![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Министерство образования и науки украины
- •Тема 1. Введение. Полупроводники. P-n-переход Введение
- •История развития электроники
- •Электропроводность полупроводников (собственная и примесная проводимость)
- •P-n-переход в состоянии термодинамического равновесия
- •P-n-переход под воздействием внешнего напряжения
- •Тема 2. Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Полупроводниковые стабилитроны
- •Варикапы
- •Тема 3. Транзисторы. Устройство и принцип
- •Устройство биполярного транзистора
- •Принцип действия и схемы включения биполярного транзистора
- •Тема 4. Характеристики и параметры
- •Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов
- •H-параметры транзистора
- •Тема 5. Полевые транзисторы
- •Тема 6. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt-транзисторы)
- •Тема 7. Тиристоры
- •Тема 8. Интегральные микросхемы (имс)
- •Элементы и компоненты имс
- •Тема 9. Общие сведения об усилителях и их классификация. Основные параметры и характеристики усилителей
- •Основные технические характеристики усилителей
- •Вопросы согласования усилителей
- •Тема 10. Каскады предварительного усиления Практические схемы ук с оэ, об и ок. Составной эмиттерный повторитель
- •Тема 11. Усилители постоянного тока
- •Дифференциальные усилители
- •Тема 12. Классы усиления
- •Тема 13. Обратные связи в усилителях Принципы обратной связи
- •Виды обратной связи
- •Тема 14. Операционные усилители Общие сведения
- •Основные схемы включения оу
- •Характеристики оу
- •Тема 15. Общие сведения об импульсных устройствах
- •Тема 16. Транзисторный ключ как формирователь импульса
- •Содержание
Варикапы
Варикап
– полупроводниковый диод, в котором
используется зависимость емкости
p-n-перехода от обратного напряжения и
который предназначен для применения в
качестве элемента с электрически
управляемой емкостью. В качестве
полупроводникового материала для
изготовления варикапов служит кремний.
Зависимость емкости варикапа от обратного
напряжения
,
которая называется вольт-фарадной
характеристикой варикапа, а также его
условное обозначение показаны на рис.
9. Максимальная емкость варикапа в
зависимости от его типа составляет
5-500 пФ. Отношение минимальной и максимальной
емкостей для данного типа прибора около
1:5. Варикапы применяют в системах
дистанционного управления и автоматической
подстройки частоты и в параметрических
усилителях с малым уровнем собственных
шумов.
Тема 3. Транзисторы. Устройство и принцип
действия биполярного транзистора
Транзистор (от англ. слов transfer – переносить и resistor – сопротивление) – полупроводниковый прибор, имеющий три и более внешних вывода, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования мощности электрических сигналов. В зависимости от принципа действия транзисторы подразделяются на биполярные и полевые (униполярные). В настоящее время чаще всего применяют полевые транзисторы, однако биполярные транзисторы по-прежнему используются в широкополосных Internet-модемах, компьютерных приставках к телевизору, DVD-плеерах и CD-ROMах.
Устройство биполярного транзистора
Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с тремя чередующимися областями полупроводников разного типа электропроводности (p-n-p или n-p-n) и двумя p-n-переходами, протекание тока в которых обусловлено носителями заряда обоих знаков – как дырками, так и электронами (отсюда и название – биполярные транзисторы).
| |
Рис. 10. Устройство сплавного транзистора структуры p-n-p |
Рис. 11. Схематическое изображение транзисторов разных структур (VT – вентиль транзисторный) |
Транзистор сплавного типа представляет собой пластинку германия (рис. 10), кремния или другого полупроводника размером 2×2 мм, обладающего электронной (n-типа) или дырочной (p-типа) электропроводностью, в объеме которой искусственно созданы две области, противоположные по электрической проводимости. Пластинка полупроводника и две области в ней образуют два p-n-перехода, каждый из которых обладает такими же электрическими свойствами, как и полупроводниковый диод. Если сама пластинка полупроводника обладает электропроводностью n-типа, а созданные в ней области – электропроводностью p-типа, то такой транзистор будет структуры p-n-p. Если электропроводность пластинки p-типа, а электропроводность ее областей n-типа, структура такого транзистора n-p-n (рис. 11).
Независимо от структуры транзистора внутренняя область между двумя p-n-переходами называется базой Б. Область меньшего объема, которая является источником носителей заряда и предназначена для их инжектирования в базу, называется эмиттером Э (электрод со стрелкой на рис. 11; стрелка эмиттера показывает направление тока через транзистор). Область бóльшего объема, которая предназначена для экстрактирования (вытягивания) носителей из базы, называется коллектором К. p-n-переход между коллектором и базой называется коллекторным, между эмиттером и базой – эмиттерным.