимально допустимый ток стабилизации /Сттт (при меньших токах резко возрастает гст и уменьшается Ц;Т); максимально допустимый ток стабилизации /сттах (при больших токах происходит разрушающий тепловой пробой)
Вопрос 19.
Биполярный транзистор имеет трехслойную структуру и соответственно три вывода. Среднюю область транзистора называют базой, а крайние — эмиттером и коллектором. Такие транзисторы называют биполярными, потому что перенос тока в них осуществляется носителями заряда двух типов — электронами и дырками. Концентрация примеси, а следовательно, и основных носителей заряда самая высокая в эмиттере и малая — в базе; в коллекторной области она может быть такой же, как в эмиттере. Базу транзистора выполняют очень тонкой (несколько микрометров), а коллектор должен позволять отводить теплоту, выделяющуюся при работе прибора. В активном режиме транзисторы используют для усиления электрических сигналов с минимальными искажениями формы. В режиме насыщения прямое напряжение подают на оба перехода транзистора и его сопротивление уменьшается почти до нуля. В этом режиме транзистор эквивалентен замкнутому контакту реле и используется для подключения нагрузки к источнику питания. В режиме отсечки на оба перехода транзистора подают обратные напряжения, т. е. транзистор закрыт и обладает высоким сопротивлением. В этом режиме он эквивалентен разомкнутому контакту реле. Чередуя режимы насыщения и отсечки, можно коммутировать различные электрические цепи без разрыва и, следовательно, без искрения контактов. Режимы насыщения и отсечки используют в импульсных схемах Большую часть времени транзисторы в этих схемах работают в режимах насыщения и отсечки, а при переходе из режима в режим — незначительное время в активном режиме.