![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины
- •Введение
- •1. Лабораторная работа № 1 Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора
- •1.1. Цель работы
- •1.2. Указания по подготовке к лабораторной работе
- •1.3. Основные теоретические сведения
- •1.3.1. Транзистор
- •1.3.2. Эквивалентные схемы биполярного транзистора
- •1.3.3. Расчет h-параметров транзистора по его статическим характеристикам для схемы оэ
- •1.4. Описание лабораторной установки. Общее задание на выполнение лабораторной работы
- •1.4.1. Описание лабораторной установки
- •1.4.2. Общее задание на выполнение лабораторной работы
- •1.5. Порядок проведения работы
- •1.6. Обработка экспериментальных данных
- •1.7. Выводы по работе
- •1.8. Указания по оформлению отчёта
- •1.9. Вопросы для самопроверки
- •2. Лабораторная работа № 2
- •2.1. Цель работы
- •2.2. Указания по подготовке к лабораторной работе
- •2.3. Основные теоретические сведения
- •2.3.1. Выпрямительные диоды и стабилитроны
- •2.4. Порядок проведения работы
- •2.4.1. Установка прибора в нуль
- •2.4.2. Проведение измерений
- •2.4.2.1. Измерение параметров транзисторов
- •2.4.2.1.2. Измерение выходной проводимости транзистора:
- •2.4.2.1.3. Измерение коэффициента передачи тока транзистора:
- •2.4.2.1.4. Измерение обратного тока коллектора транзистора:
- •2.4.2.2. Измерение параметров диодов
- •2.4.2.2.1. Измерение обратного тока диода ir:
- •2.4.2.2.2. Измерение прямого напряжения диода:
- •2.4.2.3. Измерение параметров стабилитрона
- •2.4.2.3.1. Измерение напряжения стабилизации:
- •2.4.3. Общее задание на выполнение лабораторной работы
- •2.5. Вопросы для самопроверки
- •3. Лабораторная работа № 3
- •3.3.2. Каскад с общим эмиттером
- •3.3.3. Каскад с общим коллектором
- •3.4. Описание лабораторной установки
- •3.5. Общее задание на выполнение лабораторной работы
- •3.6. Порядок проведения работы
- •3.6.1. Каскад с общим эмиттером
- •3.6.2. Каскад с общим коллектором
- •3.7. Вопросы для самопроверки
- •4. Лабораторная работа № 4
- •4.3.2. Каскад на полевом транзисторе
- •4.4. Описание лабораторной установки
- •4.5. Общее задание на выполнение лабораторной работы
- •4.6. Порядок проведения работы
- •4.6.1. Каскад с общей базой
- •4.6.2. Каскад с общим истоком
- •4.6.3. Каскад с общим стоком
- •4.7. Вопросы для самопроверки
- •Список литературы
- •Содержание
1.3.3. Расчет h-параметров транзистора по его статическим характеристикам для схемы оэ
Реально измеренными величинами являются статические характеристики транзистора. Примерный вид входных и выходных характеристик исследуемого транзистора показан на рис. 1.4 и 1.5.
|
|
Рис. 1.4. Входные характеристики транзистора |
Рис. 1.5. Выходные характеристики транзистора |
Задаёмся режимом
работы транзистора, например:
,
.
Данному режиму на входных характеристиках
соответствует точка
,
а на выходных – точка
.
Через точку
проводим касательную к воображаемой
характеристике
при
.
Это выполнить несложно, так как приведенные
характеристики при
и
почти совпадают, а кривая при
должна лежать между ними. Затем произвольно
проводим две прямые параллельно осям
координат и получаем прямоугольный
треугольник АВС. Его катеты соответственно
равны:
;
.
Находим
Ом.
На выходных
характеристиках проводим касательную
через точку
(касательная совпадает с характеристикой
при
)
и также произвольно проводим две прямые
параллельно осям координат. Образуется
треугольник
,
из которого имеем:
.
Определяем
Cм.
Затем через точку
проводим прямую, параллельную оси
ординат, до пересечения с соседними
характеристиками, построенными при
и
.
Отрезок
.
Ему соответствует изменение тока базы
.
Находим
.
Далее вычисляем физические параметры транзистора. Сопротивление эмиттера для выбранного режима равно:
Ом,
где
и
–
токи коллектора и базы, соответствующие
точке
на
выходных характеристиках транзистора
(рис. 1.5).
Сопротивление базы равно:
Ом.
Сопротивление коллектора равно:
.
После расчёта физических параметров можно составить эквивалентную схему исследуемого транзистора.
1.4. Описание лабораторной установки. Общее задание на выполнение лабораторной работы
1.4.1. Описание лабораторной установки
Принципиальная схема для получения входных и выходных характеристик биполярного транзистора представлена на рис. 1.6. Лабораторная установка позволяет снимать статические характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ. Изменение токов и напряжений в цепи базы осуществляется с помощью регулируемого резистора R1, а в цепи коллектора – с помощью резистора R2.
|
Рис. 1.6. Схема лабораторной установки |
1.4.2. Общее задание на выполнение лабораторной работы
1. Снять входные
статические характеристики биполярного
транзистора
при
,
включенного по схеме ОЭ.
2. Снять выходные
статические характеристики транзистора
при
.
3. Построить графики статических характеристик транзистора.
4. Определить h-параметры для заданного режима транзистора по графикам его статических характеристик.
5. Вычислить физические параметры и составить эквивалентную схему транзистора.
Примечания:
1. Значения напряжения коллектор-эмиттер для снятия входных характеристик и значения тока базы для снятия выходных характеристик задаёт преподаватель.
2. Значения токов и напряжений, при которых следует рассчитать h-параметры транзистора, указаны в индивидуальных заданиях.