Teoria_SURRT
.pdfU в ых2 КсcUв х1 КсбUв х2 КсcUв х2 КсcUв х2 Ксc (U в х1 U в х2 ) ( Ксc Ксб )Uв х2 ,
где первое слагаемое соответствует переданному на выход дифференциальному входному напряжению, второе – синфазному. Поэтому с учетом выражения
(3.13)
Кoсc Ксc | Ксc Ксб | 1 , (3.15)
откуда снова вытекает необходимость применения вместо сопротивления R0 ГСТ.
Входное сопротивление каскада в режиме дифференциального входа, называемое входным дифференциальным сопротивлением, составляет
Rв х д 2( rБ ( 1 )( rЭ RЭ )) 2( 1 )( rЭ RЭ )
и оказывается примерно равным входному сопротивлению Rв х при несимметричном входе. Входное сопротивление для синфазного сигнала (синфазное входное сопротивление) определяется между базами транзисторов, соединенными между собой, и общей точкой [2]:
Rв х с = rК R0 ( 1 )( rК 2R0 ( 1 ).
ДУ широко используют в схемотехнике благодаря следующим его свойствам: возможность большого усиления дифференциальных сигналов и нечувствительность к синфазным помехам; симметрия схемы, обеспечивающая малый дрейф нуля и слабую зависимость параметров от температуры и производственного разброса элементов (одинаковые отклонения в интегральной технологии); отсутствие блокировочных емкостей в цепях эмиттеров. В режиме дифференциального выхода при полной симметрии каскада и дифференциальном входном сигнале синфазная составляющая подавляется полностью. На практике реальные значения коэффициента Ко с с лежат в пределах 80…110 (40…70 дБ) для ДУ на согласованных (дискретных) Т. Дальнейшее ослабление синфазной помехи обеспечивают: последовательным включением двух ДУ, где коллекторы Т первого ДУ соединяют непосредственно с базами Т второго ДУ; введением вместо сопротивления R0 ГСТ I0 (рис. 3.7, б). В последней схеме с помощью дополнительных емкостей CН уменьшают входную емкость дифференциального входа [3]:
81
Cв хд 0,5( Cв х CБ Э ( 1 Ксс Ксб )CБ К ( 1 Ксс Ксб )CН ,
где Cв х – емкость между каждым из входов и общей точкой; СБ Э , С Б К – емко-
сти гибридной П-образной модели БПТ; выражение справедливо при RЭ = 0. Поскольку емкость СН 2 включается между выходами, то граничная частота коэффициента усиления ДУ понижается.
ДУ без сопротивлений RЭ (см. рис.3.7, а) обладает весьма узким динамическим диапазоном. Действительно, пусть UБ 2 = const и UБ Э 0 – напряжение база – эмиттер T VT1 и VT2 в отсутствии сигнала. Тогда напряжение UБ 1 на базе T VT1 не может увеличиться (уменьшиться) больше, чем на UБ Э 0 , иначе запрется T VT2 (VT1). Из этого следует, что входной сигнал должен изменяться в пределах, не превышающих 2UБ Э 0 . С учетом же нелинейных искажений его амплитуда не превосходит 0,1 В, из-за чего напряжения UБ 1 и UБ 2 надо точно выравнивать. При использовании сопротивлений RЭ максимально допустимое входное напряжение разностного сигнала увеличивается прямо пропорционально SRЭ , причем на практике верхнее значение RЭ ограничивается требуемым усилением ( Ксс RК ( 2( rЭ RЭ )) ), дрейфом нулевого потенциала и осо-
бенно шумом сопротивления RЭ , которое включено последовательно с источником сигнала [3].
Если в рассматриваемой схеме вместо сопротивлений RЭ и ГСТ I0 включить сопротивление 2RЭ между эмиттерами T VT1 и VT2 и ГСТ I0 2 между эмиттером каждого Т и генератором напряжения ЕК2 , то образуется эквивалентный по параметрам ДУ. Но, в отличие от предыдущего, его коэффициент усиления можно регулировать изменением сопротивления 2RЭ , не нарушая при этом выбранное напряжение покоя. Недостатком схемы является то, что шум обоих ГСТ I0 2 сохраняется и при дифференциальном выходе, чего нет у предыдущего ДУ.
Часто в качестве нагрузки ДУ, особенно в усилителях низкой частоты, применяют ТЗ, удваивающее выходной сигнал и осуществляющее переход от симметричного входа к несимметричному выходу. Для расширения полосы пропускания каждое плечо ДУ реализуют по каскодной схеме (рис. 3.8). Верхняя граничная частота в основном определяется Т VT1 и VT2, так как Т VT3 и
82
VT4 включены по схеме с ОБ. Па-
раметры KU и Rв х д определяются |
|
R1 |
U |
R2 |
Ек1 |
|||
|
|
|
|
|
|
б |
|
|
по формулам для ДУ на схеме |
|
VT3 VT4 |
|
|
||||
рис. 3.7, а. |
|
|
|
|
|
|
|
|
У |
ДУ, |
работающих в |
|
|
|
|
|
|
ме большого сигнала, время |
Uвых 1 |
|
Rк Rк |
Uвых2 |
|
|||
растания |
и |
спада |
переходных |
|
|
|
|
|
процессов |
различно |
(вследствие |
|
|
|
|
|
более медленного разряда ем- |
|
VT1 |
VT2 |
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
сти в момент |
отключения из-за |
Uвх.д |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
малых токов). Этот недостаток от- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Rэ |
|
Rэ |
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
сутствует в двухтактной |
схеме |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
(рис. |
3.9), |
где |
ток |
каждой |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I0 |
||||||
волны увеличивается. Коэффици- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ек2 |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
ент усиления по напряжению в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
режиме |
малого |
сигнала |
вдвое |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
больше, по сравнению с ДУ по схемам рис.3.7, 3.8 (при однопо-
люсном выходе), а входное сопротивление вдвое меньше из-за параллельного включения двух каскадов. Выходное напряжение покоя не зависит от тивления нагрузки RК . Последнее выбирают исходя из требуемого значения параметра KU [3].
ДУ на ПТ (рис.3.10) обладает следующими параметрами [3]:
Ксс | Ксб | SRC ( 2 ( 1 SRИ )), |
Rв х д , |
|
Rв ых RС || Ri , |
Косс SR0 . |
(3.16) |
Чтобы в ПТ с управляющим переходом цепь затвор – исток оставалась |
||
запертой также при больших входных сигналах, сопротивление R0 |
и соответст- |
венно постоянный ток I0 выбирают из условия I0 IC0нас . Вследствие малых значений крутизны S в усилителях низкой частоты целесообразно использовать вместо сопротивления R0 ГСТ с большим выходным сопротивлением, а выход ДУ делать симметричным для удвоения коэффициента усиления.
83
R1 Ек1
|
VT1 |
|
|
VT2 |
VT5 |
+U б1 |
|||||||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rэ |
|
|
|
|
|
|
Rэ |
|
|
|||||||||||
Uвх.д |
|
|
|
|
|
|
|
I0 |
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rк Uвых |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I0 |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VT6 |
-U б1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
Rэ |
|
|
|
Rэ |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
VT3 |
VT4 |
|
|
|
|
|
R1 |
Ек2 |
|
|
Рис. 3.9. Двухтактный дифференциальный усилитель
|
R |
|
R |
|
|
|
с |
с |
Ес 1 |
|
|
|
||
|
VT1 |
Uвых1 Uвых2 |
VT2 |
|
|
|
|||
|
|
|
||
Uвх.д |
Rи |
Rи |
|
|
|
|
|
R0 |
|
Ес 2
Рис. 3.10. ДУ на ПТ
84
4. МАЛОСИГНАЛЬНОЕ УСИЛЕНИЕ РАДИОСИГНАЛОВ РСРВТВ
4.1.Усилительные элементы малосигнальных широкополосных усилителей диапазонов КВ, ОВЧ и УВЧ
Малосигнальные широкополосные усилители диапазонов КВ, ОВЧ и УВЧ строят последовательным (каскадным) соединением отдельных усилительных элементов (УЭ), чаще всего однотипных. При небольших значениях коэффициента KU ( K P ) усиления по напряжению (мощности) усилитель со-
стоит из одного УЭ. Используемые на практике УЭ различаются типом и количеством активных элементов (транзисторов), видом нагрузки и типом ОС. Учитывая это, с целью систематизации и упрощения рассмотрения целесообразно ввести условные обозначения УЭ по следующей схеме: иерархический уровень сложности – схема включения – вид нагрузки – вид ОС. Иерархический уровень сложности определяется количеством Т, обозначается цифрами 1, 2 или 3: 1 – I уровень сложности (1 Т); 2 – II уровень (2 Т); 3 – III уровень (3 либо 4 Т). Группа букв (схема включения) обозначает тип используемых Т (биполярный, полевой) и схему их включения. В случае УЭ II и III уровней сложности в конце группы в скобках может присутствовать буква Б, П или С, что означает реализацию на биполярных (Б), полевых (П) либо на биполярных и полевых транзисторах (С). Тип нагрузки: R – резистивная; L – индуктивная; LC – избирательная. Вид ОС: R – так называемая R-обратная связь (ОС через омическое сопротивление); Х – Х-обратная связь (через реактивный элемент); О – отсутствие элементов ОС [9].
Сравнительный анализ показывает, что для построения малосигнальных широкополосных усилителей диапазонов КВ, ОВЧ и УВЧ применяются в ос-
новном следующие типы УЭ [8…12]: |
|
|
|||
1 – ОЭ – L – Х; |
1 – ОБ – L – Х; |
1 – ОЭ – L – R; |
|||
1 – ОЭ – R – R; |
1 – ОБ – LС – О; |
1 – ОЗ – L – О; |
|||
1 – ОЗ – LС – О; |
1 – ОИ – R – О; |
1 – ОИ – LС – О; |
|||
2 |
– ОЭОЭ – R – R; |
2 |
– ДК(Б) – R – О; |
2 |
– ДКН(Б) – R – О; |
2 |
– ОКОЭ – R – О; |
2 |
– КС(Б) – R – R ; |
3 |
– ДККС(Б) – R – О; |
3 |
– ДКНКС(Б) – R– О. |
|
|
|
|
85
УЭ 1 – ОБ – L – Х (рис. 4.1, а) характеризуется следующими параметрами
[9]:
Zв х ( N 1) RН N 2 rЭ rБ ,
Zв ых N 2 ( RГ rБ rЭ )( ( N 1)),
KU N 1 N 2 ( rБ rЭ )( RН ( N 1)) 1 ,
где Z в х ( Zв ых ), KU – входное (выходное) сопротивление и коэффициент усиления по напряжению; rЭ , rБ , – параметры Т
VT1 (n-p-n или p-n-p) в схеме с ОЭ; N W2 W1 – коэффициент трансформации трансформатора Тр1.
Тр1
Rг |
|
|
W1 |
|
|
Б |
|
W2 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
Э |
|
|
К |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VT1 |
|
|
|
|
Eг |
Zвх |
|
|
|
Zвых |
а
С4
Tp2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tp1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рассматриваемый |
УЭ |
на |
|
|
W’ |
|
W’ |
W’ |
|
W’ |
W’ |
3 |
VT1 |
1 |
2 |
||||
|
|
|
1 |
2 |
|
|
R3 |
|
|
практике реализуется |
в |
виде |
|
|
|
|
|
50 Ом |
|
|
|
|
|
|
|
||||
принципиальной схемы |
рис.4.1, |
50 Ом |
R1 С1 |
С2 R2 |
|
С3 |
R4 |
||
|
|
||||||||
б. В рабочем диапазоне частот |
|
|
|
|
|
|
|
||
реактивные сопротивления емко- |
|
|
|
|
|
|
+Еп |
стей С2, С4 (С1 , С3) не должны превышать 10 (1) Ом. Трансформатор Тр1 выполняется бифилярно/трифилярно из скрученных проводов на тороидальном сердечнике, трансформатор Тр2 –
бифилярно на тороидальном сердечнике либо в виде трансформатора на длинной линии. Обычно W2 = W1 , W3 < W1. Причем от отношения W1 W3 существенно зависят параметры УЭ: с увеличением числа W3 витков возрастают значения входной точки KPi компрессии и входной интермодуляционной точки IPi3 3-го порядка, существенно уменьшается коэффициент KP усиления по мощности, незначительно понижается коэффициент F шума. Для достижения
86
оптимальных характеристик коэффициент трансформации N2 W1 :W2 выби-
рается в зависимости от отношения W1 W3 . С увеличением числа W3 витков коэффициент N2 уменьшается: при изменении W1 W3 от 10 : 1 до 10 : 7 величина N2 понижается в среднем от 12 : 7 до 9 : 11. При правильном выборе числа витков трансформаторов Тр1 и Тр2 УЭ имеет широкую полосу пропускания. Так, если трансформатор Тр1 содержит 10+10+4 (5+5+2) витков медного эмалированного провода диаметром 0,16 мм, обмотка скрученными проводами на тороидальном сердечнике FT-23-72 (FT-23-43), а трансформатор Тр2 имеет W1
9 (W1 3) (то же конструктивное выполнение), то рабочий диапазон составляет
1…50 (30…200) МГц [9].
УЭ 1 – ОБ – L – Х склонен к самовозбуждению при рассогласовании ( при коэффициенте стоячей волны, большем трех). Частота генерирования, как правило, лежит выше рабочего диапазона, возможно двухчастотное самовозбуждение. Его устранению может помочь ферритовое колечко, надеваемое на коллекторный вывод Т VT1. В случае частотно-избирательного включения УЭ необходимо тщательно уменьшать связь между входом и выходом.
Существует другой вариант принципиальной схемы УЭ 1 – ОБ – I – Х, в котором вместо элементов Тр2, R1 и С1 включают Г-образную цепь: емкость в продольной ветви соединяют между входом УЭ и обмоткой W3 , а последовательную цепь из дросселя и сопротивления – между обмоткой W3 и общей точкой. Причем в рабочем диапазоне частот сопротивление дросселя должно быть не менее 500 Ом. При прочих равных условиях рассматриваемый вариант УЭ обеспечивает примерно на 0,3…0,4 дБ лучший коэффициент F шума.
УЭ 1 – ОЭ – L – Х (рис.4.2, а) характеризуется следующими параметрами
[9]:
Zв х ( N 1) RН N 2 rЭ rБ ,
Zв ых N 2 ( RГ rБ rЭ )( ( N 1)),
K |
N 1 N 2 ( r |
r |
) ( R |
1 |
, |
(4.2) |
( N 1)) |
||||||
U |
Б |
Э |
Н |
|
|
|
где N W2 W1 ; смысл остальных параметров пояснен выше.
87
|
|
VT1 |
К |
|
|
|
|||
|
|
Б |
|
R н |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|||
Rг |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Э |
|
|
|
|
Zвых |
|||
|
Zвх |
W1 |
|
W2 |
|||||
Eг |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
Тр1 |
|
|
|
|||
|
|
а |
|
|
|
|
|
|
|
С1 |
|
VT1 |
|
|
|
|
R5 |
||
|
|
Tp1 |
|
47 |
|
||||
|
|
|
|
|
|||||
|
Др1 |
W1 |
|
|
|
|
W3 |
||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
1 кОм |
R3 |
|
W2 |
|
|
||||
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
50 Ом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
С2 |
R1 R2 |
С4 |
R3 |
|
|
|
|
|
|
|
С3 |
|
|
|
|
|
R4 +Е п |
||
|
|
|
|
|
|
|
б
Рис. 4.2. УЭ 1–ОЭ–L–Х: эквивалентная (а) и принципиальная (б) схемы
Он реализуется на практике в двух вариантах: индуктивная связь с нагрузкой (рис.4.2, б); емкостная связь, когда нагрузка подключается к обмотке W2 трансформатора Тр1 через емкость. Требования к частотно-зависимым элементам С1…С4 и Др1 те же, что в УЭ 1 – ОБ – L – Х. Аналогично выполняется трансформатор Тр1, при этом W1 < W2 и W3 < W2. От отношения W1 W2 зависят параметры УЭ: с увеличением числа W1 повышаются значения KPi и IPi3 , су-
88
щественно понижается коэффициент KU , незначительно понижается коэффи-
циент F шума. Правильный выбор числа витков обеспечивает широкую полосу пропускания. Так, если трансформатор Тр1 содержит W1 + W2 + W3 = 3 + 10 + + (6…9) витков медного эмалированного провода диаметром 0,16 мм, обмотка скрученными проводами на тороидальном сердечнике FT-23-75, то рабочий диапазон составляет 30…200 МГц [9]. УЭ имеет относительно высокое входное сопротивление (более 1 кОм). Для получения меньших значений Z в х , на-
пример 50 Ом, наиболее просто заменить дроссель сопротивлением R соответствующей величины, но это увеличивает коэффициент шума. Для его минимизации выбирают R1 RГ – режим согласования по мощности. Динамический диапазон при этом практически не изменяется. В режиме RГ = R = Zв ых = RН (со-
гласование по входу и выходу) значения KU и K P , выраженные в децибелах,
равны. УЭ 1 – ОЭ – L – Х имеет очень стабильные параметры в 50-омных устройствах. Самовозбуждение все-таки может возникнуть (крайне редко) при включении высокоомного селективного источника из-за паразитной связи выход – вход. Схемных способов ее нейтрализации не существует, необходимо всеми возможными средствами убрать ОС.
УЭ 1 – ОЭ – L – R (рис.4.3, а), реализуемый на практике в виде принципиальной схемы рис.4.3, б, обеспечивает наилучшие результаты при условии
[9] R = R |
Н |
= 50 Ом, R R |
= 2500 Ом2 и N W : W |
= 1 : 1. При этом Z |
в х |
Z |
в ых |
|
||
Г |
|
Э f |
2 1 |
|
|
|
||||
50 Ом и KU |
|
|
||||||||
Rf RЭ . Требования к элементам С1…С4 и Др1 такие же, как в |
УЭ 1 – ОБ – L – Х. Трансформатор Тр1 с волновым сопротивлением 100 Ом выполняется на основе коаксиального кабеля (рис.4.4), отличается широкополосностью. Практически электрическую длину линии выбирают значительно меньше 4: примерно (0,05…0,15) ( – рабочая длина волны). Возможно применение трансформатора Тр1 на тороидальном сердечнике. Причем, если трансформатор Тр1 содержит 9 + 9 (3 + 3) витков медного эмалированного провода диаметром 0,16 мм, обмотка скрученными проводами на тороидальном сердечнике FT-23-72, то рабочий диапазон составляет 1…50 (30…200) МГц. Параметры УЭ существенно зависят от сопротивления Rf ОС и тока IК покоя Т VT1. Так, при увеличении Rf от 156 до 625 Ом в диапазоне токов IК = 14… 55 мА (при условии Rf RЭ = 2500 Ом2) значения KPi , IPi3 и F уменьшаются в сред-
89
нем соответственно на 10…12, 9…10 и 1,6…2,7 дБ, коэффициент K P возраста-
ет примерно на 13 дБ, а выходное (входное) сопротивление увеличивается (уменьшается) от 55 (45) до 85 (27) Ом. Структура 1 – ОЭ – L – R очень стабильна. При частотно-избирательном включении необходимо максимально устранить связи между выходом и входом, обусловленные периферийными избирательными цепями.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Тр1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Б |
К W1 |
|
|
|
|
|
W2 |
|||||||||||||||||
Rг |
|
VT1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R н |
||||||||||||
Э |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Eг |
Zвх |
|
|
Rэ Rf |
|
|
|
|
|
Zвых |
|
|
а |
|
|
|
|
Rf |
|
|
Tp1 |
R3 |
С3 |
|
|
VT1 |
|
|
|||
С1 |
|
|
|
|
|
|
Др1 |
|
Rэ |
|
|
W1 |
С5 |
|
|
|
||||
|
|
|
||||
|
|
|
||||
|
|
|
||||
|
|
|
||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|||
50 Ом |
|
|
|
W2 |
50 Ом |
|
|
|
|
||||
|
|
|
||||
|
|
|
||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|||
R1 |
С2 |
R2 |
|
|
С4 |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
R4 |
|
+Е п
б
Рис. 4.3. УЭ 1 – ОЭ – L – R: эквивалентная (а) и принципиальная (б) схемы
90