2.3 Расчетное задание

2.3.1 Построить на одном графике, как показано на рисунке 2.5, входные характеристики транзистора I_б=f(U_бэ) при фиксированных напряжениях на коллекторе: U_кэ= 0В, U_кэ= 5В и U_кэ= 10В (по данным из таблиц 2.1. и 2.2). По характеристикам определить графическим способом параметры h₁₁ и h₁₂ для области, расположенной на середине восходящего участка,

h₁₁ = ΔU_бэ / ΔI_б – входное дифференциальное сопротивление транзистора,

h₁₂ = ΔU_бэ / ΔU_кэ = ΔU_бэ¹/(10В-5В) – коэффициент внутренней обратной связи.

Рисунок 2.5

Рисунок 2.6

2.3.2 Построить на одном графике семейство выходных характеристик транзистора I_к=f(U_кэ) при фиксированных токах базы по данным из таблицы 2.3. По характеристикам определить графическим способом параметры h₂₁ и h₂₂ для области, расположенной приблизительно в середине семейства характеристик, как показано на рисунке 2.6

h₂₂= ΔI_к/ΔU_кэ – выходная дифференциальная проводимость транзистора,

h₂₁ = ΔI_к¹/ ΔI_б  = ΔI_к¹/( I_б¹¹¹-I_б¹¹) – коэффициент передачи тока базы.

2.3.3 Построить семейство стоковых характеристик I_с = f(U_си) по данным из таблицы 2.4. Провести нагрузочные линии для сопротивлений R1 и R2, оценить коэффициент усиления.

2.3.4 Построить семейство стоко-затворных характеристик транзистора I_с = f(U_зи.) по данным таблицы 2.5. Измерить крутизну характеристики транзистора при различных напряжениях стока.

2.3.5 Вычислить сопротивления канала “сток – исток” при различных напряжениях на затворе по данным таблицы 2.6.

2.4 Контрольные вопросы

2.4.1 Принцип действия биполярного транзистора, физические процессы в р-n переходах Э-Б и Б-К.

2.4.2 Почему коллекторный ток слабо зависит от коллекторного напряжения?

2.4.3 Изобразить входные и выходные характеристики транзистора по схеме ОБ.

2.4.4 Изобразить входные и выходные характеристики транзистора по схеме ОЭ.

2.4.5 В чём достоинства системы h-параметров транзистора как 4-х полюсника?

2.4.6 В чём коренное отличие полевых транзисторов от биполярных в смысле носителей электрического заряда?

2.4.7 Какие происходят изменения в канале при подаче обратного напряжения на p-n переход “затвор-исток”?

2.4.8 Какие ещё существуют типы полевых транзисторов, кроме исследованного?

2.4.9 Чем управляется ток канала “исток – сток” в полевом транзисторе с изолированным затвором?

2.4.10 В чём преимущества полевых транзисторов перед биполярными?

3 Лабораторная работа. Исследование инвертирующего и неинвертирующего усилителя

Цель работы:

• исследование инвертирующего усилителя на основе операционного усилителя (ОУ) с резистивной обратной связью (ОС);

• исследование неинвертирующего усилителя на основе ОУ с резистивной обратной связью.

3.1 Предварительная подготовка

3.1.1 Предварительно, до выполнения лабораторной работы, изучить по рекомендованной литературе теоретические сведения по операционным усилителям (ОУ), по ОУ с отрицательной обратной связью (ООС).

3.1.2 Изучить задание к лабораторной работе и методические указания к ней.

3.1.3 По справочнику записать паспортные данные, схему расположения выводов интегральных схем ОУ.