Вопрос 1: Какова величина порогового напряжения варикапа? Ответ: ......................
Вопрос 2: Как ведет себя емкость запорного слоя при увеличении обратного напряжения? Ответ: ......................
и
двумя
Проделайте этот с остальными р-
Поочередно устанавливая значения токов I
(эмиттер
слоями
крайними
n
ПР
(рис.
5.1.1)
собой
• •
•
•
ПР
(U
ПР
)
•
•
1 N
5. Биполярные транзисторы
5.1. Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзи- сторов
5.1.1. Общие сведения
Транзистор
представляет
условное обозначение
Б - база
К - коллектор Э - эмиттер
полупроводниковый триод, у которого тонкий р- проводящий слой помещен между двумя n-прово-
дящими слоями (n-p-n транзистор) или n-проводящий слой помещен между двумя р-проводящими слоями (p-
n-р транзистор).
р-n переходы между средним слоем (база) и
коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно
исследовать как в случае любого выпрямительного диода.
Рис.5.1.1
5.1.2. Экспериментальная часть
Задание
Снять вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного р-n переходов транзисторов типа p-n-р и типа n-p-n в прямом направлении. Убедитесь, что в обратном
направлении токи через эти р-n переходы ничтожно малы.
Порядок выполнения эксперимента
Соберите цепь согласно схеме (рис. 5.1.2а).
регулятором напряжения источника,
измерьте соответствующие значения напряжения на р-n переходе UБЭ И занесите их в табл. 5.1.1.
Измените схему в соответствии сначала с рис. 5.1.2б, затем 5.1.2в и 5.1.2г и повторите все измерения.
На рис. 5.1.3 постройте графики I
для каждого случая и убедитесь, что вольт-
амперные характеристики всех р-n переходов практически совпадают.
Установите входное напряжение источника равным нулю, поменяйте его полярность
(зажим + на —) и увеличивая напряжение до 5 В (но не выше!), убедитесь, что ток в р-n переходе практически остается равным нулю (не превышает 1 µА).
переходами согласно схеме на рис. 5.1.2 при об- ратной полярности источника питания.
1
БЭ
БК
ЭБ
|
IПР, мА |
Транзистор n-р-n |
Транзистор р-n-р | ||||||||
|
U |
, B |
U |
, В |
U |
, B |
UKБ, В | ||||
|
0 |
|
|
|
| ||||||
|
1 |
|
|
|
| ||||||
|
2 |
|
|
|
| ||||||
|
4 |
|
|
|
| ||||||
|
8 |
|
|
|
| ||||||
|
14 |
|
|
|
| ||||||
мА I
12
10
8
•
•
-
•
1
Рис. 5.1.2
Таблица 5.1.1
1
0,2 0,4 0,6
0,8
Рис. 5.1.3