Дегтяренко Свойства дефектов и их ансамблей, радиационная 2011
.pdf
ДалееI= из условия= ¶cC = M получаем трансцендентное уравнение= =
¶R
для равновесной величины параметра дальнего порядка=oGW=
|
|
|
|
|
N + R * |
Zw R * |
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
ln |
|
|
|
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
K=================ENKOQF= |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ok |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
N - R * |
q |
|
|
||||||||||||||
РешениеI= которое легко |
получитьI= если представить |
его в качестве= |
||||||||||||||||||||
обратной функции=TEoGFW= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
q ( R*) = |
Z w |
|
|
|
R * |
|
|
|
K=================ENKORF= |
|||||||||
|
|
|
Ok ln |
N + R * |
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
N - R * |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Для сплава=Am_n в тех же приближениях можно получить= |
|
|||||||||||||||||||||
æ |
b + a × R * ö |
(m + n × R *)× (n + m × R *) |
. ===ENKOSF= |
|||||||||||||||||||
exp ç- |
|
|
|
÷ |
= |
|
|
|
|
|
|
|
( |
|
|
|
|
|
O |
) |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
è |
|
kq |
ø |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
m × n × N - |
R * |
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
При получении этого уравнения был использован= ряд |
||||||||||||||||||||||
приближенийI= но |
в |
некоторых |
|
|
случаях |
их |
точности =вполне |
|||||||||||||||
достаточноK= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зная величину параметра дальнего порядкаI= можно найти= |
||||||||||||||||||||||
равновесное значение концентрации антисайтов==EрисKNKPMFW== |
||||||||||||||||||||||
|
|
|
~ |
|
|
O |
( |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
) |
|
||
|
|
|
= C* (q )= |
N |
|
N - o* (q ) K===================ENKOTF= |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
R*, Сa*
N
M.5
Сa*
T
RN=
=
=
=
=
=
РисK=NKPMK=ТемпературJ ная зависимость конценJ трации антисайтов в= упорядочивающемся= сплаве АВ=
=
=
=
=
=
1.P.4. Температурная зависимость концентрация равновесных вакансий в упорядочивающихся сплавах
Представленное решение для равновесной концентрации= антисайтов может рассматриваться как первое приближение= по
неравенству Са=[[=CvK= |
сплаве |
может |
образоваться |
различными= |
||||||||||||||
|
Антисайт |
в |
||||||||||||||||
способамиK= НапримерI= атомыI= расположенные |
на |
соседних= |
||||||||||||||||
подрешеткахI= |
обменяются |
местамиK= |
Такой |
процесс |
требует= |
|||||||||||||
координированного движения двух атомовI=поэтому вероятность его= |
|
|||||||||||||||||
невеликаK= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Однако при наличии вакансии атом |
может |
прыгнуть= |
на |
||||||||||||||
чужую подрешеткуI=просто заняв ее местоK=СледовательноI=вакансия= |
|
|||||||||||||||||
–= катализатор |
кинетических |
процессовK= Вопрос |
концентрации= |
|
||||||||||||||
вакансий в упорядочивающихся сплавах важен именно для кинетики= |
|
|||||||||||||||||
процессов упорядоченияK= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
Рассмотрим упорядочивающийся сплав АВ=ERMWRMFK=Пусть=kAI= |
|
||||||||||||||||
kB=–=количество атомов сорта=A=и=_I=kAHkBZk=–=полное число атомов= |
|
|||||||||||||||||
в сплавеK= Далее пусть= iaI= ib= –= число |
узлов подрешеток |
первого =и |
||||||||||||||||
второго |
типаI= |
ia + ib = i = |
–= |
общее |
|
число |
|
узлов |
кристаллаK= |
|||||||||
Необходимо отметитьI=чтоI=поскольку не все узлы сплава заполненыI= |
|
|||||||||||||||||
то= k A ¹ ia I= k B ¹ ib K= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
Вновь |
введем |
величины=kAαI= kBβI= kAβI= kBα= –= количество= |
|
||||||||||||||
атомов сортов=A=и=_= на соответствующих подрешеткахK=Количество= |
|
|||||||||||||||||
атомов разных сортов в кристалле сохраняетсяI= поэтому=kAαHkAβZkA= |
|
|||||||||||||||||
и= kBαHkBβZkBK= Пусть |
также= ksαI= |
ksβ= |
–= число |
вакансий |
=на |
|||||||||||||
подрешеткахI= ksαHksβZks= –= полное |
количество |
|
вакансийK= |
Тогда= |
виде |
|||||||||||||
полное |
количество |
узлов |
кристалла |
можно |
представить |
в = |
||||||||||||
iZkAHkBHksI= количество узлов первой подрешетки= iαZkAαHkBαHksαI= |
|
|||||||||||||||||
второй=–=iβZkAβHkBβHksβK= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
В случае отсутствия вакансий в кристалле для числа атомов= |
|
||||||||||||||||
сорта=A=и=_=выполнялось бы соотношение=kAZkBZ |
k |
I=и поскольку в= |
|
|||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
O |
|
|
|
|
|
|
этом |
случаеI= рождение |
дефектов |
возможно только |
за |
счет |
обмена= |
||||||||||||
двух |
атомов местамиI= то= kAβZkBαK= Кроме |
того количество= “своих≤= |
|
|||||||||||||||
атомов на подрешетках также одинаково=kAα=Z=kBβK= |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
RO=
=
Рассмотрим |
теперь |
кристалл |
|
с |
вакансиямиK= Введем= |
||||
следующую |
упрощающую |
модельW= пусть |
|
вновь |
антисайты= |
||||
рождаются только за счет двойного обмена атомамиK= Поскольку= |
|||||||||
состояние равновесия не зависит от того I =каким способом в него= |
|||||||||
пришлиI= |
то |
рассмотрим |
переход |
в |
|
равновесное |
состояниеI= |
||
разделенный на два этапаK= |
|
|
|
|
|
|
|||
NK Стартуем с полностью упорядоченной конфигурацииK=Введем= |
|||||||||
в кристалл равновесное число вакансийI= не меняя распределения= |
|||||||||
атомов |
по |
подрешеткамK= При этом |
количество |
вакансий= на |
|||||
подрешетках α и β будет равно=ksαI=ksβ соответственноK= |
||||
OK За счет обмена местами атомов добавим в систему антисайтыK= |
||||
При этом в соответствии с нашей моделью получим равновесное= |
||||
состояние кристаллаK= |
|
|
||
ОтметимI=что в силу тогоI=что количества=“своих≤=и=“чужих≤= |
||||
атомов на |
обеих |
подрешетках |
совпадаютI= kAαZkBβ= = |
и= kAβZkBαK= И= |
поскольку |
мы |
имеем дело |
со сплавом= A I= т.еK= |
iαZiβI =то из = |
соотношений==
|
|
|
|
N = |
k Aa |
+ |
|
k Ba |
+ |
ks a |
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
ia |
|
|
|
|
ia |
|
|
ia |
= |
|
|
|||
|
|
|
|
N = |
k Ab |
+ |
|
k Bb |
|
+ |
ks b |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
ib |
|
|
ib |
|
ib |
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
получаем=ksαZksβK= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Параметр дальнего порядка можно ввести и при наличии= |
|
||||||||||||||||||||
вакансийW= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R |
A |
= ( |
k Aa |
- |
ia |
) / (N - |
ia |
) K===================================ENKO8F= |
|
||||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
ia |
|
i |
|
|
|
|
i |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
oBK=для |
|
|||||||
Аналогично |
можно |
записать |
|
и |
выражение= |
|
|||||||||||||||
Ввоспользовавшись |
предложенной |
модельюI= можно показатьI= |
что= |
|
|||||||||||||||||
упорядоченность |
|
|
|
рассматриваемой |
системы |
= |
м |
||||||||||||||
характеризоваться единым параметром порядка= RA = RB º R K= |
|
|
|||||||||||||||||||
Рассчитаем свободную энергию кристалла с вакансиями= и |
|
||||||||||||||||||||
антисайтамиK=Вновь будем считатьI=что колебательные возбуждения= |
|
||||||||||||||||||||
слабо зависят от конфигурацииK= Усредним энергию кристалла по= состояниям с разными конфигурациямиI= но обладающими одним и=
RP=
=
тем же значением параметра дальнего порядка=oK=Общее число таких= конфигураций может быть рассчитано следующим образомW=
g R = |
|
|
|
|
(ia )! |
|
|
|
|
|
|
(ib )! |
|
|
|
K========ENKOVF= |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
( |
|
Aa ) |
|
( |
|
Ba |
|
) (s a |
|
|
( |
)Ab ) |
( |
Bb |
|
) s(b |
|
) |
||
( ) |
k |
! |
k |
! |
! |
! |
! |
|||||||||||||
|
|
|
|
k |
|
k |
! k |
|
k |
|
||||||||||
Для расчета средней конфигурационной энергии вновь= воспользуемся предположением о равновероятности различных= конфигурацийW=
N
t (R )= ( )åtk I=
g R k
где сумма взята по всем конфигурациямI= обладающим одинаковым= oK=Ограничиваясь приближением Брэгга-ВильямсонаI=запишем==
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
j |
|
|
|
|
j |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
- |
tk |
- |
t |
|
æ |
|
N ö |
(tk |
- t ) |
- |
t |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
e kq |
= e kq åç |
- |
|
÷ |
|
|
|
|
|
» e |
|
kq K= |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
j |
è |
|
kq ø |
|
|
j ! |
|
|
|
|
|
|
|||
Таким образомI= свободная конфигурационная энергия= упорядочивающегося сплава с вакансиями может быть представлена= в видеW=
cC = -kq ln Z C » -kq ln g (R) + t (R)K=
В равновесии имеемW= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
¶cC |
= M X===== |
¶cC |
|
= M X===== |
¶cC |
= M K= |
||||||||
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
¶R |
|
¶ks a |
|
|
|
|
|
¶ksb |
||||||
Будем считатьI= что концентрация вакансий достаточно малаI= чтобы= |
|||||||||||||||
не влиять на зависимость= R (q )K=В равновесии получимW= |
|||||||||||||||
|
|
ì¶ ln g(R) |
|
|
|
(R) |
|||||||||
|
|
N ¶t |
|||||||||||||
ï |
|
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
kq ¶ks a K= |
|||||||||||||
ï |
¶ks a |
||||||||||||||
í |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
ï |
¶ ln g(R ) |
N ¶t (R ) |
|||||||||||||
ï |
|
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
¶ks b |
kq ¶ks b |
||||||||||||||
î |
|||||||||||||||
RQ=
=
УчитываяI=что= ln g (R) » ia (ln ia - N) - ks a (ln ks a
i Zk |
Hk |
Hk |
I=а производные= |
¶ |
|
x |
[ |
ln x -N |
= ln x |
|||||||||
|
|
|||||||||||||||||
α |
Aα |
Bα |
Vα |
¶x |
{ |
|
|
|
|
|
|
|
] |
} |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(o) |
|
|
||
|
|
|
|
|
ksa |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
-ln |
= |
N |
|
¶t |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
kq |
¶ksa |
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
ia |
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
ks b |
|
|
N |
|
|
|
|
(o )K= |
|
||||
|
|
|
-ln |
= |
|
|
|
¶t |
|
|||||||||
|
|
|
ib |
kq |
|
¶ks b |
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
- N) + L I=
получимW=
Для средней конфигурационной энергии можно записатьW==
t = -sAAnAA -sBBnBB -sAB (nAB + nBA )K=
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Производные= |
¶t |
|
выражаются |
через |
|
|
|
производные |
четырех= |
|||||||||||||||||||||
¶k s a |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
величин= |
¶nAA |
I= |
|
¶nBB |
I= |
|
¶nAB |
I= |
¶nBA |
K=ЗдесьI=как и раньшеI=nAA=–= |
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
¶ks a ¶ks a ¶ks a ¶ks a |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
число пар А=–=АK= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
ДопустимI= что |
|
двухточечную |
вероятность |
|
можно составить= |
||||||||||||||||||||||||
из |
произвольных |
|
|
одночастичных |
вероятностейK= Вероятность= |
|||||||||||||||||||||||||
обнаружить |
атом |
типа |
А |
на подрешетке= α= ~= |
|
k Aa |
K= В |
отсутствие= |
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ia |
|
|
|
|
|
|
|
корреляции заселенность соседнего узла решетки не зависит от тогоI= |
||||||||||||||||||||||||||||||
что |
происходит |
на |
|
|
рассматриваемом |
|
K= узлеТаким |
|
образомI= |
|||||||||||||||||||||
вероятность |
тогоI= что |
|
родившаяся |
|
в |
случайном |
узле вакансия= |
|||||||||||||||||||||||
разорвет пару А–АI=равнаW== |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
m( AA) = ZN ×C Aa × C Ab = ZN |
|
k Aa |
|
k Ab |
|
K= |
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i |
a |
|
|
i |
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
b |
|
|
||
|
ПредположимI= |
|
что |
после образования |
вакансии |
вынутый= |
||||||||||||||||||||||||
атом поместили на поверхностьI= тогда он восстановит половину= разорванных связей А=–=АK=СледовательноI=производная==
RR=
=
|
|
|
|
|
|
|
|
k Ab |
|
|
|
¶n |
AA |
= - |
Z |
|
k Aa |
|
K= |
||
|
|
|
|
|
|
|||||
|
¶ks a |
|
O ia ib |
|||||||
Тогда для производной средней конфигурационной энергии= |
||||||||||
получаемW= |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
és |
|
k |
|
k |
|
+s |
|
k |
|
k |
|
+ù |
¶t |
|
Z |
AA |
Aa |
Ab |
BB |
Bb |
Ba |
|||||||||
= |
ê |
|
|
|
|
|
ú K= |
||||||||||
¶ks a |
|
Oiaib |
ê+sAB (k Aa kBb + k Ab kBa ) |
ú |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
ë |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
û |
Запишем выражения для количества атомов разных типов= для сплава АВ в приближении отсутствия вакансийW=
|
|
k Aa = k Bb |
» |
i |
(N + R ) |
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Q |
|
|
|
|
|
|
|
K= |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
k Ba = k Ab |
» |
(N - R ) |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
ИтакI=получимW== |
|
|
|
|
|
|
|
Q |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
)+ sBB (N - R |
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
Z |
é |
|
|
- R |
O |
O |
) |
+ |
ù |
|
||||||||||||
-ln Cs a |
|
êsAA (N |
|
|
|
ú |
I= |
|||||||||||||||||
= |
|
ê |
|
AB (( |
|
|
|
) |
O |
|
( |
O |
)) |
|
ú |
|||||||||
8kq |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
ê |
+s |
|
|
|
|
+ |
- R |
|
|
ú |
|
||||||||||
|
|
|
ë |
|
N + R |
|
|
|
|
N |
|
|
|
û |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
тогда в результате для концентраций вакансий можно записать== |
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
é |
|
|
|
|
|
ZwR |
O ù |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
êbM |
+ |
|
ú |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
ê |
|
s |
|
|
|
|
8 |
ú |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
- |
ë |
|
|
|
|
|
|
|
|
û |
|
|
|
|
|
|
|
|
Cs a = Csb = e |
|
|
|
|
kq |
|
|
|
I=====================ENKPMF= |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
где= bvM = z (sAA + sBB + OsAB )I= w = OsAB - sAA - sBB K=
8
НапомнимI= что для чистого монокомпонентного вещества= реализуется арениусовская зависимость концентрации вакансий от= температуры==
- bsf
Cs = e kq K=
Для |
упорядоченного |
состояния |
бинарного |
сплава = |
вид |
зависимости |
концентрации |
дефектов |
тот I= ножеI= |
поскольку= |
|
= |
|
RS= |
|
|
|
|
|
|
|
|
показатель экспоненты теперь более сложным образом зависит = от температурыI= график температурной зависимости концентрации= вакансий отличается от аналогичного графика для чистого вещества=
(рисKNKPNJNKPOFK=
=
РисK= NKPNK= Качественный вид температурной зависимости= параметра дальнего порядка и концентрации антисайтов= EслеваF= и= эффективной энергии образования вакансий=EсправаF=
=
=
РисK= NKPOK= Качественный вид температурной зависимости= концентрации вакансий в упорядочивающихся сплавах=
=
Так как в выражение для энергии формирования вакансии= входит параметр порядка= oI= что реально приводит к увеличению=
RT=
=
величины этой энергииI=можно подтвердить сделанный ранее вывод= о томI=что более упорядоченное состояние более==устойчивоK=
АналогичноI= энергия миграции в упорядоченном состоянии= имеет большее значениеI=чем в разупорядоченном=EрисKNKPPFK==
=
РисK=NKPPK=Качественный вид температурной зависимости коJ эффициента диффузии в упорядочивающихся сплавах=
=
1.4. Вопросы для самопроверки к разделу 1
NK Дайте определение дефекта кристаллаK=
OK Назовите основные виды дефектов кристаллических систем и= их классификацийK=
PK Что такое структура==кристаллического твердого тела?= QK Что такое морфология твердого тела?=
RK Соотнесите каждый из следующих дефектов с классификациJ ей по размерности= Eточечные дефектыI= линейные дефектыI= плоские= дефектыFW=
J=междоузельные атомыX= J=вакансииX=
J=примесные атомыX= J=междоузельная гантельX= J=вакансионная пустая пораI= J==пораI=заполненная газомX= J=граница кристаллаX= J=граница зернаX=
R8=
=
J=граница двойникаX= J=дислокация==краеваяX= J=дислокация винтоваяX= J=дислокационная петляK=
SK Может ли система междоузельных дефектов не порождать= = искажения решетки кристаллического твердого тела?=
TK Дайте определение и укажите порядок феноменологических= параметровI=характеризующих==дилатационный точечный дефектK=
8K В моноатомном кристаллическом твердом теле может= ли быть несколько типов междоузельных дефектов из собственных= атомовI=вакансий?=
VK Приведите примеры классификации сплавов= Eтвердых расJ творовFK=
NMK Дайте определение и приведите примеры сплава замещенияK= NNK Дайте определение и приведите примеры сплава внедренияK= NOK Дайте определение и приведите примеры сплава вычитанияK= NPK С понижением температуры концентрация равновесных Jде фектов должна понижатьсяI=в то же время на практике их оказываетJ ся существенно большеK=В чем причина?==
NQK В чем различие заселенности узлов при высоких и низких= температурах?=
NRK Представьте качественный график концентрации равновесJ ных дефектов и времени их жизни от температурыK=Какие величины= определяют эти зависимости?=
NSK Представьте качественный график концентрации равновесJ ных дефектов и времени их жизни от температуры при наличии= структурных вакансийK= Какие величины определяют эти зависимоJ сти?=При каких условиях создаются структурные вакансии?=
NTK Какие термоактивируемые процессы рождения дефектов суJ ществуют в кристаллах?=
N8K В каких процессах создаются неравновесные точечныеJ де фекты?=
NVK В каких процессах уничтожаются неравновесные точечные= дефекты?=
OMK Как влияет давление на концентрацию вакансий в кристалле?= При каких давлениях это влияние существенно?=
ONK Приведите определение упорядоченного сплава и покажите= на примереI=в чем различие сплава и раствора?=
RV=
=
OOK Что такое антифазные домены в упорядочивающихся сплаJ вах?=Приведите примеры?=
OPK Дайте определение дефектов=–=антисайтовK=
OQK Какой физический смысл имеет величина=wZOsA_=–=sAAJ=s__= для двойных сплавов?==Рассмотреть=w=YMI=w[MK=
ORK Для двухкомпонентного сплава замещения нарисовать качеJ ственную зависимость энергии образования вакансий от составаK= OSK Как экспериментально наблюдать фазовый переход порядокJ беспорядок в упорядочивающихся сплавах?=
OTK Нарисуйте качественный вид температурной зависимости= параметра дальнего порядка для упорядочивающегося сплава=A_K= O8K Нарисуйте качественный вид температурной зависимости= параметра дальнего порядка для упорядочивающегося сплава=An_mK= OVK Сколько решений можно найти для одного значения темпераJ туры для дальнего порядка?=
PMK Какой физический смысл отрицательных значений параметра= порядка?=
PNK Нарисуйте качественную зависимость дальнего и среднего= значения ближнего порядкаK=
POK Дайте определение ближнего порядкаK=
PPK По какому ансамблю происходит усреднение для ближнего= порядка?=
PQK Нарисуйте качественную зависимость концентрацииJ ан тисайтов от температурыK=
PRK Какие приближения используются при определении параметJ ра дальнего порядка?=
PSK Какой физический смысл параметра дальнего порядка =для сплава?=
PTK Нарисуйте качественную зависимость концентрации ваканJ сий от температуры в упорядочивающемся сплаве АВK=
P8K Какое соотношение между потенциалами взаимодействия= атомов должно выполняться в приближении парного взаимодействия= для тогоI=чтобы сплав был упорядоченным?=
PVK Физический смысл приближения среднего поля и его испольJ зование при выводе выражения для статистической суммы?=
QMK Назовите основные предпосылки при выводе выражения для= концентрации равновесных вакансий в упорядоченном сплаве АВK=
SM=
=